请问同步MOSFET的吸收应该怎么加？-综合电源技术-世纪电源网社区

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2022-9-27 14:20:05

10问答币

一个2KW的移相全桥，副边二极管整流用MOSFET代替做同步整流，请问同步MOSFET的吸收应该怎么加？请问是用图1的还是用图2的？或者有没有更好的方式？
如果用RCD吸收，请问图3是否正确？RCD中的D应该注意什么？

图1

图2

图3

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2022-9-27 17:02:41

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			3 A15959646501 A15959646501 离线 LV6 高级工程师积分：835 \| 主题：9 \| 帖子：58 访问空间发消息积分:835 LV6 高级工程师 2022-9-27 17:22:14
			170236ta56yy3exyovcfee.png.thumb.png (34.27 KB, 下载次数: 68) 下载附件 2022-9-27 17:25 上传谢谢回复。请问上图的R1C1反过来是一样的吗？回复 \| 举报 \|

				4 nc965 nc965 在线 LV7 版主积分：93647 \| 主题：115 \| 帖子：27352 访问空间发消息积分:93647 版主 2022-9-27 17:26:14
				一样，串联电路一般不（特殊情况才需要）区分先后，详见《电路原理》回复 \| 举报 \|

					7 A15959646501 A15959646501 离线 LV6 高级工程师积分：835 \| 主题：9 \| 帖子：58 访问空间发消息积分:835 LV6 高级工程师 2022-9-28 09:23:00
					4.png (29.22 KB, 下载次数: 69) 下载附件 2022-9-28 10:23 上传请问上图中的RCD中的D的耐压和Id应该如何考虑？请问RC一般是哪个量级？请问RC是直接接回到正极，是想将吸收的能量重新利用起来吗？回复 \| 举报 \|

						8 nc965 nc965 在线 LV7 版主积分：93647 \| 主题：115 \| 帖子：27352 访问空间发消息积分:93647 版主 2022-9-28 09:56:30
						D的耐压与MOS相同，Id与漏感（尖峰）能量相关，可先降一个数量级布局并留足散热（扩充）位置 RC一般按风扇（继电器）数量级配置，功率可调，越低越接近输出电压时越大出力，等于输出电压时相当于从输出功率分一半过来（拓扑是对称的）。相同的吸收效果，相比RC接到负极，RC接到正极可以减少R至少一半吸收（发热）功率，相比RC（与RDC区别）吸收，减少的幅度接近一个数量级。利用不利用请随意，只要电压匹配，建议白用白不用典型应用：输出12V，带一只18V风扇，钳位电压30V 回复 \| 举报 \|

							9 A15959646501 A15959646501 离线 LV6 高级工程师积分：835 \| 主题：9 \| 帖子：58 访问空间发消息积分:835 LV6 高级工程师 2022-9-28 11:02:04
							谢谢回复。请问如果RC那边不接风扇也是能正常使用的吧？ “能减少一半的发热功率”，请问是不是风扇把C上的一部分能量给消耗掉呢？因为风扇已经有别的供电了，估计用不到RC供电给风扇了。 11111111.PNG (79.46 KB, 下载次数: 69) 下载附件 2022-9-28 11:00 上传上图是别人设计的RCD吸收，下面的两条线是接同步MOSFET。请问如果不接风扇，RCD中的R要用这么大的阻值吗？回复 \| 举报 \|

								10 nc965 nc965 在线 LV7 版主积分：93647 \| 主题：115 \| 帖子：27352 访问空间发消息积分:93647 版主 2022-9-28 11:06:10
								R可以自由调整，在电阻发热和电压尖峰之间纠结，直到满意为止，做不做风扇并不重要回复 \| 举报 \|

									12 A15959646501 A15959646501 离线 LV6 高级工程师积分：835 \| 主题：9 \| 帖子：58 访问空间发消息积分:835 LV6 高级工程师 2022-10-13 16:08:55
									请问RC中的C可以用CBB电容吗? 或者说C一般用哪种？(直插) 回复 \| 举报 \|

										14 nc965 nc965 在线 LV7 版主积分：93647 \| 主题：115 \| 帖子：27352 访问空间发消息积分:93647 版主 2022-10-13 18:56:24 倒数10
										可以CBB，但估计不能贴片，容量以能稳住电压为度，可大不可小，小了就是吸收，不再是钳位回复 \| 举报 \|

											17 aihaozhe aihaozhe 离线 LV8 副总工程师积分：2789 \| 主题：209 \| 帖子：603 访问空间发消息积分:2789 LV8 副总工程师 2023-3-29 11:15:55 倒数7
											版主你好！因为我这个是半桥LLC架构，工作区间在fs附近或者以下，理论上原边ZVS以及副边ZCS，考虑到这个，如果副边MOS加RC吸收的话也不想整得过于复杂，就简单一点的吸收，如你给的那个链接里面其中一个图示。请问按照这种方式这个R和C如何合理选择？什么数量级？我的原边输入电压为150VDC，谐振频率100K，副边输出为12VDC电流40A。 170236ta56yy3exyovcfee.png (25.4 KB, 下载次数: 61) 下载附件 2023-3-29 11:15 上传回复 \| 举报 \|

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2023-3-29 11:45:30
倒数6

最不利工况在空载，LLC原理可能就不管用了，阻容值要调试才知道，不过你可以事先按假负载大致留够电阻位置。
调试方法见此贴 7、9 楼：《关于吸收》五：RC吸收

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2023-3-29 11:57:29
倒数5

可不可以这样理解：1.轻载或者空载的话，SR 管子应该都没打开吧，利用其体内二极管就形成了副边回路，所以这个时候不用考虑管子DS尖峰的事情；
2.考虑中载~重载这一段，如果采用RC，C用1206封装几个并联的方式，NPO材质可行？ R就用2512-3W贴片封装。

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2023-3-29 12:33:38
倒数4

主要是LLC控制的通病，空载已经不是LLC了。输出电压飚高，峰值可能最大。
电容NPO材质可行，只讲耐压和容量，不讲封装，不发热。电阻1206，多并，按敷铜散热功率分散即可

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2023-3-29 14:19:24
倒数3

好的，感谢！
不过空载的时候因为有打嗝模式，输出电压还是受控的，只是纹波电压相对比较大而已。

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2023-3-29 18:23:31
倒数2

输出电压、纹波电压虽然略高，但二极管反压尖峰显著更严重，这不是打嗝能解决的，或者说这是打嗝引起的

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