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请问该输入电压保护电路为什么不能关死?

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反激励开关电源
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LV6
高级工程师
  • 2023-5-2 22:38:54
50问答币
如图:
反激电源

希望母线电压超过一定值,导通三极管be,从而把FB电压拉低,根据IC特性,当FB低于1.25V时,无PWM输出。
但实际调试中,发现这种保护不能完全关死IC,有打嗝的现象。

请问下各位大佬,为什么会这样?

蓝色为vbe电压

蓝色为vbe电压

拉低FB过压保护电路

拉低FB过压保护电路

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换个mos管试试
反激励开关电源
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LV6
高级工程师
  • 2023-5-2 22:43:08
 
打嗝的波形图:
黄色为高压母线电压,蓝色为三极管vbe
333.jpg
xkw1cn
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版主
  • 2023-5-3 00:00:20
 
由于三极管有截止区、线性区、饱和区三工作区。你的电路必然在线性区工作。
由于三极管高比例增益和无积分补偿,电路因此必然工作于自激震荡状态。所以;要么做窗口比较器,避开线性区,要么降低系统比例增益至18以下;实现系统稳定。否则;就是你观察到的现象。
反激励开关电源
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LV6
高级工程师
  • 2023-5-3 08:35:59
 
嗯嗯,请问如何降低增益呢?
反激励开关电源
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LV6
高级工程师
  • 2023-5-3 08:58:54
 
模电基础一般,请大佬详解
xkw1cn
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版主
  • 2023-5-3 21:22:10
 
哦。。。
射极加电阻;就能降低比例增益。。。需要注意饱和压降。
用NPN+PNP三极管复合,能实现斯密特自持。
反激励开关电源
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LV6
高级工程师
  • 2023-5-18 17:04:58
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加多大电阻? 如何计算?
还有我如何换个MOS管,会不会不会震荡呢?
反激励开关电源
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LV6
高级工程师
  • 2023-5-22 09:19:39
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换个MOS可以了,但出现了个新的问题,换成MOS后有很小的一段打嗝区,在这段打嗝区,我的功率MOS应力超了,900V的MOS,应力达到了1050
xkw1cn
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版主
  • 2023-5-22 22:15:46
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“超”没啥问题,击穿能量不超可重复雪崩耐量,就是安全的。
afenda
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助理工程师
  • 2023-5-3 00:13:30
 
换个mos管试试
afenda
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助理工程师
  • 2023-5-20 10:15:00
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用一个三极管不可能做到,0.6V开启电压,你纹波电压都不止了,所以会一直跳了
反激励开关电源
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高级工程师
  • 2023-5-22 09:17:08
  • 倒数6
 
换个MOS确实可以了
反激励开关电源
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高级工程师
  • 2023-5-22 09:20:29
  • 倒数4
 
换个MOS可以了,但出现了个新的问题,换成MOS后有很小的一段打嗝区,在这段打嗝区,我的功率MOS应力超了,900V的MOS,应力达到了1050
太炭黑
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LV6
高级工程师
  • 2023-5-5 08:51:39
 
建议:
先测FB的波形,看看电压是否真的维持在1.25V以下,排除IC问题。
你希望能在某个电压下起作用,而三极管的be开启电压误差较大,
建议在b极串一个稳压管,减少误差。

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wangdongchun
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  • 2023-5-5 22:25:53
 
看了一下坛友的线路图,有几个建议供你参考:首先是电容是不是多余;其次为了后级电路安全是否考虑一下钳位二极管。

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st.you
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  • 2023-5-19 08:42:34
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逻辑上矛盾了,欠压动作-母线电压升高 ...     考虑加个回差。
反激励开关电源
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  • 2023-5-19 14:02:51
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母线电压升高,vbe应该会更高,然后应该更保护才对呀?
nc965
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不用关,更不用关死
lnyanghe
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  • 2023-6-6 17:08:40
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这个是因为你关掉输出后电源芯片又重新走上电流程了,你要过呀保护应该去用三极管拉死电源芯片的供电。
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