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| | | | | | | 李版,不太理解这个意思不应该是驱动电压的大小影响可以导通的ID电流大小吗?
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| | | | | | | | | 反了,电流太大需要更高的驱动电压支撑,比如这颗料瞬间过50A
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| | | | | | | | | | | | | | | 明白了,对于JFET串联MOSFET设计的高压SICmos这种管子您了解的多吗?我听同事说这种管子开关速度不可控会出现震荡。
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| | xkw1cn- 积分:131400
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积分:131400 版主 | | | 缺点:RDSON大了
优点:抗短路能力强了,可靠性高了不少
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| | | | | | | 明白了,对于RDSON比较大这是对温升造成影响,对于在12V驱动起机时出现这种驱动和应力波形的SIC是不是存在一些问题呢?
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| | | | xkw1cn- 积分:131400
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积分:131400 版主 | | | | | SiC MOSFET Vth偏低了;相对开通有点快。
PCB寄生电感有点大,退耦需要处理下。
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| | | | | | | | | | | 许版,原厂是说可能跟Vp电压比较高有关,和驱动电压在12V关系大吗?不太理解为什么Vth偏低会出现驱动电压正常但是管子会突然关掉这种现象,还有一个就是开通速度快有关系,看波形管子已经开通了几uS按理来说应该稳定了才是,请斑竹解惑谢谢 !
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| | | | | | xkw1cn- 积分:131400
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| | | | | | | | | | | | | | | 您意思是Vth太低导致管子在饱和和非饱和状态且米勒出现震荡引起管子震荡关断吗?
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| | | | | | | | xkw1cn- 积分:131400
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| | | | | | | | xkw1cn- 积分:131400
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 明白了!!版主USCI的SIC用的是JFET+MOSFET结构,这个结构现在是不是被主流厂商淘汰了,是因为开关速度不可控这样吗。
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| | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131400
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积分:131400 版主 最新回复 | | | | | | | | | | | 速度是其次,关键是正耦合架构;导致系统极易自激而超安全曲线范围。
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