| | | | | 搞辐射(即Ciss//C1,Coss//C1),同DS加效果一样
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| | | | | 调整Vds开关的斜率(turn on/off delay time),即调整di/dt 改善EMI,加电容之后mos开关损耗会变大,效率变差,所以一般会放得很小 评分查看全部评分
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| | xkw1cn- 积分:131263
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积分:131263 版主 | | | 确定10pF?这个容量,对于电源用MOSFET,基本只是形象大使 可以轻微增加电源成本和提高GDP。
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| | | | | 感觉有一定的缓启作用,不过更倾向于抗电磁干扰作用。
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| | | | | MOS管的gd端加电容会影响Mos开通过程的Vds。具体的优缺点表现为1、Vds从关闭到开通变缓。即dv/dt变缓。EMI辐射变好。
2、缺点就是增加了开通损耗。
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| | | | | 有厂家的方案,是依靠MOS截止后,G的驱动变高阻,然后检测G的变化来间接检测D的电压,来实现消磁检测,有时候MOS的DG电容太小,不够用,就加一个上去。
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| | | | | | | 好像 NCP1377, 这个QR芯片就是用这个电容检测谷底的吧。
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| | | | | 需要MOS,可以联系我们,规格齐全,Q 707643267 |
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| | | | | 减小开通或关断的dv\dt,关断时刻的作用类似于在DS之间加电容
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