 |  | | | | 桥式拓扑,半桥全桥均可,副边二者均可,只是效率(散热工)的不同
|
|
|
|  |  | | | | | 副边用二极管有什么常用低压大电流型号?一时还不好找。
大电流MOS倒是一大堆,但是不知道选什么样的同步整流控制器
|
|
|
| |  |  | | | | | | 200A,副边、电感、出线都是铜排,最低耐压SMC封装肖特基、密集排列、直接焊上去就行了
|
|
|
|
|
| | | |  |  | | | | | | | | 我也想试试,只是之前没有接触过同步整流。MOS管倒是好选型,但是整流驱动就不知道用什么芯片合适了,有推荐的吗
|
|
|
|
| | |  |  | | | | | | | 请教一下版主,二极管是负温度系数,并联数量太多个体差异比较大会不会应力不均衡
|
|
|
| | | |  |  | | | | | | | | 铜排不仅汇流,也是散热器,热均衡器,更何况二极管封装也可能不是二极管,而是肖特基,或者集成了同步整流的MOSfet
|
|
|
| | | |  |  | xkw1cn- 积分:127917
- |
- 主题:37517
- |
- 帖子:55125
积分:127917 版主 | | | | | | | |
|
|
 |  | xkw1cn- 积分:127917
- |
- 主题:37517
- |
- 帖子:55125
积分:127917 版主 | | | 1)建议PWM 频率最好不要很高2)推荐同步整流 这可以将二次发热减少70%左右,散热会简单不少。
|
|
|
|  |  | | | | | 你好。频率具体不要超过多少?目前打算移相全桥。还有就是同步整流控制芯片有没有推荐的?
|
|
|
| |  |  | xkw1cn- 积分:127917
- |
- 主题:37517
- |
- 帖子:55125
积分:127917 版主 | | | | | 20kHz即可。移相全桥价值不大。
同步整流有很多方法,建议看看IR11682S。
同步整流MOSFET,可以看看IPF014N08NF2S;两并。
|
|
|
| | |  |  | | | | | | | 请问移相全桥价值不大是不合适的意思吗?那用什么拓扑合适?
另外我看了一下11682,驱动电流+1,-4A。能否同时驱动2个以上的MOS?
然后看到它写的是LLC,是否能用在全桥?
|
|
|
| | | |  |  | xkw1cn- 积分:127917
- |
- 主题:37517
- |
- 帖子:55125
积分:127917 版主 | | | | | | | 可以的。
因你的二次电流较大,集肤效应限制下,不适合高频架构。所以;建议较低频率PWM。
由于同步整流是慢开快关控制逻辑,1、4A是够的。
|
|
|
| | | | |  |  | | | | | | | | | 嗯,透彻了很多。还有个问题想请教,就是如果我用移相全桥控制方式但是并不去加入谐振电感,或者是说不去考虑ZVS,这样的话是不是跟普通硬开关就没有多大区别了?
|
|
|
| | | | | |  |  | xkw1cn- 积分:127917
- |
- 主题:37517
- |
- 帖子:55125
积分:127917 版主 | | | | | | | | | 是的;差异不大。因一次环流,移相全桥拓扑变压器绕组电流有效值略大。
|
|
|
| | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | 感谢。在这个功率等级,如果只考虑发热问题,是不是用好一些低阻的MOS比单管IGBT要好一些,还是区别不大?
|
|
|
| | | | | | | |  |  | xkw1cn- 积分:127917
- |
- 主题:37517
- |
- 帖子:55125
积分:127917 版主 | | | | | | | | | | | 这个功率,可用的高速IGBT只有英飞凌等头部企业有。而MOSFET;国内已经做的不错。
所以;从供货方面,推荐用MOSFET。
|
|
|
| | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | 多谢,目前我也是打算MOS。还有一个问题,就是关于变压器次级匝数只有1匝,如果说我用多层铜箔,宽度正好与窗口高度相当,这样的话会不会耦合好一些,从而做到次级只有一匝也行?
