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反激输出5V2A,9-36Vin,方案讨论

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ly1998678
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高级工程师
  • 2024-5-7 16:52:21
10问答币
1、肖特基整流,5V2A的效率不知道能达到多少,有没有必要投板做一次,还是直接考虑第二种方案
2、同步整流

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我用的匝比是7:3,初级电压尖峰估计在75V左右,所以选用的100V开关(低压DCDC主要损耗由电流引起,次级电流大、圈数少一点也有利于降低变压器铜损) 这样次级峰值电压可以控制在27V以下(全程DCM,不行再加点RC吸收、保证电压尖峰不超过5V),二极管就可以用30V的 关键还是散热,二极管功耗接近1W,SMA搞不定,必须TO-277 国产MOSFET只要Rds_on低一点,这个电压条件下的开关损耗并不太大,应该问题不大 全程DCM的话,对整流二 ...

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wl777wl
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  • 2024-5-7 17:23:22
 
有现成的方案!

ly1998678
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  • 2024-5-7 18:02:34
 
还望不吝赐教!
gaohq
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  • 2024-5-8 07:09:30
 
区区2A电流还搞同步整流?
ly1998678
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  • 2024-5-8 14:49:55
 
就怕比较临界,想做83左右的效率,与竞品一致
azhai
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  • 2024-5-8 08:42:27
 
效率要求如何
ly1998678
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  • 2024-5-8 14:50:52
 
83左右,最低得80
xkw1cn
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  • 2024-5-8 09:34:35
 
这;还是需要看你要求。这个等级;有很多应用场景。设计思路大相径庭。
开关频率30~300kHz都有用。
ly1998678
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高级工程师
  • 2024-5-8 14:46:26
 
频率基本在300K左右,初步设计以330K,算是小模块目前比较常规的频率了
xkw1cn
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  • 2024-5-8 09:36:09
 
效率;一般在72%~90%。如果变压器设计的不理想;有可能仅55%左右。
ly1998678
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  • 2024-5-8 14:41:58
 
72太低了,最少得80
ly1998678
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  • 2024-5-8 14:45:29
 
变压器这边我倒没啥问题,自己算的跟竞品的都一致,就怕效率临界,活活得改一版,78/79就头疼了
zhuliu09
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  • 2024-5-8 14:30:22
 
选择什么方案要看成本和效率的要求。输出2A不算大,用二极管整流没问题,选择一个正向导通电压VF小的二极管就可以了,注意做好散热,效率不会比SR差多少的。
ly1998678
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高级工程师
  • 2024-5-8 14:40:58
 
外形尺寸25.4*12.7 *11.2mm,磁芯ER11,准备选用TO-277封装的ST10100L(长晶),效率要做到83左右
zhenxiang
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副总工程师
  • 2024-5-8 21:31:00
 
到不了83  也就是大于80能
ly1998678
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高级工程师
  • 2024-5-8 14:48:05
 
因为做了12V/10W的,后来发现SMA封装的二极管不适合5V/2A输出,想做5V时候改为To-277,实在不行就考虑同步整流
joezzhang
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副总工程师
  • 2024-5-8 18:41:39
 
用料好一点,80%应该问题不大(10*80%-10=2.5W),主要还是肖特基二极管散热
5V 2A Flyback.JPG
ly1998678
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高级工程师
  • 2024-5-9 09:13:52
 
咱两算的参数大体一致,但是我看了您图片那个TO-277的肖特基,耐压肯定是不够的,最起码得45V的管子,效率可能还会再低一点
捕获.PNG
joezzhang
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副总工程师
  • 2024-5-9 15:14:27
 
我用的匝比是7:3,初级电压尖峰估计在75V左右,所以选用的100V开关(低压DCDC主要损耗由电流引起,次级电流大、圈数少一点也有利于降低变压器铜损)
这样次级峰值电压可以控制在27V以下(全程DCM,不行再加点RC吸收、保证电压尖峰不超过5V),二极管就可以用30V的


关键还是散热,二极管功耗接近1W,SMA搞不定,必须TO-277

国产MOSFET只要Rds_on低一点,这个电压条件下的开关损耗并不太大,应该问题不大

全程DCM的话,对整流二极管的Qrr之类的要求相对也较低,主要找低VF的就好
ly1998678
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高级工程师
  • 2024-5-9 16:45:49
 
