|
| | | | | | | 我上管用的是mos,用示波器观察开关节点有过冲很大呢,现在我把mos换成了igbt,过冲居然消失了,是什么原因
|
|
|
|
| | | | | | | 我用软件做了过流保护,但是发现过流要设置很大才行,说明电路里有干扰很大,因为我用仿真器调试无法运行,当输出开始后,仿真器就无法工作了
|
|
|
| | | | | | | | | 软件做过流保护?基于AD采样还是基于比较器?如果基于AD采样需要时间,有可能早已烧坏却还没采样到电流。
|
|
|
|
| | | | | | | 您好,就是负载是白炽灯,我用一个断路器打开和关闭,可能我描述的不是很专业
|
|
|
| | xkw1cn- 积分:131263
- |
- 主题:37517
- |
- 帖子:55603
积分:131263 版主 | | | 非常感谢楼主信任。
200W白炙灯和一般负载有点不一样。灯泡冷态电阻大约是额定值的1/10。也就是启动电流是正常状态下10倍。
所以;对于这类高冲击负载,建议软启动。
但是;即便如此,启动烧管是不正常的。不知你的散热器有多大?如何安装的?
|
|
|
| | | | | | | 许老师,我09年那时候接触IR2092做便携式功率放大器时,当时问的IR技术支持是您亲自解答疑惑的,当时就觉得您好牛,或许您已经记不起来了,我当时请教您关于demo上给ir2092供电的射极跟随器是什么电路时,被您严厉指责了一番,我到现在还记忆犹新 ,您这样的大师在电源网分析解答技术真的是电子工程师上辈子修来的福分
|
|
|
| | | | | | | 我没有安装散热器,只用了风扇在吹,因为我发现200瓦负载,mosfet管子温度是常温30度,根本不热,换了igbt后过冲消失,但是igbt有40度了
|
|
|
| | xkw1cn- 积分:131263
- |
- 主题:37517
- |
- 帖子:55603
积分:131263 版主 | | | 对于你的电路,参数有点不太合理。TLP250短路输出能力仅1.5A,因此;建议:
R6=100R
R9=1k
D4=1A30V肖特基
TLP250 5~8脚加贴片电容10uF25V
Q1 D~D2 A加三个贴片4700pF 1000V贴片电容
L1需要做磁计算。感量与导磁率需要匹配。
|
|
|
| | | | | | | 许老师,我是您的忠实粉丝,非常感谢您的耐心讲解,我的电路上在输入母线上已经加了CBB225电容,管子上没有加RC,续流二极管也没有加RC吸收,我昨天调试的时候,把mosfet改成了igbt(75N60)后,同时把电感从470uh变大到2mh后,发现开关节点的过冲振铃神奇消失了(管子和续流二极管都没有加RC!!!),因为昨天用结电容更小的mosfet时候,发现一个现象就是结电容小的mosfet振铃更大(SPW20N60比SPW47N60开关节点过冲更大,更容易炸机),用示波器观测居然高达200V过冲,更换igbt之后也不再出现炸机情况(igbt发热量比mosfet大!),单片机仿真器也能正常运行,现在我想换回mosfet继续调试,我现在自己总结的问题是不是mosfet相比igbt在同等的驱动器下打开速度更快,导致过冲更严重,我是不是把驱动器的电阻加大可以改善情况,下面是我拍的用igbt后的开关节点波形
再补充
请教一个问题,spw47n60和75n60t的结电容差不多,为什么用了75n60t之后过冲就没了,是不是说结电容相同的情况下,igbt打开和关闭速度都比mosfet要慢?3个管子的结电容参数我也上传,麻烦您解答一下
|
|
|
| | | | | | | | | 没有用的,你一个纯电压环的东西,根本不要想着有多少可靠性。老老实实采集电感电流,做电流内环,输出就算是带1MW的负载都不会挂!
|
|
|
| | | | | | | | | | | 您好,我现在也采集了电感电流,做双环控制也可以的,主要现在是想把硬件先搞稳定,软件相对来说容易
|
|
|
|
| | xkw1cn- 积分:131263
- |
- 主题:37517
- |
- 帖子:55603
积分:131263 版主 | | | 非常有幸。莫非挺进兄?仅直觉。。。多有得罪
想那时;谈音乐;听音色;论音质,何其乐哉。听闻有个工程师,用D类功放做了个定向喇叭,数公里外无音可言;无声可传 前线某三部队被直接疯掉
从你描述看,应该是母线寄生电感偏高。尤其CBB;常见的有CBB、CBB18、CBB21、41、43、45、48、81等几种规格,考虑到个别低成本厂家偷工减料,特性参数差异很大。由于寄生电感影响,优质聚丙烯薄膜电容转折频率是100kHz, 且由于CBB介质低正切损耗,会有极高的反射。不太适合高速开关。所以;IGBT可以,但不适合SiC MOSFET。
贴片电容专折频率高很多,不同介质和容量频谱不同。但要高于CBB好很多,一般1MHz~100MHz。X7R材质高压小容量电容高于10MHz。所以;推荐你联合聚丙烯电容做退耦,能有效降低过电压。
烧管还取决于电源与你的驱动连接。如果不当;驱动过快;会形成震荡而OVER。
这就是我们做功放时体会的,同张原理;不同板子不同音色。频率高了;甚至会超出器件承受极限。
所以;建议用高栅电阻调试,逐步减低阻值至你所期望。
|
|
|
| | | | | | | 非常感谢许老师的耐心讲解,我仅仅是一个您的忠实粉丝,当年做2092的时候,受益良多,再次感谢您!!!祝您身体健康,工作顺心。
|
|
|
| | | | xkw1cn- 积分:131263
- |
- 主题:37517
- |
- 帖子:55603
积分:131263 版主 | | | | | |
|
|
| | | | | | | 且由于CBB介质低正切损耗,会有极高的反射。
---请教:极高的反射是什么意思?谢谢
|
|
|
| | | | xkw1cn- 积分:131263
- |
- 主题:37517
- |
- 帖子:55603
积分:131263 版主 | | | | | |
|
|
|