返回顶部

SiC MOSFETS的特性及其抗串扰驱动电路

[复制链接]

查看: 510 |回复: 2

1

yinwuqing

yinwuqing
离线
LV10
总工程师

积分：14280
|
主题：315
|
帖子：802

积分:14280

LV10

总工程师

2023-7-31 20:06:13

SiC MOSFETS的特性及其抗串扰驱动电路

SiC MOSFETS的特性及其抗串扰驱动电路.pdf (4.15 MB, 下载次数: 35)

		2 nc965 nc965 在线 LV7 版主积分：89531 \| 主题：114 \| 帖子：26344 访问空间发消息积分:89531 版主 2023-8-5 09:18:34 倒数2
		串扰不用抗，抗弥勒吧，高几个数量级回复 \| 举报 \|

			3 iceleec iceleec 离线 LV6 高级工程师积分：742 \| 主题：6 \| 帖子：42 访问空间发消息积分:742 LV6 高级工程师最新回复 2023-10-30 10:21:30 倒数1
			碳化硅的优势就在于速度快，频率高，效率高。为了解决串扰，再去降低速度，那还用碳化硅干啥？回复 \| 举报 \|

热门技术、经典电源设计资源推荐

世纪电源网总部

地址：天津市南开区黄河道大通大厦8层

电话：400-022-5587

传真：(022)27690960

邮编：300110

E-mail：21dy#21dianyuan.com(#换成@)

世纪电源网分部

广东：(0755)82437996 /(138 2356 2357)

北京：(010)69525295 /(15901552591)

上海：(021)24200688 /(13585599008)

香港：HK(852)92121212

China(86)15220029145

网站简介 | 网站帮助 | 意见反馈 | 联系我们 | 广告服务 | 法律声明 | 友情链接 | 清除Cookie | 小黑屋 | 不良信息举报 | 网站举报

Copyright 2008-2023 21dianyuan.com All Rights Reserved 备案许可证号为：津ICP备10002348号-2 津公网安备 12010402000296号