 |  | xkw1cn- 积分:130303
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|  |  | | | | | 能量守恒怎么理解?伏秒能看出匝比变大占空比变大,然后怎么个逻辑
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| |  |  | xkw1cn- 积分:130303
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积分:130303 版主 | | | | | 非常感谢Greendot老师指导。
确是伏秒平衡。
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 |  | xkw1cn- 积分:130303
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积分:130303 版主 | | | 加大匝比;同样输入输出来说;因一次反压降低,MOSFET开关工作电压下降;损耗降低。
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| |  |  | xkw1cn- 积分:130303
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积分:130303 版主 | | | | | QR啥时候加入讨论了?
你的叙述;反应到变压器计算;就是这个结果。
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 |  | | | | 您这个是初级增多匝数,气息没变,感量大了?电流是峰值,有效值?
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 |  | | | | 初级MOS的温度高,估计是损耗大,一般也就是开关损耗或者导通损耗大,增加匝比,会增加输出电压反射到原边的电压幅值,如果是硬开关,会进一步增加开关损耗的。这样分析,增加匝比应该是为了降低导通损耗。 增加匝比,增加原边电感量(推测应该要这样),输出电压保持不变,那会增加原边MOS导通的占空比,假定是峰值电流控制(推测是这样),那原边绕组的电流RMS会下降,导通损耗会降低,副边导通时间的占空比减小,电流RMS值增加。
给定的条件太少了,一堆的假定条件来分析,挺难受。
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|  |  | | | | | 请教个问题。增加原边MOS导通的占空比,一般是峰值电流控制的,初级的输入电压又不变,那原边绕组的电流RMS应该会上升才对啊
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| | |  |  | | | | | | | 我想通了,其实初级的电流是否会增加还是减小,是看次级能量是否增加。反激的变压器其实是安匝比守恒。当匝比升高,次级能量就是增加了,所以初级要降低电流,因为激励电压没变,所以这样才能为此次级电压的稳定。
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|  |  | | | | | 原副边电流大小与原副边导通占空比是密切相关的,平均电流不变,导通时间一变,峰值有效值全变了。 |
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 |  | | | | 如果比较两侧电流有效值,有
可见匝比增大,此降彼升。
Iprms 的绝对值:
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