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未解决

demo中的反激电源变压器是如何计算的呢

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ganlanshuyang
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副总工程师
  • 2022-7-20 09:50:43
10问答币
最近看到一个厂家设计的QR模式的反激电源DEMO板,对其中的反激变压器计算百思不得其解,目的是想核一下厂家的计算过程,到底他怎么算的,或者说怎么算比较合适,比如电感量,匝数,反射电压deng附件为该控制芯片的数据手册。具体参数为:输入电压范围:AC90-265V,50Hz,输出12V,1.66A,如下为具体原理图和变压器相关设计参数。
demo原理图.png

变压器设计参数.png





KP22306SGA_REV1.01_CN.pdf

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谢开源
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总工程师
  • 2022-7-20 11:08:24
 
他的不一定是对的或适合你的。测一下它的derating,efficiency,EMI就知道谁好谁坏
ganlanshuyang
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LV8
副总工程师
  • 2022-7-20 11:14:44
 
我发不上来,效率最低可以到88%,EMI测试也很好。
谢开源
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LV10
总工程师
  • 2022-7-20 11:16:08
 
那就抄它的,FAE会告诉你怎么算的
但初级Mos 耐压可能有风险
ganlanshuyang
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副总工程师
  • 2022-7-20 11:22:05
 
我就想看看他到底怎么算的,合理不合理,想着核算一遍。
aymm
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高级工程师
  • 2022-7-20 11:18:21
 
问必易呀
他纯QR的,不能进CCM,变压器考量点在于90Vac降频后不饱和,所以感量小一点,SOP-8温度难搞,你环温多少呢?
ganlanshuyang
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副总工程师
  • 2022-7-20 11:23:22
 
我的环境温度-40-70℃,输入电压范围AC90-134V,400Hz
谢开源
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总工程师
  • 2022-7-20 11:47:00
 
原来是低压,怪不得匝比这么大。什么电源输入时400HZ?逆变器供电的?
二极管得Trr<500nS
谢开源
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LV10
总工程师
  • 2022-7-20 12:00:22
 
这种IC估计不能工作在-40-70C,得用分立Mos的,同时不能有壳,否则很难做
ganlanshuyang
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副总工程师
  • 2022-7-20 13:11:19
 
我的输出是12V@1.5A,环境温度-40~70摄氏度,输入AC115V(90V-134V),400HZ(360~800Hz)
wyxdy2014
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  • 2022-7-21 10:20:28
 
学习下!
nc965
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  • 2022-7-20 17:34:48
 
4.png
ganlanshuyang
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  • 2022-7-20 19:55:07
 
大师,你的计算表格我看不懂,我适合按部就班的那种,另外目前的变压器原边59匝绕了两层,40.5+18.5
nc965
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  • 2022-7-20 20:50:22
 
计算表格见此贴1楼:反激变压器设计要领
其中所有数据都适合你按部就班地核算,比如:PQ2012骨架的线槽宽度为5mm,0.23mm的漆包线密绕59匝刚好需要3层。能看懂吗?怎么能看成2层?你拆开看也是3层
ganlanshuyang
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副总工程师
  • 2022-7-20 22:17:03
 
我说的是1楼厂家给的demo,59匝人家绕了2层,一层为40.5匝,一层为18.5匝,按照槽宽5mm的话,这一层40.5匝根本不可能绕下啊
nc965
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  • 2022-7-20 22:28:41
 
3.png
ganlanshuyang
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  • 2022-7-21 18:38:13
 