首先谢谢老师的回复,我说下我的几个疑问点:1、7:3应该不是75V左右的应力吧,5*(7/3)+36≈50V
                                                                   2、匝比大了确实次级应力会下降一点,可是在过流情况下的次级峰值电流已经高达20A(按额定两倍的过流极限考虑),即使不考虑过流状态,对应的原副边峰值电流也会增大。
                                                                   3、玄学+经验  永远是个折中设计,我想问下老师的匝比是算下来接近7:3直接取的,还是比如6:4,为了改变应力强行靠下来的。
joezzhang
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  • 2024-5-9 18:59:15
 
1. 我按最坏情况40V输入,并加了20V漏感振荡尖峰电压

2. 正常满载情况峰值电流11A,我只考虑了125%过载,没有考虑200%过载

3.主要是考虑降低电压应力从而可以选择更低VF的二极管,同时DCM工况可以放宽Qrr的限制。330kHz搞CCM的话,Qrr造成的开关损耗非常可观




ly1998678
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  • 2024-5-10 09:29:07
 
多谢老师回复,针对上面三个疑问,解决了部分困惑
1、最恶劣情况也许尖峰电压会那么大,这个可以搁置,板子不出大问题一般没那么大尖峰,MOS是100V的,应该没啥大问题,一般的最恶劣应力是在短路情况下,到时候我实测再看。
2、我这边按1.25倍也就是2.5A负载电流算出的副边峰值电流是15A,可能算法不同,此贴先不去考虑细节了,不过考虑到此产品的峰值电流肯定是11-20A之间了(按过流1.2-2倍),完全排除SMA封装的可能性,一般SMA封装If为5A,电流过大,发热严重。
3、非常同意这句话,也是DCM的一大优势。
4、下面附上原理图与参数,还望老师指点,看看方案上有什么可以改进的,准备把这个产品从研发到落地全部写于此贴。
ly1998678
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高级工程师
  • 2024-5-10 10:06:17
 
看看有没有不合理的地方
捕获.PNG
gaohq
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  • 2024-5-10 12:57:12
 
建议分3个电容到 L1的左边。反激,要提高效率,优选 QR模式啊
ly1998678
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  • 2024-5-10 18:27:41
 
π型滤波吗?这个可以考虑,QR反激我还没做过,军品的话常规就那几个片子,这些先不考虑,还请老师看看方案有没有什么需要改善的,芯片外围 反馈这些的
Ali21
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高级工程师
  • 2024-5-18 12:49:23
 
不仅仅是滤波的问题,可以分析下电感左侧没有电容时的工作模态,已经与常规反激不一样了。
zhenxiang
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  • 2024-5-22 21:36:41
 
在这个产品上没有一家是用QR的谁用谁傻。低压输入开关损耗不是主要问题, 问题更大的是低输入时候的导通损耗和驱动损耗。
zhenxiang
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LV8
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  • 2024-5-22 21:35:05
 
这个体积下用QR最不实际了  首先变压器就放不下
dengkeak
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  • 2024-5-23 10:03:39
 
光耦上面的供电用电感前 不用输出的
ly1998678
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  • 2024-5-23 13:25:05
 
有道理,之前在别的地方也看过,我记录下,下次试试
QKY
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  • 2024-6-6 18:44:00
 
你这个刚上电给VCC供电的启动电路,电压跟输入电压一样?你的VCC电压最高多少?看到比较多的是Vin串一个启动电阻给VCC供电。
1717670125979.png
QKY
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  • 2024-6-6 18:51:31
 
你这个刚上电给VCC供电的启动电路,电压跟输入电压一样?你的VCC电压最高多少?看到比较多的是Vin串一个启动电阻给VCC供电。
1717670125979.png
ly1998678
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  • 2024-6-17 15:05:25
 
最高不超过10.8
QKY
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  • 2024-6-27 11:37:37
 
意思是说你这个Vin最高不超高10.8V吗?
ly1998678
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  • 2024-7-9 17:31:00
 
不是啊 VIN最高36
QKY
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  • 2024-7-14 11:31:17
 
Q2导通时Vin=Vcc是不是?如果是这样就不对了,VCC工作一般是十几伏左右。

ly1998678
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  • 2024-8-2 14:22:10
 
这是个线稳,不会等于输入的VIN,是一个相对稳定的电压,不随输入的VIN变化而变换,芯片VIN与VCC短接也是没有任何问题的
QKY
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  • 2024-9-12 14:43:45
  • 倒数3
 
