武汉高性能电源技术研讨会——新能源&工业技术 特邀武汉大学刘飞教授，华中科技大学陈才专家 9月24日 星期六 全程免费 资深专家 展台展示 现场更有纸质版讲义等您领取
[会议简介] 2022年9月24日，21Dianyuan特邀武汉大学刘飞教授，华中科技大学陈才专家举办以新能源，工业技术为方向的高性能电源技术研讨会，现场分享与探讨氮化镓器件、碳化硅功率器件、等技术，用众多设计实例为大家深入的讲解，帮助工程师提升个人设计水平、拓展思路、增强个人竞争力。 [嘉宾讲师] 陈才 华中科技大学 应用电子工程系副研究员 分别于2008年与2014年在华中科技大学获得电气工程工学学士与工学博士学位。2014年到2016年在华中科技大学电气学院先进半导体与封装集成实验室从事博士后研究工作。2016年到2018年分别在美国俄亥俄州立大学高性能电力电子中心与美国阿肯色大学高功率密度电子中心及工程研究中心从事博士后研究工作。于2019年在华中科技大学电气学院应用电子工程系任副研究员。长期从事宽禁带半导体功率模块封装与高功率密度电力电子变换技术的研究工作。作为骨干成员参与重点项目三项，连续主持青年与面上自然科学基金项目两项。与多家国内外顶级企业及研究机构开展了相关技术的深入研究、样品与产品开发。共计发表SCI/EI论文50余篇，总引用500余次，总H指数13，获批及申请专利30余项。被IEEE ITRW两次作为未来发展趋势引用；两项第一发明人专利实现600万科技成果转化；获电源学报优秀论文、作为指导教师连续三届获高校电力电子应用设计大赛奖项及第一届华为中·国大学生电力电子创新大赛一等奖、获日内瓦国际发明展银奖。 刘诚 深圳基本半导体有限公司 技术营销副总监 基本半导体技术营销副总监，深耕功率半导体及驱动应用领域十余年，尤其对中功率半导体在太阳能逆变器、新能源汽车电机控制器、车载电源等领域的应用开发有着丰富的经验。 [会议主题] 主题一：高频、高效、高功率密度（3H）中的GaN器件应用研究——陈才 1.针对GaN器件的预测式动态死区时间调节方法 (死区期间的“体二极管”导通损耗 ,死区时间选取原理 ,直接检测策略与简介计算策略 ,所提出的动态死区时间调节方法, 实验验证) 2.基于GaN器件的高频单相无变压器逆变器 (双极性PWM全桥无变压器逆变器 ,TCM 操作原理 限制频率的方法 ,混合TCM调制的效率优化, 实验验证) 3.基于GaN器件的高功率密度隔离可调DC/DC变换器 (数据中心中的隔离型DC/DC变换器 ,一种改进的集成式Buck-Boost-LLC 变换器 ,一种改进的部分功率可调变换器) 主题二：碳化硅功率器件应用简介——刘诚 演讲将从材料制造、芯片设计、封装测试等产业链环节介绍碳化硅功率半导体行业。并重点分析碳化硅功率半导体在光伏发电、轨道交通、高效率电源等领域的应用，探讨其背后的商业逻辑。 [时间地点] 会议时间：2022年9月24日 星期六 9:00-16:30 会议酒店：武汉华美达光谷大酒店（5F 西湖厅） 会议地点：武汉市洪山区珞瑜路726号 交通信息：距光谷广场地铁站300米 步行4分钟 >>点击此处填写报名<<
21Dianyuan发展与壮大离不开每一位网友的关注与支持，您如果对我们的活动有任何意见或建议，敬请随时联系我们！
电话：022-87574815
Email：meeting@21dianyuan.com
微信：d21dianyuan
| 