大师,如下是我根据厂家demo上的变压器参数并结合实际输入输出参数,在您的表格里推算的相关参数,其中输入电压范围为AC90-265V/50Hz,输出为12V/1.66A,芯片为QR工作模式,基本是能对上的,原边匝数40.5+18.5=59匝,副边5匝,辅助绕组13匝,原边电感量1.1mH,不知道合理不合理,同时有几点不解,请帮忙解答:1、【C15】中提到,根据线规调整至[35][30]合理,也就是说这个表格是从上到下来逐步填写计算的吗,保证[35][30]合理,暂时不用管副边参数和辅助绕组参数吗,在此处保证了,往下副边参数和辅助绕组参数填写的时候如何继续保证[35][30]合理呢?线径不应该根据计算的Ipk值和电流密度来计算吗?
2、【C16】中提到,调整至[18]与实际吻合,主要是实际填写过程中,[18]还不知道呢,如何保证与实际吻合呢?同理【C22】也存在该疑问;
3、【C29】线包厚度修正,这块怎么是个负值呢,填写过程中不用理会?
4、另外如1楼所示,该变压器原边还增加了屏蔽绕组,这块是否已经在该表格中的窗口系数中考虑过了呢?

问题太多,新手,求解
a7d82b46ee36b2280980d3339dfe8f8.png



ganlanshuyang
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副总工程师
  • 2022-7-21 18:42:18
 
补充,骨架选的PQ2012,在网上查的该磁芯的AE值为56,槽宽5.6,槽深3.5,实际可能略有差异,但不会相差太大。
nc965
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  • 2022-7-21 20:48:08
 
磁芯尺寸不能用,要用骨架尺寸,我11楼是按PQ2016-4mm来的,你自己有样品就实际测试,何需在网上去查?

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nc965
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  • 2022-7-21 20:30:15
 
原贴3楼这个表格不好用,要试算,用1楼的表格吧,此贴11楼就是用它算的
1、此表不用考虑载流密度,只考虑几何与电磁参数匹配,只要匹配好了,载流密度自然就是够的
3、线包厚度是几何参数,表中按线径层数计算,你实际绕制调整线径就需要修改,正负都可能。比如11楼右表,1.2的线径1层,实际用0.6的线径双线并绕了3层,就需要修正+0.6
4、窗口系数有0.7的折扣,包括辅助、铜皮、马拉、漆皮,这些就不用单独考虑了
ganlanshuyang
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  • 2022-7-21 22:12:47
 
也就是说按照表格算下来窗口系数是1的话,实际上还有0.3的余量?
nc965
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  • 2022-7-22 00:30:31
 
经验,应该刚好,没多少余量
ganlanshuyang
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  • 2022-7-21 22:53:02
 
3、线包厚度是几何参数,表中按线径层数计算,你实际绕制调整线径就需要修改,正负都可能。比如11楼右表,1.2的线径1层,实际用0.6的线径双线并绕了3层,就需要修正+0.6
---------此处是基于什么考虑的呢,应为1.2的线径均绕一层4匝,你建议每层为0.6的线径双线并绕, 每层均绕4匝,然后3层并联,是这样理解的吗,也就是说多并联两层?
nc965
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  • 2022-7-22 00:25:33
 
1.2的三层绝缘线即使能买到,也太硬不好绕,改为0.4(0.6)的6股,满足了窗口,也不用担心过流
ganlanshuyang
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  • 2022-7-22 08:45:09
 
我怎么感觉0.4的三股就可以呢,0.4*3=12,然后均绕4匝,要考虑电流余量的话改成0.4*4,均绕4匝,但我看您之前表格中给的建议是每层为0.6的线径双线并绕, 每层均绕4匝,然后3层并联,比我这个大很多呢
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  • 2022-7-22 09:01:19
 
三层绝缘线,安规需要,铜径0.4,外径0.6+,网上有规格书,按部就班就能查到

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ganlanshuyang
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  • 2022-7-22 09:34:50
 
我的问题点在于为什么要每层4匝,三层并联,是不是两层也可以?甚至一层也可以呢?因为本身3股0.4的线就满足表格中1.2的要求了,是完全基于过流和窗口系数的饱满程度考虑吗?另外0.4的线径,考虑线皮再加0.2,均绕一层的话,线包厚度修正系数那块就应该是0.2了吧?
nc965
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  • 2022-7-22 10:13:28
 
3层窗口才饱满,铜损才小,效率才高,你才不会去纠结载流密度。摘录19楼:只要几何参数与电磁参数匹配好了,载流密度自然就是够的
线包厚度是按1层1.2算的,已经包括0.2了
ganlanshuyang
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  • 2022-7-22 10:38:32
 
