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Boost电路,MOS的压降问题

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analogman1
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本网技师
  • 2022-10-20 04:51:01
10问答币
刚入门新手,MOS是IRF640, RDS是0.15Ω, MOS的导通电阻用直流电压加在VGS测过,3A的电流降0.41V,压降没有问题,但是MOS接50kHZ的50%占空比驱动信号,电源在导通的时候压降明显变高,在1.2V左右

输入是10V直流,负载是20Ω
屏幕截图_20221020_042920.png 屏幕截图_20221020_044928.png
原理图和VDS波形




理论上压降是RDS乘上DS电流,压降应该是0.15Ω*2A = 0.3V
驱动芯片是UC27517,瞬时驱动电流有4A,平均驱动电流0.3A,肯定是满足驱动MOS饱和的要求
驱动芯片供电是15V,不存在VGS电压不够的情况
很奇怪啊


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实际测量的?探头与示波器不匹配吧
zhuliu09
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副总工程师
  • 2022-10-20 11:03:56
  • 倒数4
 
寄生电感上的感应电压影响,你考虑了没?

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YTDFWANGWEI
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版主
  • 2022-10-20 15:45:49
  • 倒数3
 
实际测量的?探头与示波器不匹配吧

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wangdongchun
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专家
  • 2022-10-20 22:04:39
  • 倒数2
 
就两个原因:一个是测量方法的问题,另一个或许就是干扰的因素

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analogman1
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本网技师
最新回复
  • 2022-10-20 22:43:38
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解决了,是探头的问题
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