 |  | | | | 打嗝的波形图:
黄色为高压母线电压,蓝色为三极管vbe
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 |  | xkw1cn- 积分:128387
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积分:128387 版主 | | | 由于三极管有截止区、线性区、饱和区三工作区。你的电路必然在线性区工作。
由于三极管高比例增益和无积分补偿,电路因此必然工作于自激震荡状态。所以;要么做窗口比较器,避开线性区,要么降低系统比例增益至18以下;实现系统稳定。否则;就是你观察到的现象。
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| |  |  | xkw1cn- 积分:128387
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积分:128387 版主 | | | | | 哦。。。 
射极加电阻;就能降低比例增益。。。需要注意饱和压降。
用NPN+PNP三极管复合,能实现斯密特自持。
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| | |  |  | | | | | | | 加多大电阻? 如何计算?
还有我如何换个MOS管,会不会不会震荡呢?
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| | |  |  | | | | | | | 换个MOS可以了,但出现了个新的问题,换成MOS后有很小的一段打嗝区,在这段打嗝区,我的功率MOS应力超了,900V的MOS,应力达到了1050
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| | | |  |  | xkw1cn- 积分:128387
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积分:128387 版主 最新回复 | | | | | | | “超”没啥问题,击穿能量不超可重复雪崩耐量,就是安全的。
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|  |  | | | | | 用一个三极管不可能做到,0.6V开启电压,你纹波电压都不止了,所以会一直跳了 |
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|  |  | | | | | 换个MOS可以了,但出现了个新的问题,换成MOS后有很小的一段打嗝区,在这段打嗝区,我的功率MOS应力超了,900V的MOS,应力达到了1050
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 |  | | | | 建议:
先测FB的波形,看看电压是否真的维持在1.25V以下,排除IC问题。
你希望能在某个电压下起作用,而三极管的be开启电压误差较大,
建议在b极串一个稳压管,减少误差。
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 |  | | | | 看了一下坛友的线路图,有几个建议供你参考:首先是电容是不是多余;其次为了后级电路安全是否考虑一下钳位二极管。
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 |  | | | | 逻辑上矛盾了,欠压动作-母线电压升高 ... 考虑加个回差。 |
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|  |  | | | | | 母线电压升高,vbe应该会更高,然后应该更保护才对呀?
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