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未解决

碳化硅MOS驱动电压问题

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Stephon
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  • 2023-1-30 11:11:56
10问答币
各位新年好!
       想请教一个问题对于高压SIC管子,使用13V驱动电压会出现什么问题吗?希望有经验的大佬讲一讲。看规格书中描述的是在导通的前期损耗比较高,但是不知道会不会出现其他问题。如果对于夹断电压比较高的MOS又会出现什么问题呢?请各位不吝赐教谢谢!
收藏收藏1
nc965
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  • 2023-1-30 11:37:31
 
主要是电流影响驱动电压
Stephon
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LV8
副总工程师
  • 2023-1-30 12:14:24
 
李版,不太理解这个意思不应该是驱动电压的大小影响可以导通的ID电流大小吗?

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nc965
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  • 2023-1-31 09:36:29
 
反了,电流太大需要更高的驱动电压支撑,比如这颗料瞬间过50A
Stephon
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LV8
副总工程师
  • 2023-1-31 10:51:53
 
懂您意思了,如果空载起机呢?
nc965
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版主
  • 2023-1-31 11:59:58
 
只与电流有关
Stephon
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LV8
副总工程师
  • 2023-1-31 16:55:59
 
明白了,对于JFET串联MOSFET设计的高压SICmos这种管子您了解的多吗?我听同事说这种管子开关速度不可控会出现震荡。
xkw1cn
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  • 2023-1-31 21:31:51
  • 倒数10
 
缺点:RDSON大了
优点:抗短路能力强了,可靠性高了不少
Stephon
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LV8
副总工程师
  • 2023-2-1 08:59:47
  • 倒数9
 
明白了,对于RDSON比较大这是对温升造成影响,对于在12V驱动起机时出现这种驱动和应力波形的SIC是不是存在一些问题呢?

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xkw1cn
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  • 2023-2-1 20:31:08
  • 倒数8
 
SiC MOSFET Vth偏低了;相对开通有点快。
PCB寄生电感有点大,退耦需要处理下。
Stephon
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LV8
副总工程师
  • 2023-2-2 09:49:48
  • 倒数7
 
许版,原厂是说可能跟Vp电压比较高有关,和驱动电压在12V关系大吗?不太理解为什么Vth偏低会出现驱动电压正常但是管子会突然关掉这种现象,还有一个就是开通速度快有关系,看波形管子已经开通了几uS按理来说应该稳定了才是,请斑竹解惑谢谢!
xkw1cn
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  • 2023-2-2 20:41:13
  • 倒数6
 
Vth是通过米勒耦合作用的。
Stephon
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LV8
副总工程师
  • 2023-2-3 11:13:38
  • 倒数5
 
您意思是Vth太低导致管子在饱和和非饱和状态且米勒出现震荡引起管子震荡关断吗?
xkw1cn
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  • 2023-2-3 21:08:01
  • 倒数4
 
是的,阻抗失配就是这现象。
xkw1cn
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  • 2023-2-3 21:09:03
  • 倒数3
 
尤其需要注意高温Vth。它可能导致热崩溃。
Stephon
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LV8
副总工程师
  • 2023-2-6 14:26:57
  • 倒数2
 
明白了!!版主USCI的SIC用的是JFET+MOSFET结构,这个结构现在是不是被主流厂商淘汰了,是因为开关速度不可控这样吗。
xkw1cn
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最新回复
  • 2023-2-6 21:31:02
  • 倒数1
 
速度是其次,关键是正耦合架构;导致系统极易自激而超安全曲线范围。
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