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未解决

多MOS并联的驱动电路

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dywhys02
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LV6
高级工程师
  • 2022-10-3 23:48:04
10问答币
请问有没有多MOS并联的驱动电路方面的资料?在电池管理中,为了通过大电流(如150A),采用多MOS并联,驱动怎么设计。有啥细节要处理?做过类似研究的专家们,麻烦提供一些建议或者参考资料。谢谢
xkw1cn
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版主
  • 2022-10-4 19:04:36
 
150A;真心毛细电流。除非超过300A,出于成本收益,可以考虑。否则;没必要。
需要注意,研发是有成本的。BOM成本只是其中一部分。
埃_维_针1
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LV8
副总工程师
  • 2022-10-5 11:13:12
 
用一颗管子跑150A DC吗 ?
xkw1cn
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  • 2022-10-5 21:44:49
 
有啥问题?
埃_维_针1
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LV8
副总工程师
  • 2022-10-6 12:15:26
 
多个管子并联不是更优吗?
xkw1cn
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  • 2022-10-6 15:47:31
 
这是啥理论?拿10AIGBT15只并;会更优吗?
给你看个TO247封装,够你用的:

Infineon-AIKQ200N75CP2-DataSheet-v01_10-EN.pdf

1.3 MB, 下载次数: 61, 下载积分: 财富 -2

埃_维_针1
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LV8
副总工程师
  • 2022-10-6 19:14:59
 
15只夸张了,选合适的管子并几只。意思就是单管跑这么大电流可能选型不太好搞,并联应用有一些优势。比如电池逆变长时间跑几百安的应用。


另外,这个AIKQ200N75CP2,跑150A DC,假设驱动15V,压降约1.3V,导通损耗195W,这个功率在TO247,散热不好吧,我这边实际跑用大铝挤散热器埋热管也只是做到100多W,还要留点裕量。


图片.png
xkw1cn
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  • 2022-10-6 21:48:46
 
结壳热阻仅0.2C/W,比普通产品低的多
是否能用,取决于你的散热器热阻。
iceleec
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LV3
助理工程师
  • 2022-11-8 09:52:02
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常开,常闭的场合下,IGBT导通损耗是VCEsat*I吧?这样的话,并再多得IGBT也不能降低损耗吧?最多是分担了单个IGBT的损耗。
MOS导通损耗是I²*RDSon,并联的话,是实打实的减少了损耗吧?体积,散热器都可以减小,从这个方面讲,多个MOS并联应该属于更优的选择了吧?
xkw1cn
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最新回复
  • 2022-11-8 20:56:20
  • 倒数1
 
同样价格下;小电流是可以用MOSFET。但大电流;只能用成本降损耗了。
IGBT V-I也是正电阻特性,多并是可以降损。只是没MOSFET速度快而已。
能源消耗
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LV10
总工程师
  • 2022-10-6 11:00:11
 
电压高就用IGBT 并,  电压低可以用MOS并, 隔离图腾柱驱动即可。
BingSun
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LV10
总工程师
  • 2022-10-6 15:52:37
 

如果用IGBT,150A时发热约为3.2V x 150A = 480W,最大可能达4V x 150A = 600W.

如果用MOS管,用10棵2mRMOS并联,测发热为150A x 150A *(2mR/10 * 2) = 9W 。

电动汽车里的都是高压,可能用IGBT,也许在电动汽车里可能几百W的损耗并不算什么。低压MOS导通电阻要小得多,如30V低压可以找到0.5mR或更小内阻MOS,可用于12V逆变或储能电源中。
xkw1cn
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  • 2022-10-6 21:53:23
 
人家正常只有1.3~1.5V压降,哪来3.2V压降?还4V;哪来的?人家只等效损耗1mR。
你找个1mR 650V MOSFET试试
BingSun
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LV10
总工程师
  • 2022-10-6 23:06:27
 
如你提供参考的那个管子,从更安全的驱动应用看,驱动电压选10V,那么压降约1.8V,在BMS里需要做充放控制,所以需要双管对接,所以要X2 。

若选1.8V,那么就是3.6V,对于其它管子来说可能上到2V或更高。
xkw1cn
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  • 2022-10-7 13:00:26
 
为啥选10V驱动?IGBT以为是MOSFET呐!15V驱动都比MOSFET 10V驱动可靠的多。
BingSun
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LV10
总工程师
  • 2022-10-7 13:41:13
 
