 |  | | | | 双有源桥变换器(DAB)由初级全桥、变压器漏感、次级全桥和滤波电容组成，如图6所⽰。DAB变换器不需要串联电容和电感等额外的谐振元件，⽽是使⽤变压器漏感和功率开关的输出电容来实现软开关。与谐振变换器不同，DAB变换器对元件变化不太敏感。宽禁带半导体的出现促进了DAB变换器在双向功率流应用中的普及。
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|  | | | | | | DAB变换器适用于宽输出电压范围和负载条件下的电池充电应用，通过与变压器漏感和初级开关的输出电容形成谐振电路，实现初级开关(安森美的EliteSiC MOSFETs)的ZVS。 次级桥式开关实现ZCS操作，具有较低的开关损耗，但导通损耗较⾼。通过在次级桥电路中使⽤低RDSon EliteSiC MOSFET，可以降低导通损耗。与其他拓扑结构相⽐，DAB变换器具有⾼密度、⾼效率、较低的元件应力以及更小的滤波器元件。在DAB变换器中，功率流动是通过初级和次级电压的相移控制来实现的。为了提⾼电池充电应⽤的性能，需要宽输出电压增益以及所有负载情况下的ZVS条件。
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| | |  | | | | | | 同DNPC LLC相脚相⽐，SHB LLC相脚的主要优点是消除了两个钳位⼆极管，可将动力电池的元器件数量减少。SHB LLC拓扑具有两种⽤于谐振电路操作的调制⽅案，从⽽为直流电压转换提供更⼤的控制灵活性。外部开关S1和S4发⽣对称调制，具有相同的信号和50%占空⽐，⽽内部开关S3和S4与具有死区时间的其他开关互补。
对于对称调制，初级桥相电压以50%占空⽐在Vbus和0V之间切换。对于⾮对称调制，外部开关S1和S4具有25%的占空⽐，⽽内部开关S3和S4具有75%的占空⽐。S1和S4的栅极信号不像对称调制那样同步。相反它们相移180度。该相移也适⽤于内部开关S3和S4。
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| | | | | 双相移控制(DPS)等各种调制技术引⼊了初级和次级开关的占空⽐控制，提供了额外的⾃由度。DPS控制降低了所有开关器件的应力并扩展了所有负载情况下的ZVS范围。三相移(TPS)控制将提供额外的⾃由度来提⾼轻负载效率，同时切换到DPS控制来保护变压器饱和，以减少在中等至最大负载条件下的循环电流，纳米晶和⾮晶软磁材料的应用使得⾼效率变压器能够在⾼开关频率下运⾏。为了实现75kW及以上的⾼功率，可使⽤交错式DAB变换器。 |
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| | | | | 要做30KW的充电桩，可以用LLC或者DAB拓扑，LLC效率要高一些。如果追求高效的话，可以试一试网上挺火的那种免代码开发的电源芯片，我有看到一款叫PPEC的电源芯片宣传可以做到200KW（没用过，不知道能不能达到），感兴趣可以去了解一下
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