3、线包厚度是几何参数,表中按线径层数计算,你实际绕制调整线径就需要修改,正负都可能。比如11楼右表,1.2的线径1层,实际用0.6的线径双线并绕了3层,就需要修正+0.6
-------还是没明白修正系数为什么是+0.6,按我的理解,0.6的线双线并绕,那线径就是1.2啊,原本1.2的线1层就可以,现在考虑变压器窗口饱满,采用0.6的线经双线并绕,且是绕三层,那这样的话线包厚度修正系数应该是0.6*2*3-1.2=2.4呢?,求指点
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  • 2022-7-22 10:43:54
 
0.6*3-1.2=0.6,双线并绕的2倍是宽度,不是厚度,你没有绕过变压器?

这是1匝,6股(0.4+0.2)
4.png


ganlanshuyang
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  • 2022-7-22 10:58:27
 
明白了,多谢解答,有关11楼的最低输入电压voll取值,我也看了原帖中有关voll的计算和需要考虑的因素,但是还是不知道这个值怎么确定,我看你帮我计算的两个表格中,左边最低输入电压为113V,右边为104V,你是怎么考虑的呢,为什么还不一样,这两个值是你的经验值?
nc965
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  • 2022-7-22 11:05:35
 
整流后的工频纹波跌落,与输入电容量有关,右上角灰色部分确定,不能凭经验
ganlanshuyang
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  • 2022-7-22 13:30:11
 
不知道你是怎么算的呢,我算下来最低输入电压为104V时,对应的输入电容容量为13uF,最低输入电压为113V时,对应的输入电容容量为21uF,想了解下你的计算过程。
nc965
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  • 2022-7-22 14:38:35
 
电解电容有容差,还会老化降额,你要设计成在它的寿命周期内都能正常运行
计算公式参阅此贴196、756楼:【原创】反激变压器设计要领
ganlanshuyang
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  • 2022-7-22 15:19:19
 
11楼您推荐的计算表格中最后的最低频率是87.4K,但是该芯片的最高工作频率只能到80K,下限75K,应该如何修改变压器参数来满足呢?
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nc965
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  • 2022-7-22 15:21:30
 
1、换芯片
2、减小输出功率
3、增加电容、加大一点Voll,使用同步整流、降低一点Vout,副边增加1匝,或许频率能行,变压器发烫加强一点散热,考手艺
4、PQ2016

ganlanshuyang
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  • 2022-7-22 15:29:34
 
这组参数是否可以呢?只是将原边原来2层改成了3层,磁芯和骨架参数都不变,看着窗口系数和磁功率系数都在范围内。

16b731898ed8fca79af4b84218fd29a.png


nc965
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  • 2022-7-22 15:35:02
 
试试吧,
1、一般认为占空比0.5是反激的最大出力,偏离0.5是牺牲出力换取其他利益,因此即使你要用出力换频率,也要想办法只换到75KHz
2、看看芯片是否支持占空比>0.5
3、尽量先挖掘一下37.3楼的潜力
4、监控温度

ganlanshuyang
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  • 2022-7-22 15:59:20
 
目前副边就采用的同步整流芯片,主控芯片采用内部集成MOS的,工作环境温度-40~70℃,如下表格相比上面表格更改点为:1、将输出电压又13V更改为12.3V,2、最低电压由原来的100V更改为125V,3、副边匝数由原来的4匝更改为5匝,同时线径由1.2更改为0.9。相比上面的表格,好像参数上会好很多,占空比也在0.5以内,请帮忙把关。
另外该电源要求输入断电后,输出可维持至少200ms,需要进一步加大输入电容,不知道此处是否对最低输入电压有影响呢?

