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反激同步整流

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1
chishihai
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LV6
高级工程师
  • 2022-11-15 00:54:30
50问答币
请教一下各位老师,反激同步整流是否可以直接用初级侧控制芯片的PWM驱动信号,经过隔离和反向后驱动副边MOS管。我现在做了一款100W的反激,用初级侧控制芯片驱动,经过数字隔离芯片隔离反向后驱动输出MOS,死区时间也调了,遇到的问题是电源工作在CCM模式时没有问题,进入DCM模式后就会震荡,空载振荡最严重,电压环路和电流环路都调整了也没有多大效果,空载损耗有10W左右。麻烦老师们帮忙分析一下,谢谢!

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DCM模式下还用互补的方式驱动的话,输出就会倒灌。一般同步整流芯片,会检测MOS两端电压,低于某个值时就要关闭驱动了。
nc965
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版主
  • 2022-11-15 05:01:27
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不用分析,DCM模式不同步
YTDFWANGWEI
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版主
  • 2022-11-15 08:10:16
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DCM也同步,就成了边充边放了吧。
st.you
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LV10
总工程师
  • 2022-11-15 15:50:08
  • 倒数3
 
DCM模式下还用互补的方式驱动的话,输出就会倒灌。一般同步整流芯片,会检测MOS两端电压,低于某个值时就要关闭驱动了。

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chishihai
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LV6
高级工程师
  • 2022-11-15 18:47:59
  • 倒数2
 
我明白了,DCM模式下,输出电感电流曲线降到0之前就应该关闭MOS了,但实际PWM信号此时不会关闭同步整流MOS,就出现了电流倒灌,很感谢nc965、YTDFWANGWEI和st.you。
bake_ql
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LV8
副总工程师
最新回复
  • 2022-11-15 20:11:26
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副边采用那种检测Vds电压波形的驱动控制SR;可以的
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