为啥选10V驱动?IGBT以为是MOSFET呐!15V驱动都比MOSFET 10V驱动可靠的多。

1111.jpg

这图也是借用版主提供的器件资料,这图是想告诉大家最佳驱动是15V?或是18V吗?
10V驱动行不行?12V驱动行不行?显然这是根据需要来设计的。
xkw1cn
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  • 2022-10-8 20:58:17
  • 倒数9
 
这是碳化硅MOSFET,你打算用于BMS?
BingSun
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总工程师
  • 2022-10-6 23:17:16
 
1mR?有见过单只10mR以内,10棵并联也是个好方法,问题是损耗降低了,但成本呢?
xkw1cn
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  • 2022-10-7 12:58:39
 
你的工资不是成本?给你配的测试工具和工作场所不是钱?不需要测量均流效果?不需要考核均流的长期蜕变?如果单月并联组数低于10k,老板就亏定了。

对于这样的电流,低压管子并不贵。低于1mR的大把。高压管子也有,“9W”就标明你是外行
BingSun
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LV10
总工程师
  • 2022-10-7 13:27:53
 
如果说9W有什么问题可以提出,虽然知道版主历害,但还请不要认为自己处处都比别人历害。

13串.jpg

大小:33 x 65mm 13串锂保,30A

4串.jpg

大小:33mm X 65mm 4串锂保,100A,用于1KW以内,带库伦计。

以上两个板比较小,电流也小些,在4-8串锂保中,200-1000A的大把的,现在12V或24V逆变很多都做到1KW以上,有的高达10KW。动不动都上几百安电流。
xkw1cn
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版主
  • 2022-10-9 20:47:18
  • 倒数6
 
前面强调千万遍,只当装睡全不见。
这种低压BMS,总功率不大。9W损耗已经不小了。
对于大功率储能,电池组达到200~1500V,随便就是10000A。谁还敢用低压拓扑
ychxzl
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LV2
本网技师
  • 2022-10-13 14:59:37
  • 倒数4
 
我就一个MOS销售,来看大佬聊天凑热闹。需要MOS可以联系一下
eleczj
  • eleczj
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高级工程师
  • 2022-10-31 09:41:59
  • 倒数3
 
哪家的硬件方案呀。。。看起来挺简洁的。。。
BingSun
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总工程师
  • 2022-10-7 13:31:01
 
在BMS里并联上百棵MOS大把的,均流效果实着是版主想多了。
vical86
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初级工程师
  • 2022-10-7 15:25:03
 
我就一个MOS销售,来看大佬聊天凑热闹。需要MOS可以联系一下
Stephon
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副总工程师
  • 2022-10-8 11:33:33
 
你好请教一下,在多管并联中不用考虑驱动不一致导致的管子开通关断引起的不均流和环流问题吗?
YTDFWANGWEI
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版主
  • 2022-10-8 15:18:19
  • 倒数10
 
他这里用在BMS里,基本可以不用考虑这个问题。余量多一点就够了。
dywhys02
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高级工程师
  • 2022-10-9 16:07:19
  • 倒数8
 
是的.BMS里面的MOS是用来控制充放电通断的。正常时,MOS开通。达到异常条件时,MOS会关闭。MOS不是像开关电源里那种频繁开通,关闭的。
Stephon
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LV8
副总工程师
  • 2022-10-9 16:42:39
  • 倒数7
 
了解了!再请教一下,如果在储能或者光伏的三电平逆变器里使用多个分立器件并联,怎么解决这个问题呢?我知道有一个方法是在驱动上、下桥做对称处理就是不止加Rg还要加Re;但是不知道这种方式的用处有多大。或者还有什么比较好的方法呢?
YTDFWANGWEI
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  • 2022-10-10 08:05:04
  • 倒数5
 
没做过这个方面的不太清楚。
nc965
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版主
  • 2022-10-7 09:41:23
 
尽量分开:驱动电路分开,驱动线分开、驱动地分开,开尔文分开,驱动芯片分开,驱动绕组分开、、、
比驱动更重要的是主拓扑尽量分开:D节点分开,续流二极管分开,电感(变压器)绕组分开,电感分开(交错)、、、
dywhys02
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LV6
高级工程师
  • 2022-10-8 10:18:23
 
版主分析的有理,在高压开关电源里是要考虑这么多。
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