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未解决

AC180-560V转24V1A开关电源,请大家批阅

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a280456680
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LV3
助理工程师
  • 2022-9-23 10:54:26
10问答币
弄了个开关电源,计划宽电压输入AC180-560V,输出24V1A,大家给批阅一下吧,已经打样制板,在380V电压等级的电源上做负载试验(实测电压380V左右),负载200MA左右的时候,连续工作10个小时,mos温热;负载800MA左右的时候mos烫手,估计温度在70-80度左右,连续工作4个多小时测试。(MOS均搭载了一个15*20MM小的散热片)未在AC400+的环境下测试过,不知道电路长时间运行是否可靠,各元件取值是否正确,希望有经验的大神和各位发表一下自己的意见,谢谢!

380V转24V开关电源方案

380V转24V开关电源方案

a280456680
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LV3
助理工程师
  • 2022-9-23 20:45:13
 
咋没人指点一下呢
xkw1cn
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版主
  • 2022-9-23 21:22:21
 
不知楼主是有意写错还是想吓唬大家。。。
AC560V,折合峰值电压是791V。用600V MOSFET开关?静态耐压够吗?
a280456680
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LV3
助理工程师
  • 2022-9-23 22:01:32
 
芯片自己还集成了一个MOS
batteryli
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LV8
副总工程师
  • 2022-9-24 16:57:40
 
想法很新啊,搞个内置的串个外挂的,自己弄的吗?
a280456680
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LV3
助理工程师
  • 2022-9-25 19:44:06
 
不是哦,我也是扒了别人的一个方案
xkw1cn
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版主
  • 2022-9-24 19:08:24
 
是有实验室串联应用。但无法批量。主要原因是两个驱动速度不一样,是靠MOSFET雪崩维持串联,无法无限制的雪崩下去。
a280456680
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LV3
助理工程师
  • 2022-9-25 19:48:58
 
那这个方案对投入使用没有实际意义吗?
xkw1cn
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版主
  • 2022-9-25 23:06:10
 
已证明的方案。
a280456680
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LV3
助理工程师
  • 2022-9-25 20:05:56
 
由于内含MOSFET的额定电压是700V ,只能用于单相220VAC输入,因此再串联一个额定电压不低于600V的功率MOSFET-2N60 ,内外两只功率MOSFET耐压之和超过1300V , 便可以将560V以上的电压分配在这两个器件上 ,使该电源能安全应用于AC380V输入的高压场合。一般情况下整流滤波后的560 V 左右直流电压加在变压器的初级绕组一端 ,初级绕组的另一端接至外接MOSFET的漏极。MOS管与DK125内部的MOSFET是串接关系。当DK125内部的MOSFET 导通时 ,把芯片DK125的漏极电压拉到低电平 ,MOS管导通。稳压二极管ZD1 则限制了MOS管的栅—源电压 ,使其不致因过压而被击穿。当DK125关断时 ,稳压二极管ZD1失压 ,MOS管同时关断。
谢开源
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LV10
总工程师
  • 2022-9-25 22:27:54
 
主要看动态,尤其是反复短路次级看会不会炸机
a280456680
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LV3
助理工程师
  • 2022-9-29 08:02:13
 
连续开关了几十次电源,没发现问题啊
joezzhang
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LV8
副总工程师
  • 2022-9-30 19:26:20
 
下管Vgs超过门限,上管才开始给Cgs充电,这个中间有ns级时间段上管单独扛了母线电压,直到上管Vgs达到门限电压才是两管分压

而且由于两个管子达到门限电压的时间点不同,那么此时他们的RDS等效电阻也不一样,所以分压也是不均的

好在600+600远大于800,即使分压不均,此时的问题也不大,主要还是下管已经开始导通而上管Vgs还低于门限电压那一段时间问题大


这就是xkw1cn版主给你说的靠雪崩击穿维持串联状态的时间段,短时间运行或者开关机都没问题,但雪崩击穿会减寿,想要这么干就需要对雪崩能量进行精确评估,保证其满足设计寿命要求


a280456680
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LV3
助理工程师
  • 2022-9-30 21:34:35
 