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nc965
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  • 2022-7-22 16:37:02
 
0.25线径太细,起码要绕3层
维持时间可以靠增加输入电容量实现,芯片低于设计电压可以按CCM模式继续工作至半电压,按此确定容量,正好改善Voll,否则125V没有依据。
ganlanshuyang
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  • 2022-7-22 16:47:04
 
芯片低于设计电压可以按CCM模式继续工作至半电压,按此确定容量,正好改善Voll,否则125V没有依据。
-------这句话没有理解,本身芯片是QR模式的,能工作在CCM模式?
aymm
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  • 2022-7-22 16:50:38
 
不能,会降频,会炸机
理解为什么会降频吗?
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  • 2022-7-22 17:00:16
 
不理解,容我再想想
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  • 2022-7-22 16:52:40
 
另外,上述表格中计算计算出来的是最低工作频率,并没有对最高频率限制,我目前计算出来的最低频率是68K,而芯片手册上最高频率限制为80K,下限75K,不知道我按此表格设计的话,最高频率会不会超过芯片限制呢
nc965
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  • 2022-7-22 17:00:47
 
有点问题,只是限制频率的话,意味着脱离QR,不QR而已,定频DCM,也能运行。
nc965
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  • 2022-7-22 16:57:28
 
QR模式的芯片一般都有最低频率限制的机制,那就是CCM,你查查看
ganlanshuyang
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  • 2022-7-22 17:04:50
 
36楼的最高频率下面一行就是最低频率的限制,10K,这个频率肯定不能达到啊,耳朵都能听到了,我的问题点是按照上述表格的话,整个工作工况范围内工作频率会不会超过芯片的最大工作频率限制,因为表格中计算下来的最低频率都68K了
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  • 2022-7-22 17:11:42
 
换定频芯片吧,才能实现维持功能,非要这个功能的话,与QR就是系统性冲突了。
ganlanshuyang
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  • 2022-7-22 17:16:58
 
方案目前选定的就这个芯片了,我意思能不能像你说的换大一规格的磁芯,或者继续调整参数,使得最低频率低于某个值,从而保证整个工作范围内工作频率都在规格范围内,且留有一定余量。
nc965
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  • 2022-7-22 17:56:36
 
你目前的参数是按1.25mS设计的,就算你电解扩大10倍,磁芯扩大2倍,也只能到25mS
10mS你那样或许可以,200mS不是小数,定频芯片CCM是不二选择
ganlanshuyang
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  • 2022-7-22 18:33:46
 
保持时间200ms怎么会影响芯片的选型呢,就因为保持时间很长会导致芯片不能工作在QR模式?
nc965
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  • 2022-7-22 18:42:54
 
看你对这个计算表格已经玩得很麻溜了,可以试试看你这想法:
1、掉电前是90VAC,电解电压最高127V,掉电后开始下降,200mS下降到比如70V,可以算出需要多大的电解,
2、你的变压器按Voll=70V设计,确定一个线包和感量,不管载流和磁功率,能跑就行,哪怕Bs=0.35,仅仅200mS,发热不大。
3、然后恢复125Voll,线包不变,调整Bs使感量不变,得到常态工况的运行参数,调整到能用为止,看看能不能调出来。
4、定频芯片直接按125Voll设计就可以用了,125V以下自动进入CCM,到70V仍然可以满载,峰值电流不变。
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  • 2022-7-23 06:28:21
 
似乎能行,估计PQ2014也行
4.png
ganlanshuyang
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  • 2022-7-23 09:01:33
 
是否可以这样理解,Voll在65V和189V之间变化时,电源的实际工作频率就肯定处于22.9K~50.5K之间,这个频率段下限高于20K的人耳可听范围(似乎余量不足,可能还会听到),上限50.5K小于手册上限制的80K,而不会存在超出频率限制的情况?
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  • 2022-7-23 11:08:47
 
理解正确,18K人耳就听不见了,电视行频
ganlanshuyang
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  • 2022-7-23 09:19:46
 
此处设置的最低电压65V有什么依据吗,或者说根据保持时间要求应该怎么算,保持时间是从开始掉电到输出电压值跌出稳压范围(按照0.9来考虑,10.8V)的时间。是不是只要芯片的VDD电压供电正常,输出电压就不会掉呢?也就是说在芯片的VDD欠压门限之上,电源就应该正常输出?
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  • 2022-7-23 11:10:08
 
