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| | xkw1cn- 积分:131412
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积分:131412 版主 | | | 这个电压的MOSFET,开关损耗极低,而谷点导致电流有效值反而是发热的关键因素。
这个电流电压比,更适合推挽或半桥拓扑。
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| | | | xkw1cn- 积分:131412
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积分:131412 版主 | | | | | 这电压,只是两只5毛的MOSFET,LLC变压器更便宜(不用绝缘挡墙和一、二次绝缘)。成本谁高;都不一定。
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| | | | | 辅助绕组layout很关键,环路要小且紧靠IC,辅助绕组要紧靠次级
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| | | | | | | 辅助绕组紧靠次级是指变压器绕制时 次级和辅助同时绕吗?我次级是铜箔绕的。 我的占空比差不多0.4左右, 圈比8:5,感量30uh,这个参数是否有问题。帮参考下 谢谢。
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| | | | | | | | | 短路次级测辅助绕组的电感即是辅助绕组的漏感lk_aux,辅助绕组用0.15*2 or 0.1x3 并绕均匀散打紧靠次级铜皮以减小Ik_aux.
辅助绕组整流二极管管用快管
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| | | | | | | | | | | 辅助绕组还真没有注意漏感,可能就是这里的原因。我再试试,感谢
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| | | | | | | | | | | 我试了下, 还是没有改善,谷底还是没有实现,电压尖峰也差不多的。现在每层都铺满, 辅助绕组紧靠次级铜箔。 是匝比、和原边圈数不合适吗?圈数 8:5 感量20UH.
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| | | | | | | | | | | | | | | 试过了 没效果了。 我的辅助绕组12V,这个电压有没有问题。 我看资料是18V
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| | | | | | | | | 你的ZCD引脚怎么下拉到地了,ZCD是用来谷底检测的,你可以看看规格书上是怎么接的,你应该画错了。将R34和R42加根跳线。
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| | | | | TL494 硬半桥,频率跑到250 kHz左右,无论体积成本都比QR反激占优
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| | | xkw1cn- 积分:131412
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积分:131412 版主 | | | | |
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| | | | | | | | | 有道理,那就上SG3525,差不了几个钱
50V以下根本没必要软开关,折腾半天还提升不了1%的效率,完全没有必要
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