或者说用磁环的1匝话会不会好很多?没经验别嫌弃
|
|
|
| | | | | | | | | |  |  | xkw1cn- 积分:127917
- |
- 主题:37517
- |
- 帖子:55125
积分:127917 版主 | | | | | | | | | | | | | 整匝设计是不错的想法。可以用你的方法试试。注意工艺结构。
|
|
|
| | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | 工艺结构自然会注意的。其实我想问的是,想知道次级只有1匝宽铜箔和1匝线有没有很大区别。因为这个对比测试很不方便,所以我想提前取取经
|
|
|
| | | | | | | | | | | |  |  | xkw1cn- 积分:127917
- |
- 主题:37517
- |
- 帖子:55125
积分:127917 版主 | | | | | | | | | | | | | | | 线绕效率好些,铜箔漏感比较低。各有特点。
线绕也是多根并联的。
|
|
|
|
| | |  |  | | | | | | | 因为我没有用过LLC,所以有一个疑问,为什么几乎我看到所有的同步整流控制器都是写的应用在LLC上面?是因为用同步整流会进一步提高效率亦或者是说不同步整流不适用于其它拓扑?
|
|
|
| | | |  |  | xkw1cn- 积分:127917
- |
- 主题:37517
- |
- 帖子:55125
积分:127917 版主 | | | | | | | 11682是两个**同步整流控制,适合两个同步整流拓扑。不限LLC。 |
|
|
| | | |  |  | | | | | | | | 同步整流在很多TOP中都可以使用,准确讲是同步整流是单独的一个TOP结构,可以配套正激,反激,移相,全桥,半桥,LLC
因为LLC效率高,市场应用也比较广泛,成本相对也比较有优势,所以LLC才和同步整流一起多次出现,所以一提到LLC大家就想到同步整流
其实LLC最初的设想是次级侧使用肖特基,所以很多LLC电路应用次级侧都是画了肖特基整流,但是因为LLC全变频大部分原厂国内都没有技术支持,
所以都定几个频率,做成定频的LLC,这样次级侧的可以使用同步整流,做起来效率,发热,体积都能达到很和谐的部分,
比如联想135W,170W,230W,300W的都是使用LLC+同步整流 定频的应用,300W的笔记本充电器体积能做到携带
这样设计阉割了LLC的优势,但是成本和体积能够满足要求,就是好电源,当然如果做成全变频的LLC效率更高,但是原厂也没有技术支持了
|
|
|
|
| | | | | |  |  | | | | | | | | | | 你这个功率2kW,(估计也是可调至)CC200A的电源,不适合采用LLC拓扑。LLC只适合调节范围不是太宽的CV输出电源。另说一句,楼上提到的固定频率LLC,那不就是非可调CV了吗? 此情况下的同步整流,就不追随LLC的频率吗?不同步的话,不好吧?
|
|
|
| | | | | | |  |  | xkw1cn- 积分:127917
- |
- 主题:37517
- |
- 帖子:55125
积分:127917 版主 | | | | | | | | | | LLC不是不适合,是费效比问题。
高性能要求;没问题的。
|
|
|
| | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | 太宽范围的电压输出,LLC拓扑的工作频率,那得多宽,大功率电源这样做好么?
|
|
|
 |  | | | | 这个功率等级,选桥式拓扑吧,后级可以同步整流,另外也可以考虑ISOP结构
|
|
|
|
|
| |  |  | | | | | | 也还好吧,硬的ISOP好弄,移相没搞过,你可以自己研究评估一下
|
|
|
 |  | | | | 目前看伟创力的DC-DC产品,1540W的1/4砖产品用的全桥硬开关,可以参考下 |
|
|
|  |  | | | | | 多谢,如果有相关文档资料可以贴出来,大家有需要的可以直接下载参考。
|
|
|
 |  | | | | 1. 第一个需要确认是否有风扇散热,如果没有风扇散热,200A的电流,基本需要用肖特基来做次级侧,如果有风扇就MOS同步整流吧,这样成本低,体积也小不少
2. 输出10V的同步整流,有风扇
那就是散热和MOS的选择了,MOS选择主要还是看设计吧,LLC全变频不建议搞,那太难了,估计国内原厂也没人能搞这个技术支持
3. 输出10V的异步整流,无风扇或者有风扇
LLC设计全变频,那就看你怎么设计AC部分,DC部分就是散热了,那就看你散热设计和肖特基的选择
墨濎半导体,专业提供超大电流的肖特二极管产品,主要用于AC-DC/DC-DC,比如LLC 全变频的电源,输出>30V的电源
微信:15921674986
|
|
|
|
 |  | | | | 交错正激软开关,后面用倍流电路+同步。同步电路单独供电(稳定点)
|
|
|
|
|  |  | | | | | 交错正激方案不错,就是控制复杂一些。倍流是啥意思?
|
|
|
|
| | |  |  | | | | | | | 你好,如果我用全桥,一个变压器加倍流,目前打算用两只MOS管并联,也就是共4只MOS。请问这个MOS选多大合适?散热空间不是很大,怎么做最合适,不考虑成本
|
|
|
|  |  | | | | | 交错是相位差180,然后调节脉宽吗?然后是如何实现软开关的?
|
|
|