还是那个公式,50Hz对应10ms,200ms就对应2.5Hz,计算的是200mS最后时刻输入电解上的电压,满载满压输出,离门槛还远。
也就是说,如果芯片没有其他欠压保护,只能用门槛电压做欠压保护,这个工况下200m以后、低于65V时、频率继续向下限10KHz逼近过程中,Bs可能饱和导致炸机,还需要进一步匹配。

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  • 2022-7-23 12:27:34
 
此处的门槛电压是指什么呢?芯片的VDD欠压保护点对应的输入电压点吗,下图为芯片的VDD相关门槛电压
4c22e7be85d6902861ff60fd5d475c4.png




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  • 2022-7-23 12:30:04
 
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  • 2022-7-23 13:13:45
 
6.6V按照匝比和占空比折回到原边对应的输入电压是多少呢
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  • 2022-7-23 17:43:27
 
与设计的VCC最高灌电压同比输出电压,设计是18V:12V = 6.6V:4.4V,即:当某种原因导致输出电压下降到4.4V时,掉电重启。
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  • 2022-7-23 16:25:24
 
也就是说我要把输入欠压保护点设置在64V?保证65V以下芯片停止工作,以防炸机等不好的事情发生。
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  • 2022-7-23 17:41:51
 
你要找一下芯片有没有其它欠压保护机制,或者看看有没有其它机制可以用于欠压保护,比如占空比限制、OCP保护、HV欠压保护等等,最好找个样机实测掉电过程。一般来讲芯片总有掉电机制,不至于瓦解。你的特殊性在于电解太大,看怎么兼容
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  • 2022-7-23 20:42:31
 
考虑到芯片有最大频率80K限制(下限75K)、最小频率10k以及最大导通时间(20us)限制,并结合保持时间200ms的需求,把你的上述表格做了进一步优化,如下为我的各工况计算表格,请帮忙把关,多谢 80d0217a13f9ab3d922446ef16cfabe.png

301d375a20eabe0cfde4ea20b1821b0.png
fe6de5088b3daa36bf7ab1ea91893c8.png


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  • 2022-7-23 22:28:19
 
你这是乱算,不是优化
1、掉电了,没有VAC2
2、0.357才是68匝,0.4就不是了
3、0.4三层绝缘线双线并绕,密绕也只能绕7匝
4、感量由气隙决定,不由电压决定,80V、127V都一样
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  • 2022-7-23 22:35:35
 
计算中按照0.85的效率,已按输入功率计算,VAC2可忽略,帮忙看下变压器参数合理吗,还有没有雷
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  • 2022-7-23 22:36:55
 
不能用,55楼才能用
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  • 2022-7-23 22:46:18
 
55楼低压下最大导通时间超过规格书20us的限制了
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  • 2022-7-23 22:47:02
 
超过好啊,正好做欠压保护,正想打瞌睡,就有人送枕头
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  • 2022-7-23 23:08:55
 
哈哈,这不应该是大师的风格,需要严谨,欠压保护点可通过外部电阻精确配置,明天我根据最低电压值倒推即可,根据你的建议已更改,帮忙再看看。

2d82ba86bca8a5d8fc1dcdbe136befb.png





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  • 2022-7-23 23:14:03
 
0.8线径只能0.2的三层绝缘线双线并绕2层并联4股出线,过不了1.5A,不明白你老是想增加频率干什么?
辅助绕组只有10mA电流,你用0.4的线?窗口会爆
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  • 2022-7-23 23:20:17
 
0.8的线径,0.4双线并绕不能满足1.5A吗,辅助绕组0.3的线也行啊
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  • 2022-7-23 23:58:59
 
外径0.4三层绝缘线铜径只有0.2,见27楼
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  • 2022-7-24 00:06:48
 
辅助绕组一般0.1,都没有计入窗口,只有想做屏蔽0.1太细不好排线才会用到 0.1X
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  • 2022-7-23 23:23:52
 
