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| | xkw1cn- 积分:131263
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积分:131263 版主 | | | 不知楼主是有意写错还是想吓唬大家。。。
AC560V,折合峰值电压是791V。用600V MOSFET开关?静态耐压够吗?
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| | xkw1cn- 积分:131263
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积分:131263 版主 | | | 是有实验室串联应用。但无法批量。主要原因是两个驱动速度不一样,是靠MOSFET雪崩维持串联,无法无限制的雪崩下去。
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| | | | xkw1cn- 积分:131263
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积分:131263 版主 | | | | | 已证明的方案。
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| | | | | | | 由于内含MOSFET的额定电压是700V ,只能用于单相220VAC输入,因此再串联一个额定电压不低于600V的功率MOSFET-2N60 ,内外两只功率MOSFET耐压之和超过1300V , 便可以将560V以上的电压分配在这两个器件上 ,使该电源能安全应用于AC380V输入的高压场合。一般情况下整流滤波后的560 V 左右直流电压加在变压器的初级绕组一端 ,初级绕组的另一端接至外接MOSFET的漏极。MOS管与DK125内部的MOSFET是串接关系。当DK125内部的MOSFET 导通时 ,把芯片DK125的漏极电压拉到低电平 ,MOS管导通。稳压二极管ZD1 则限制了MOS管的栅—源电压 ,使其不致因过压而被击穿。当DK125关断时 ,稳压二极管ZD1失压 ,MOS管同时关断。
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| | | | | | | | | | | | | 下管Vgs超过门限,上管才开始给Cgs充电,这个中间有ns级时间段上管单独扛了母线电压,直到上管Vgs达到门限电压才是两管分压
而且由于两个管子达到门限电压的时间点不同,那么此时他们的RDS等效电阻也不一样,所以分压也是不均的
好在600+600远大于800,即使分压不均,此时的问题也不大,主要还是下管已经开始导通而上管Vgs还低于门限电压那一段时间问题大
这就是xkw1cn版主给你说的靠雪崩击穿维持串联状态的时间段,短时间运行或者开关机都没问题,但雪崩击穿会减寿,想要这么干就需要对雪崩能量进行精确评估,保证其满足设计寿命要求
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| | | | | | | | | | | | | | | 谢谢!希望大家还有别的意见或者相对应的解决方法都不吝赐教
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| | | | | | | | | | | | | | | 如果2N60换成4N90是否这个问题会迎刃而解呢?不过4N90要比2N60贵了好多。
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| | | | | 2N60驱动损耗太大,驱动小了又容易分压不均。特斯拉专利随便用才会有什么小鹏、小鸟、蔚来等一系列电动汽车品牌,你就是那个衬红花的绿叶啊哈。还是老老实实的用4N90+PWM芯片吧。
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| | | | | | | 听人劝吃饱饭 ,有合适的方案可以让我参考一下吗?我这几天在论坛看了几个类似的帖子,其中 https://bbs.21dianyuan.com/thread-235606-1-1.html?fromuid=437887 这个帖子里面的方案好像和我这个类似。还有一篇是别的方案,但是给的参考资料都是英文的PDF,看的我一个头两个大
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| | | | | | | | | 输入三倍压,还行吧。用QR芯片+ 4N90没多大压力的。手头还真有类似的方案,可不敢拿出来啊,渠道来源不正规。你可以在自己的图基础上修修补补,大家给你参考下。以你的能力可以轻松搞定的。
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| | | | | | | | | | | 关键我是没能力啊,这俩图我都是扒的别人的方案然后稍微改动了一下。 你说的QR芯片可以推荐几个物美价廉的型号?
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| | | | | | | 我又弄了个3842的,大家看看这个有啥要注意的地方吗?有什么可以优化的地方吗?
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| | | | | | | | | 3842启动电流太大,用启动电流小的QR绿色芯片,高端轻载时进入打嗝模式。
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| | | | | | | | | | | 不知道你说的方案,元件数量大概多少啊?我中意我最开始发出来的那个方案,主要原因就是元器件少,这样占用空间小,成本低。因为输出电源不大,设计标准是1A,事实上也就700MA最多最多了。
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| | | | | | | 有个新问题产生了。在我原来的方案基础上我测试了1A的电流,结果几秒的时间烧糊了R8电阻,这种情况应该是排除了MOS的热传导,貌似是大电流通过。R8用的是1/4W。
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| | | | | | | 按照 - joezzhang给的参考资料改了一版,增加了两个稳压管,取消掉了MOS那里的两颗电阻和一个二极管,栅源极直接用一个16V的稳压管连接。另外就是这样处理,貌似也没有解决外置MOS和内置MOS的同步问题吧?
感谢
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