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未解决

第一次做同步整流问题汇总诚意请教!

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aihaozhe
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  • 2023-4-27 17:44:11
10问答币
半桥LLC+副边SR,谐振频率100K期待输出12V/50A,SR芯片为NXP的TEA1995T,SR两个管子并联,现在带载到了10A,但是发现了两个毕竟奇怪的现象,求助一下各位做过这方面的朋友:
1.输出已经带载到10A,发现SR芯片出来的驱动(红色圈圈PWMA和PWMB)都是一个半波内断续的脉冲开通MOS,感觉到整个半波导通过程都是靠MOS的体内二极管开通+断续的MOS开通,请问是什么原因导致这个驱动断续?
2.10A输出的时候测试了上面并联两管的D极对下面两管的D极电压波形,发现电压尖峰比较厉害,峰值达到了60V,用的是100V耐压MOS,请问这种情况是否有必要在两个D极之间加入RC吸收来抑制这个电压尖峰?

感谢大家的指点!

1.电路基本原理图:
电路原理图.jpg


2.SR驱动波形:
SR 驱动.jpg


3.上下管D极电压尖峰:
微信图片_20230427171442.jpg


aihaozhe
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LV8
副总工程师
  • 2023-4-28 08:55:32
 
请各位指教!谢谢
aihaozhe
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LV8
副总工程师
  • 2023-4-28 12:00:49
 
如图,蓝色为5A负载下管子Vds电压波形,黄色为驱动波形。
1.通过更改R6g,R2h这两个检测管子开通压降的电阻,改为100R~51R,发现这个SR驱动PWM可以在较轻负载5A左右开通了大部分呈现一定的方波状,但是在驱动上升沿和下降沿,还是有很大的驱动震荡,在关断时刻给管子Vds带来很大的反向恢复电压振铃。
2.后来屏蔽掉这个SR驱动,直接利用其体内二极管整流,同样的负载条件下体内二极管反向恢复电压振铃基本没有。


11111.png

口乃心之门户
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总工程师
  • 2023-4-28 20:36:03
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SR MOSFET的导通电阻是多大的?
aihaozhe
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LV8
副总工程师
  • 2023-5-5 08:59:03
  • 倒数8
 
10mΩ的两个管子并联
口乃心之门户
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总工程师
  • 2023-5-5 19:35:47
  • 倒数6
 
前几天没看你的电路,刚刚看了一下电路,TEA1995T后面还跟了一级驱动,这个可能就容易出问题了!看下图,TEA1995T的驱动是根据侦测到的流过MOSFET的Rdson的电流来调整输出驱动的电压(且5mohm对TEA1995T来说略显偏小),当电流比较小的时候,驱动电压会下降,一直下降到MOSFET的导通电压到某个值,这个有可能会到驱动IC的门坎电压,会导致驱动IC的输出驱动变成第电平,然后MOSFET的二极管导通,压降又变大,TEA1955T又开通,不停重复这个开关的过程,所以就出现在驱动信号的开始和结束的位置出现不停开关的现象。所以用TEA1995T后面最好不要再跟驱动IC

TEA1995.jpg

st.you
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总工程师
  • 2023-5-7 08:55:40
  • 倒数5
 
很有道理,这类芯片,有个线性工作区。
aihaozhe
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LV8
副总工程师
  • 2023-5-7 09:28:02
  • 倒数4
 
你好!感谢热心指点!如果没有后级这个驱动IC,单单用TEA1995,我看了其手册的峰值驱动电流为1A,不知道够不够推开这两个MOS?
口乃心之门户
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总工程师
  • 2023-5-7 10:14:14
  • 倒数3
 
板子都有了,试试不就知道了,看看驱动,看看热
st.you
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LV10
总工程师
  • 2023-5-5 08:54:56
  • 倒数9
 
考虑是不是layout出问题了,同步整流芯片的地,要直接接到同步整流MOS的S脚,中间不能有别的大电流流过。
aihaozhe
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LV8
副总工程师
  • 2023-5-5 09:07:17
  • 倒数7
 
是的,SR控制芯片的地,接到了其中一个MOS的极。变压器抽头为正极通过一个架起来的铜片引出到后端电容,铜片下方就是同步整流芯片和驱动芯片控制部分。布局的时候这两侧的管子以及驱动对称性还有有考虑的。
微信图片_20230505090432.jpg




blackking
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  • 2023-7-20 17:20:36
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学习
qq379150392
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我也准备用这个方案做 学习下
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