在你的基础上我调整的目的实际上是想避开最大导通时间的限制,20us是典型值,我估摸着最小值可能在15us左右,以上导通时间均满足。
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  • 2022-7-24 00:00:19
 
不是要避开,而是要利用(见72楼),你改了就利用不上了
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  • 2022-7-23 23:07:02
 
68.8V就限制输出了,直到掉电,很爽啊,470uF可以满载维持到136mS,掉电前限载继续能维持的时间应该远不止64mS,说不定330uF(可以满载维持95mS)就能把这活干下来。
3.png
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  • 2022-7-24 17:04:18
 
咨询过厂家了,超过最大导通时间也会按最大的限制住,另外表格中的线径指的就是成品线径吧,你建议的表格中实际线径如何选取呢,PQ2016的槽宽好像是8,槽深是3。
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  • 2022-7-24 17:31:23
 
实际线径 0.355,国标,铜径,漆皮已经考虑/0.9(绝缘等级不同略有差距),密绕,能多绕1匝是1匝,因此骨架要优选尺寸(最好比我的更)大的(你说那种不能用)。而且要自己绕一个样品,因为打样商家多半(十之八九)会以各种理由缩小你的线径
此外,如果不冲突的话,OCP也设置到1.2A附近,双保险
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  • 2022-7-25 13:25:42
 
我说的是副边的三层绝缘线,计算表格中指的是成品线径吧?那输出1.5A的话载流量也不满足,应该选用多粗的成品线径呢,双股并绕?我看窗口系数都0.97了,也不好绕吧?
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  • 2022-7-25 15:13:19
 
说线径都说铜径,表格是按漆包线计算的,换成绝缘线副边是0.45(见55楼),载流密度4.7A/mm2。窗口已经0.7折扣,0.97刚好(稍偏瘦)
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  • 2022-7-25 15:43:03
 
载流密度4.7A/mm2对应2.44A/mm,现在铜径0.45,0.45*2.44A=1.1A,副边绕组线径载流量不够啊,算下来铜径至少需要达到0.6mm,对应的三层绝缘线成品就是0.8mm,不知理解是否正确。这样的话窗口系数就超过1了,有绕不下的风险,或者说不好绕。
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  • 2022-7-25 15:59:59
 
想说你聪明呢为啥简单的几何问题都搞不明白?
摘录55楼排线:0.45三层绝缘线(外径0.65)双线并绕 2层三明治(每层 6.5匝共13匝)
线包厚度修正 (0.45+0.2)*2层 - 0.62*1层= 0.68,
截面积 S=πr2=3.14159*0.45*0.45/4*2股=0.318mm2
载流密度=1.5A/0.318mm2=4.72A/mm2,还需要对应个啥?谁教你的?
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  • 2022-7-25 18:04:29
 
终于看到你表格副边的线径是0.65mm,今天找个几个淘宝店家,专门针对PQ2016骨架的槽深和槽宽进行了实物测量,槽宽8mm,槽深3.15。根据实际情况把表格又做了修改,请帮忙审核,明天出图打样。
5d4fa3959facd9fed45992d6d1242c0.jpg





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  • 2022-7-25 18:35:07
 
你那是乱算,不能用
1、几何没学好,算得出来绕不出来。8mm能装多少东西都不清楚,8/11=0.727。为啥11?12行不行?
按最少12匝算,0.45的最大外径0.675(27楼),12*0.675=8.1mm,你至少要找>8.2mm槽宽的骨架
2、概念要清楚,三个表电感量要一样,右表(在72楼)要Ton=20uS,Bs<0.35,左表(常态)要Bs<0.3,λ<1

这个9.5X3.55,可以用0.5的绝缘线,稍胖
虽然是淘宝第一卖家,你还是让他确认一下尺寸为妥(不能排除也有8mm的货)
3.png




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  • 2022-7-26 11:24:52
 
那就采用55楼的变压器参数,选用楼上的骨架(实际上是PQ2017)来打样应该就没问题吧?
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  • 2022-7-26 11:38:32
 
