 |  | | | | EMC确实是个麻烦的问题,没有固定的规律,经验还是占很大一部分
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 |  | | | | 这种ACDC拖几路DCDC的是不是比起来直接,ACDC直接输出那种EMC容易一些,VDS电压基本不变 |
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 |  | YTDFWANGWEI- 积分:111075
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积分:111075 版主 | | | 没有原理图及PCB板啊,更换位置的RC电阻电容是哪个?
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| | |  |  | | | | | | | 一直没搞明白现在的实验室的外壳温度是怎么搞的,新国标说不能超过77度,认识的一家实验室说最少满载2小时不超才行,我们做的温度一直不行,在市面上买了一些有过3C认证的拿回来测试发现也超了,那么他们是怎么拿到认证呢,希望指点一二 |
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 |  | | | | 项目一的辐射整改总结:
1..功率环路尽可能的小,输入靠近上管预留贴片电容到地,缩短上管功率回路;
2..Buck电感右端预留贴片电容到地,缩短下管功率回路;
3..吸收回路靠近下管的地,缩短RC吸收回路;
4..PCB画板的时候,可在C1串一个电阻,预留位置方便整改辐射;
5..板子上有两种DC-DC芯片,且开关频率不一致时,注意地的共模电流处理;
6..输入输出加共模或串磁珠是下下策,增加成本的方法尽量少用;
7..SW动点尽量不要放到板边,最好用地包围;
8..下管MOS增加RC吸收,比在上管MOS加吸收更有效果;
9..辐射余量是在画板布局的每一个细节中一个dB一个dB累积抠出来的(控制芯片内部设计布局除外);
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|  |  | YTDFWANGWEI- 积分:111075
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积分:111075 版主 | | | | 这样更换位置,我以为是R跟C对调了一下位置呢,这个跟李工说的最小环路原理应该是一样的,不仅吸收,布局也是。
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|  |  | | | | | 之前做过一个12-24V输入的车充把vcc脚上电容直接顶在芯片脚上辐射瞬间小了5DB
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|  |  | | | | | 5..板子上有两种DC-DC芯片,且开关频率不一致时,注意地的共模电流处理;
这里有怎么样的对策来处理?
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| |  |  | | | | | | RCD是动点,靠近AC直接耦合过去了,移远一点辐射至少下来3个DB,画板不努力,调机徒伤悲 |
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| | | |  |  | | | | | | | | BJT Q1 的 BE 耐压不够,在开机过程中右边先起来 VCC 会击穿 BE,变成没有把左边的电解电容完全隔离开;会影响一些东西,不过击穿倒不一定会损坏 Q1.
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| | | | | |  |  | | | | | | | | | | 没有啊,这是高压启动IC的时候,是从右到左的,影响电解电容根本不会到D1。
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23楼说的对,三极管的VEB耐压也就只有6V,当VCC启动充电到24V时,24-18V=6V,还没算上稳压管的误差值,在低温开机的时候有损坏三极管风险
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| | | |  |  | | | | | | | | 想请教一下这个VCC整流二极管不推荐用慢管对同步具体是什么影响呢
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| | | | |  |  | | | | | | | | | 会共通炸MOS
因为使用慢管时,在反向恢复期间,辅助绕组侧有反向电流流过,导致有额外的电流被储能到Lm,在Lm谐振时,最低点会比Vin-Vor更低,高点也会比Vin+Vor更高,此时同步MOS的Coss被抽走更多的电荷,产生的负压会达到同步芯片检测开启阈值,而导致同步误开启
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| | | | | |  |  | | | | | | | | | | RCD吸收能不能快管呢.听一FAE说.用快管也容易炸机.
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| |  |  | | | | | | 架在板子外面,只是拉开了元器件的距离吧,实际的针脚距离还是没变的 |
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| |  |  | | | | | | 对,那个点一般情况 下主要是由于PWM芯片倍频发出来的差模干扰
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|  |  | | | | | 这个就是变压器第一层的屏蔽问题,采用线绕,圈数可以改善这个点,改外围真的是没有办法解决
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| |  |  | | | | | | 这种平面变压器的话屏蔽层是固定的吗,Y电压应该没办法调吧 |
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 |  | | | | 1-2MHZ附近超是哪里引起的啊?完全不知道从哪下手 |
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 |  | | | | 楼主,想问问600k Dcm振荡那个点的传导应该怎么整改 |
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