 |  | | | | 目前的问题是按照公式计算漏感损耗和实际测试RCD电阻两端的功耗差别较大，求各位大神解疑答惑
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| | | | | 反激的RCD钳位，很好计算：
钳位电压就是：电容上的电压=反射电压+尖峰电压：Vc=Vr+Vp
其中尖峰电压可以估算： Vp=20*漏感百分比%*（最高输入电压+反射电压）
由此核定MOS耐压：MOS耐压不小于 钳位(电容上的)电压+最高输入电压：Vds ≥ Vin_max+Vc
钳位（电阻上的）功率 = 漏感功率(漏感百分比*总功率) - 钳位二极管功率（漏感功率的90%~40%----视反向恢复的长短）+ 假负载功率
P钳位 = P漏感 - P二极管 + P假负载
欧姆定理，钳位电阻 R = V/I = Vc2/P钳位
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|  | | | | | | 感谢版主，还有两个疑问:1、这个假负载功率指的是哪儿？输出的假负载嘛？ 2、那么如果选用反向恢复时间超级快的二极管（理论假设无反向恢复时间），那么理论上是否漏感损耗都要被RCD的R给消耗掉呢？
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| | | | | | | | | 1、（由于电路完全相同，都是绕组同名端经D整流C//R滤波输出结构）这个假负载与位于输出的假负载等效，除了原来设置假负载的目的都能达成以外，还有可以进一步降低尖峰电压的好处。
2、原理是这样，但目前还没有对应的器件（SMA的碳化硅二极管）
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| | | | | | | | | | | 感谢版主，按照这样来说大部分损耗应该都被RCD的D给消耗了，那么这个D二极管封装一般都要取大点（按照5W漏感损耗，50%部分消耗在这个二极管上来计算，这个二极管耗散功率为2.5W，感觉也很难找到这种二极管啊）。我目前看到的RCD这块的二极管好像最大也就SMA封装，请问漏感是否还有很大一部分损耗在原边主开关管或者磁芯上了呢？
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| | | | | | | | | | | | | 一般产品漏感在1%左右（甚至更低）才正常，你估计的5W远远偏离正常值，用它推理出的任何结论都是离谱的。
二极管只是提供一个反向恢复电流通道，这个电流回路上的所有元件都会因此发热（损耗功率），不仅仅是钳位二极管。
一般趋向尽量使用反向恢复特性较好的二极管，目的是尽量降低（这个脉冲电流回路的）噪音（而不是损耗）。 |
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| | | | | 你这个5W功率，直接按照100W*5%，从这个公式得来的？有这么简单？这个公式就是正确的。从公式中，可以看出这个损耗的功率和你漏感，开关频率，峰值电流，反射电压都有关系；你R取大点，这个Pr就会小点。假如你漏感接近于0，那你R可以无穷大，都不需要RCD电路。也不是说一定要全部吸收掉，最大输入电压下，mos耐压和肖特基耐压有余量就行。像100W电源，这个R有1W的功率就够了。
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| | | | | | | 我是按照工作在断续模式来计算的，断续模式下1/2*Ipk²*Fsw*Lm=Pout，Lm为励磁电感，假如漏感系数为5%，那么漏感损耗不就是100*0.05=5W嘛。这个损耗一般都是说的全部损耗在RCD部分，如果这样算，感觉这个损耗RCD扛不住，会发热巨大。想问下这个漏感损耗主要都去哪了呢？
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| | | | | | | | | 这个漏感产生的功率，不是全部在RCD吸收掉，会让变压器发热（漏感和分布电容LC震荡发热），MOS管发热（震荡Vds升高）。RCD一般只是吸收细细的尖峰，设计中，有余量即可。先控制漏感，一般功率大点的变压器，漏感也没那么大。
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|  | | | | 1、泄放电阻推荐电压波形数据按照U^2/R；漏感的损耗大部分是通过二极管D反向恢复时间内，反向回流，正激到了副边，部分消化在钳位二极管D。
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