或者我可以采用PQ2018,甚至PQ2020的磁芯和骨架,大马拉个不是很小的车,这样可以吗
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  • 2022-7-26 11:45:08
 
感觉PQ2016就行,重点是低频才能匹配20uSTon限值,估计副边12匝为下限,匝数越多频率越低,越可以利用Ton限值。当然你也可以利用OCP来做维持,就可以不受此限。
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  • 2022-7-26 14:57:35
 
过流保护设置为输出2A时,OCP保护,通过CS对地的电阻进行配置。
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  • 2022-7-26 15:35:34
 
算了一下,12匝恐怕都不能用,维持工况占空比超过了0.5,如果PSR有占空比限制,Ton恐怕永远也抵达不了20uS,常态工况磁系数也超过1.0太多,或许烫得很。不过占空比限制也可以利用来达成此目的,可以试试

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  • 2022-7-26 15:41:22
 
无最大占空比限制,但是有最大导通时间Ton限制(典型值20us),那磁芯大一号可以吗,PQ2018或者PQ2020都行,我的体积上没有那么苛刻。
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  • 2022-7-26 16:27:47
 
PQ2020就轻松很多,维持工况差不多可以常态运行,因此即使显示的满载维持时间较短,同样电容实际上应该能维持更长时间。
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  • 2022-7-26 16:57:41
 
还是92楼的参数(匝数、线径、感量等),包括保持电容容值也不变3*220u,而只是将磁芯和骨架更换成PQ2020,目的为了方便绕制同时防止磁芯过热,是否也可以?
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  • 2022-7-26 17:29:11
  • 倒数10
 
刚才查了一下芯片,不是PSR,确实没有占空比限制,这样常态就可以按抵近0.5占空比获得最大出力设计,这样PQ2016就没有压力(即使槽宽8mm11匝):
3.png
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  • 2022-7-26 17:58:29
  • 倒数9
 
这个绕制挺复杂的啊,电感量都到2.5mH了,原边匝数也不少,原边有4层,副边有两层。
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  • 2022-7-26 18:02:44
  • 倒数8
 
3.4mH才能达成目的,这个是磨气隙的事,与绕制复杂度无关
这个变压器绕制的难点在于0.5的三层绝缘线在8mm槽宽里能不能绕下11匝(双线并绕就是5.5匝),商家一定说不能(要改成0.45,性能下降一大截),但是如果你能(有样品),他就能。
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  • 2022-7-26 18:58:23
  • 倒数7
 
95楼可行吗
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  • 2022-7-26 19:22:07
  • 倒数6
 
啥都给你演示了,自己算
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  • 2022-7-26 19:23:55
  • 倒数5
 
0.45mm的铜径双线并绕0.9也大于现在的0.66需求,有余量,性能上也没问题啊
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  • 2022-7-26 19:27:17
  • 倒数4
 
0.45要密绕12匝才饱满,当然行。每层绕满(整层约束),是反激变压器的精髓,哪怕偏离一点性能就急剧下降,能绕12匝你只绕11匝,漏感估计增加1倍。你非要绕11匝也行,改成7.5mm的骨架
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  • 2022-7-26 22:10:28
  • 倒数3
 
0.45的铜径,最大0.625的成品线径,双线并绕两层,每层6匝,0.675*2*6=8.1, 按标称线径0.65*2*6=7.8,刚刚好啊,为啥绕不下
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  • 2022-7-27 09:22:17
  • 倒数2
 
0.45三层绝缘线,对于PQ2016,12匝刚刚好,不能11匝,改成PQ2020,19匝刚刚好,不能18匝,再坚持12匝(虽然也绕的下)就是找虐!
ganlanshuyang
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最新回复
  • 2022-7-27 14:14:42
  • 倒数1
 
那我就以这个参数打样验证吧
aymm
  • aymm
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  • 2022-7-22 17:05:11
 
是最高频第一波谷的限制
wangdongchun
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  • 2022-7-21 22:14:23
 
有些厂家的资料存在一定的迷惑性,原因可想而知。建议楼主借鉴一下这个资料。

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