谢谢!希望大家还有别的意见或者相对应的解决方法都不吝赐教
a280456680
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LV3
助理工程师
  • 2022-9-30 21:40:22
 
如果2N60换成4N90是否这个问题会迎刃而解呢?不过4N90要比2N60贵了好多。
youngmee
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LV6
高级工程师
  • 2022-10-3 08:39:50
 
2N60驱动损耗太大,驱动小了又容易分压不均。特斯拉专利随便用才会有什么小鹏、小鸟、蔚来等一系列电动汽车品牌,你就是那个衬红花的绿叶啊哈。还是老老实实的用4N90+PWM芯片吧。
a280456680
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LV3
助理工程师
  • 2022-10-3 09:39:32
  • 倒数10
 
听人劝吃饱饭,有合适的方案可以让我参考一下吗?我这几天在论坛看了几个类似的帖子,其中https://bbs.21dianyuan.com/thread-235606-1-1.html?fromuid=437887       这个帖子里面的方案好像和我这个类似。还有一篇是别的方案,但是给的参考资料都是英文的PDF,看的我一个头两个大

youngmee
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LV6
高级工程师
  • 2022-10-3 09:49:43
  • 倒数8
 
输入三倍压,还行吧。用QR芯片+ 4N90没多大压力的。手头还真有类似的方案,可不敢拿出来啊,渠道来源不正规。你可以在自己的图基础上修修补补,大家给你参考下。以你的能力可以轻松搞定的。
a280456680
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LV3
助理工程师
  • 2022-10-3 12:50:59
  • 倒数6
 
关键我是没能力啊,这俩图我都是扒的别人的方案然后稍微改动了一下。你说的QR芯片可以推荐几个物美价廉的型号?
a280456680
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LV3
助理工程师
  • 2022-10-3 09:46:00
  • 倒数9
 
我又弄了个3842的,大家看看这个有啥要注意的地方吗?有什么可以优化的地方吗? 380-24方案2.jpg


youngmee
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LV6
高级工程师
  • 2022-10-3 09:58:18
  • 倒数7
 
3842启动电流太大,用启动电流小的QR绿色芯片,高端轻载时进入打嗝模式。
a280456680
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LV3
助理工程师
  • 2022-10-3 13:04:03
  • 倒数5
 
不知道你说的方案,元件数量大概多少啊?我中意我最开始发出来的那个方案,主要原因就是元器件少,这样占用空间小,成本低。因为输出电源不大,设计标准是1A,事实上也就700MA最多最多了。
joezzhang
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LV8
副总工程师
  • 2022-10-3 15:49:58
  • 倒数4
 
谷歌一下,找到两种方案:


1. 改进你的电路,增加2-3只高压稳压二极管串联在上管的源极和地之间
https://www.nxp.com/docs/en/user-guide/UM10520.pdf
https://www.power.com/sites/defa ... Phase_Nov2006_0.pdf

2. 1 kV的高压MOS管 + 普通反激控制芯片

https://www.infineon.com/dgdl/In ... 019016a7f8ee5ed40c1
https://www.st.com/resource/en/a ... icroelectronics.pdf
a280456680
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LV3
助理工程师
  • 2022-10-3 17:32:11
  • 倒数3
 
感谢,我拜读一下
a280456680
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LV3
助理工程师
  • 2022-10-3 19:49:39
  • 倒数2
 
有个新问题产生了。在我原来的方案基础上我测试了1A的电流,结果几秒的时间烧糊了R8电阻,这种情况应该是排除了MOS的热传导,貌似是大电流通过。R8用的是1/4W。
a280456680
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LV3
助理工程师
最新回复
  • 2022-10-3 22:07:48
  • 倒数1
 
按照
  • joezzhang给的参考资料改了一版,增加了两个稳压管,取消掉了MOS那里的两颗电阻和一个二极管,栅源极直接用一个16V的稳压管连接。另外就是这样处理,貌似也没有解决外置MOS和内置MOS的同步问题吧?
380V方案03.jpg
感谢
  • joezzhang提供的参考资料,全是英文,弄了个翻译,囫囵半片,半懂半不懂的
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