哥们,你这款的计算书能否发给我参考下,最近在做一款Vin9-16V  Vout 5V  1A    ,12V0.5A,15V0.3A的案子
ly1998678
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高级工程师
  • 2024-9-14 14:26:48
  • 倒数2
 
参考版主nc965的计算,他有发帖,直接下载就可以的。
ly1998678
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  • 2024-5-9 09:17:17
 
5V2A是不是选SMA封装肯定是不如TO-277封装,我之前有一个12V/0.833A的选的SMA封装的肖特基,想着5V/2A换个TO-277的,我的选择是否正确,多谢老师回复
ly1998678
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  • 2024-5-9 09:31:28
 
忘了加一句,全国产化,效率肯定不如国外器件
zhenxiang
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  • 2024-5-8 21:29:33
 
能大于80,24V输入时候
ly1998678
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  • 2024-5-9 09:22:32
 
能有83最好不过了,竞品拆解是用的同步整流,但是他可能是做一系列图方便,我不想按那种,所有请教下不用同步整流、常规肖特基的效率极限,图片是竞品的效率,最差我想的是三端电压都上80,不差太多也行。
捕获.PNG
wl777wl
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LV8
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  • 2024-5-9 15:46:31
 
采用反激拓扑,变压器ER9.5     开关频率330KHZ    40V肖特基就可以。   

ly1998678
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  • 2024-5-9 16:25:41
 
这跟我上个产品12V/0.83A如出一辙,我就是选的9.5,后来发现算出来的匝比跟线径不适合绕制,AE太小,NP就大(8:12),对应的线径可选的也就越细,沟槽高度有限层数叠不起来,过电流能力太差,现在准备换ER11的去试,以上仅对于12V那个产品,说到5V2A的这个的话,现在是ER11,匝比6:4,理论的肖特基电压应力在29,加点尖峰寄生参数等也就30出头,45V肖特基理论上可行,额定负载(不考虑过流)次级峰值电流在7A左右,此时SMA封装是不是就不合适,请老师点播下SMA封装跟To-277封装 选哪个,不知道我的理解是否有误,To-277的过电流肯定会更大,预选TO-277
zhenxiang
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LV8
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  • 2024-5-10 09:00:53
 
那种下面焊盘金属面积大的SMA就行
ly1998678
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  • 2024-5-10 09:31:10
 
SMA的IF为5A,太小了,后面如果有机会,我会换上SMA的测试记录。对比一下
zhenxiang
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  • 2024-5-10 08:59:20
 
效率到不了83
ly1998678
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  • 2024-5-10 09:34:46
 
图片为竞品,83是典型效率,最大我估计能到84,数据手册最低80
微信图片_20240510093311.jpg
zhenxiang
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LV8
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  • 2024-5-10 22:12:58
 
他这个同步整流用的哪个国产芯片
wl777wl
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LV8
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  • 2024-5-16 15:13:08
 
反激+同步整流   不知道你测试开关频率了吗? 满载频率多少? 半载频率 ,空载频率     一半也就支持到200KHZ

zhenxiang
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LV8
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  • 2024-5-18 12:23:31
 
ER9.5的变压器频率要搞到350K附近
wl777wl
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LV8
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  • 2024-5-22 19:00:21
 
看图就是自驱动的同步整流。。。。也没什么

zhenxiang
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  • 2024-5-22 21:38:21
 
自驱动的空载功耗太大
dengkeak
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  • 2024-5-23 09:58:11
 
这个是半英寸吧 变压器可以用ER11.5的 我是按5V/3A做的 同步整流效率86
ly1998678
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  • 2024-5-23 13:26:50
 
你说对了,1*0.5英寸,用的ER11,我不想用同步整流,直接一个To-277搞定,就是担心效率
dengkeak
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  • 2024-5-23 19:31:51
 
同步整流芯片不好整 睿芯的有WKB风险 其他家有用隔离芯片 原边驱动反向驱副边MOS 不好整还是TO277 大于80应该是有的 之前有用er7.5做的5V/8W 二极管TO277 效率有81/82
ly1998678
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  • 2024-5-27 09:52:10
 
好,那就先上一板TO-277,等做出来我发出来
ly1998678
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  • 2024-8-2 14:25:14
 
最新消息,目前效率最高82.5%,更换肖特基后应该是可以突破83的,不过确实会有国产化的一些风险,国营厂的肖特基普遍效率低些
ly1998678
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  • 2024-8-2 14:25:54
 
