 |  | | | | 注意图中两只（再加上辅助绕组就是三只）二极管电路结构完全一样，都是DCR输出结构，其特性对电路的影响也完全一样，由此提出对Dsn的选用：
1、耐压一定要大于MOS耐压，常见错误是600V二极管配650VMOS
2、与副边一样，这个二极管的反向恢复对应的是效率，因电压显著较高而影响显著更大。要尽量快，能35nS就不要50nS，相同系列二极管1A比2A快，低耐压比高耐压快，必要时宁可低压小电流串联。最佳选择是0.5A塑封碳化硅二极管（有吗？）。
3、平均电流很小（mA数量级），峰值电流虽然显著更大，但相比二极管峰值电流耐量（典型值1A:30A）也绰绰有余，因此电流按最小选型即可
4、封装主要考虑焊盘爬电间距和敷铜散热
5、串电阻是必要的，视为尖峰电压谐振波形的阻尼，以至少不提高尖峰电压取大值。
6、冲击电流不要刻意去限制，你这里限制了它，它会以其它更不能接受的形式表现出来，你要做的是减少冲击电流的影响，也就是其电流回路包围面积最小化。
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| | | | | | | | | 已经说的很明白了，他这里用慢管，与输出用慢管等效，牺牲的是效率，这首先与拓扑意图相左，其次换来的好处都是未经普遍证实的个例，或许EMC更差也未可知。根本原因是EMC机制和安全机制术有专攻，不要依仗这颗二极管。
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| | |  | | | | | | | | 我实际测试下来，发现效率并没有损失，12V2A的方案满载几乎一致，轻载效率确实高了
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| | | | | | | | | 一般只用几十欧姆串联电阻限流 （100欧姆温升可能会很高），然后换1N4007，谁用谁知道 
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| | | | | | | | | | | 当然可以，比如你在输出也可以这样用，也会有输出，只是效率损失也雷同。
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| | | | | | | | | | | | | 上面的文档说的很清楚了，效率会有提升而不会下降
上一家公司的时候我试过，但我现在肯定没有测试报告贴出来。
不想做无谓的争论，楼主有心自己试一下就知道了。“实践是检验真理的唯一标准”
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| | | | | |  | | | | | | | | | 拿到样品了，10%25%负载效率确实有提升，至于EMI还没有实验，等下次去实验室我把报告贴出来
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| | | | | | | | | 正常情况下平均电流mA数量级，0805足矣，5楼那样用例外。
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| | | | | 借楼问一下这里的反向恢复损耗咋算？ 我测实物时电流反向阶段电压趋于0，是不是意味着几乎没有反向恢复损耗？ |
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| | | | | | | 机制与副边一样，波形反应在MOS导通瞬间的Ids电流冲击，损耗和EMC也是这里
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| | | | | | | | | 那主要的就是开通损耗了，波形看到也是导通时损耗比较大
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