普通二极管整流
aymm
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  • 2024-5-16 15:06:28
 
请问初级用的是什么型号,启动时间多少?
ly1998678
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  • 2024-5-20 13:27:28
 
芯片还是什么?
aymm
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  • 2024-5-22 10:05:08
 
是芯片
ly1998678
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  • 2024-5-22 13:28:49
 
LM5021
aymm
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  • 2024-5-24 14:25:25
 
谢谢
zhenxiang
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  • 2024-5-24 21:59:56
 
前面的LM要换下吧要不怎么国产化。
ly1998678
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  • 2024-5-27 09:34:18
 
嗯 换过了 原理图上没标
nc965
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  • 2024-7-14 15:20:41
 
还是精算一下变压器吧,很多优化项:
2.png
zhenxiang
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  • 2024-7-17 08:36:47
 
可惜按这个参数发给10个厂长9个说绕不下,能绕下的是偷偷减了线直径不告知。
nc965
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  • 2024-7-17 10:39:30
 
因为你没有告诉他这是普通绝缘,不是安规绝缘,不用三层绝缘线
ly1998678
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  • 2024-7-20 17:51:24
 
不明白这个绝缘跟线径有啥关系,不过ER11/5的骨架我自己绕 0.15mm*2线*6匝是极限最内层 后面越来越不好绕
nc965
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  • 2024-7-20 19:22:08
 
这样就明白了:
2.png
既然0.15mm*2线*6匝是极限,意味着0.3mm*2线*3匝是极限,况且0.3比0.15更好绕。
ly1998678
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  • 2024-7-22 08:44:59
 
如果为了这个,我总不能把6匝改成3匝吧,基本上Np是个定数
ly1998678
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  • 2024-7-22 08:46:12
 
还是说正绕3圈 绕过去再绕过来 6圈
nc965
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  • 2024-7-22 11:33:14
 
0.6绕3圈,要三明治,所以0.3*2绕3圈,2层并联夹原边,总共0.3mm*4股出线载流2A
ly1998678
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  • 2024-7-23 13:53:21
 
明白了 那就是次级的绕法,0.3*2绕过去固定,然后再绕原边,最后0.3*2继续绕一层
nc965
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  • 2024-7-23 15:07:08
 
副边3匝,原边0.35mm5匝,感量3.6uH,频率240KHz,这是你唯一机会,其他都是馊主意。
zhenxiang
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  • 2024-7-28 16:05:32
 
想都不用想,用0.3的线绕ER11.5的骨架。没几层就鼓包扣不进去磁芯了。做这个小模块的都知道。大差不差就在0.12-0.15线上选。  匝比大多就是6比3
nc965
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  • 2024-7-28 16:51:00
 
骨架有Y货,换一家吧

2.png

zhenxiang
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副总工程师
  • 2024-7-28 19:17:18
 
不跟您掰持这个东西了。做过这个模块的自然董,刚开始做的自然要遇到这些个问题。 这都是多少厂家一步步摸索出来的。
nc965
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  • 2024-7-28 21:16:39
 
手搓一个:
2.png
zhenxiang
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  • 2024-7-29 08:44:27
 
您这种动手验证的精神还是值得敬佩的。已经到这步了就继续把线栓引脚上,去漆皮烫锡,装好磁芯吧。对了这个变压器的总高度要控制到5.5mm,因为这个模块带壳后总高度是10mm.        1*0.5inch
nc965
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  • 2024-7-29 11:31:11
 
间隙很大,感觉原边可以再(双线并)绕一层,总共0.3四层,5:3,正好对应两边电流密度相等和底层出线占位(中间2层原边每层只能绕2.5匝),效率才有可能突破85%
高度是磁芯决定的,实测5.6mm

2.png

xkw1cn
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  • 2024-8-2 00:04:46
 
那么粗的线 ;咋整?
zhenxiang
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  • 2024-8-2 08:40:09
 
要不我怎么回复他说做成成品,把线要盘到脚上。还特别说了成品的变压器高度要小于5.5mm。这个绕制工艺发给变压器厂10个有9个不做。如下:    您这种动手验证的精神还是值得敬佩的。已经到这步了就继续把线栓引脚上,去漆皮烫锡,装好磁芯吧。对了这个变压器的总高度要控制到5.5mm,因为这个模块带壳后总高度是10mm.        1*0.5inch的模块
ly1998678
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高级工程师
  • 2024-8-2 14:14:35
 
是的,引脚绕上去已经垫高太多了
nc965
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  • 2024-8-4 08:10:19
 
你是论坛手搓第一人,也会提这种问题?
一条腿走2股,4条腿走8股,轻松得不要不要的!
2.png

ly1998678
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  • 2024-8-2 14:08:22
 
首先:极其敬佩并且感谢老师能动手实践,不说性能,这个线缠上去 肯定引脚平整度是没法保证了,目前自己绕制的样机上为①0.15*2*6②0.15*2*4 ③0.15*2*6④0.15*2*4⑤ 0.15*2*6 初次初次初 三明治 均为0.15线径双线并绕 匝比6:4 感量3.4-3.7uH,目前效率在额定电压下为82.4%,已经是全电压范围最高了,肖特基为某国营厂的,如果采用长晶科技、济南晶恒这种国产化程度相对不算高的,应该还能高一个点,在12V/10W上亲测有效,更换芯片也能再上0.5个百分点。最后图片为发厂家打样图纸参数
捕获.PNG

dengkeak
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  • 2024-8-3 19:29:34
 
可以试试原边0.25mm单根绕 原边2层的截面积还可以稍微大一点,也不会影响平整度
微信图片_20240803192859.png
zhenxiang
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  • 2024-8-5 08:26:24
 
这个还可以
ly1998678
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高级工程师
  • 2024-8-5 09:01:44
 
也是不错的思路,不过目前沟槽深度总和也就0.15*5 ,可以在0.25往下一点应该就可以了。
ly1998678
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高级工程师
  • 2024-8-2 13:45:49
 
哎 您这是实话 确实是0.12-0.18之间  基本上15W、20W以内  30W 1*1考虑平面了  确实是很多厂家摸索出的 您是不也做军工产品 还望有机会可以讨教一二
zhenxiang
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副总工程师
  • 2024-8-2 16:04:06
 
30w 1*1也是大致这个线和匝比。就是多几个层并联。1/32砖用厚铜板集成变压器。做的都差不多。 你二极管是用了873  771还是济半
ly1998678
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  • 2024-8-5 09:03:07
  • 倒数10
 
辽宁芯诺  效率堪忧 跟长晶的一比 差一个点效率
zhenxiang
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副总工程师
  • 2024-8-5 18:33:37
  • 倒数9
 
芯诺的确实不行。扬杰  或者平伟  现在还可以用吧
ly1998678
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高级工程师
  • 2024-8-28 15:57:14
  • 倒数8
 
这两个都没有军工资质,能用但是无法保证器件为普军级,要不就自己去筛选,对我们这种小单位来说不方便
ly1998678
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高级工程师
  • 2024-8-28 15:58:23
  • 倒数7
 
其实效率不行,某种方面就意味着国产化程度高,能说出平伟实业,看来都是一个圈子
zhenxiang
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副总工程师
  • 2024-8-30 08:39:39
  • 倒数6
 
平伟一般项目上还是认的。 厂家也也配合出证明文件。
ly1998678
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高级工程师
  • 2024-8-30 13:48:59
  • 倒数5
 
主要我看它官网没有军工资质,在以前单位用过但是没注意
ly1998678
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高级工程师
  • 2024-8-30 13:53:10
  • 倒数4
 
能留个V吗,我在电源网也加您了
ly1998678
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  • 2024-7-20 17:38:25
 
老师, 我现在是原边0.15双线三层 初次初次初,感量3.8uh,现在遇到一个问题,gs波形跟cs波形不对(这两个波形一致,但未短路),Vds波形也不对,关断脉冲又窄又高,输出电压正常,但是带载到5V1A时前级功耗瞬间翻倍,5V0.8A时就正常,没找到原因
ly1998678
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高级工程师
  • 2024-8-2 14:10:58
 
同名端 已解决
ly1998678
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高级工程师
  • 2024-8-2 14:13:03
 
错误波形如下: 微信图片_20240802141241.jpg
ly1998678
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高级工程师
  • 2024-8-2 14:14:01
 
现象为无法带载,Vds波形反向+巨大尖峰,Vgs与Cs引脚波形一致
ly1998678
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LV6
高级工程师
  • 2024-7-20 17:39:35
 
初次匝比6:4,看了一下,您的参数跟我的很类似或者说一致,感量也不差
xutong
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总工程师
最新回复
  • 2024-9-18 10:42:47
  • 倒数1
 
这个都是成熟方案了,经典案例也挺多
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