3300V碳化硅MOS业界国产领先的（SiC）功率器件，实现更高的效率与可靠性-光伏/逆变/UPS/变频器-世纪电源网社区

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2024-5-17 09:00:59

3.3 kV碳化硅MOS业界领先的（SiC）功率器件，实现更高的效率与可靠性。
3300V碳化硅MOS器件承受更高的击穿电压，有更低的电阻率，工作温度更高。更能胜任在特别需要更高耐压以及雪崩等级的工业领域的设计要求,对要求高频的应用更是不二选择。牵引功率单元（TPU）、辅助动力装置（APU）、固态变压器（SST）、工业电机驱动和能源基础设施解决方案的系统设计人员需要借助高压开关技术来提高效率和可靠性，并减小系统尺寸和重量。

3300V160mohm

3300V58mohm

产品特性：

1. 第三代 SiC MOSFET 技术

2. 推荐 +18V/-3 -5 V 栅压驱动

3. 高阻塞电压与低RDS（打开）

4. 高速、寄生电容小

5. 175℃工作结温

6. 低速高速切换电容

7.开尔文源TO-247-4L

SiC MOSFET作为第三代功率半导体器件，以其阻断电压高、工作频率高，耐高温能力强、通态电阻低和开关损耗小等特点成为当前最具市场前景的半导体产品之一，正广泛应用于新能源汽车，光伏逆变器，储能电源，轨道交通、牵引变频器，航空航天国防，大功率特种电源等领域。
新技术和新产品:
低开启电压（15V、12V）

超高耐压截止环技术（6500伏+）

平面栅垂直结构

双面镀金工艺、沟槽栅工艺

为电气化交通、可再生能源、航空航天和工业应用的设计人员开发更小、更轻和更高效的解决方案提供了便利（微信电话15919711751）。

ASC20N3300MT4 (2).pdf (1.6 MB, 下载次数: 4)

		2 Q403920015 Q403920015 离线 LV8 副总工程师积分：2990 \| 主题：17 \| 帖子：370 访问空间发消息积分:2990 LV8 副总工程师 2024-5-17 10:33:03 倒数9
		早就15V驱动了，回复 \| 举报 \|

			3 stevenqian stevenqian 离线 LV8 副总工程师积分：8007 \| 主题：48 \| 帖子：552 访问空间发消息积分:8007 LV8 副总工程师 2024-5-17 11:00:19 倒数8
			有多早？ 3300V 早不早？回复 \| 举报 \|

				4 Q403920015 Q403920015 离线 LV8 副总工程师积分：2990 \| 主题：17 \| 帖子：370 访问空间发消息积分:2990 LV8 副总工程师 2024-5-17 17:04:06 倒数7
				耐压和驱动电压有关系？回复 \| 举报 \|

		5 stevenqian stevenqian 离线 LV8 副总工程师积分：8007 \| 主题：48 \| 帖子：552 访问空间发消息积分:8007 LV8 副总工程师 2024-5-24 17:01:39 倒数6
		顶起回复 \| 举报 \|

			6 stevenqian stevenqian 离线 LV8 副总工程师积分：8007 \| 主题：48 \| 帖子：552 访问空间发消息积分:8007 LV8 副总工程师 2024-6-17 11:58:56 倒数5
			碳化硅MOS特性及驱动设计碳化硅MOS特性及驱动设计2024.pdf (2.8 MB, 下载次数: 9) 2024-6-17 11:58 上传点击文件名下载附件回复 \| 举报 \|

				7 stevenqian stevenqian 离线 LV8 副总工程师积分：8007 \| 主题：48 \| 帖子：552 访问空间发消息积分:8007 LV8 副总工程师 2024-7-22 13:55:46 倒数4
				碳化硅模块（SiC模块/MODULE）大电流下的驱动器研究-新能源车充电与驱动技术-世纪电源网社区 https://bbs.21dianyuan.com/thread-357391-1-1.html 回复 \| 举报 \|

					8 stevenqian stevenqian 离线 LV8 副总工程师积分：8007 \| 主题：48 \| 帖子：552 访问空间发消息积分:8007 LV8 副总工程师 2024-8-27 16:06:24 倒数3
					（碳化硅MOS）基于可变电流驱动的SiC MOSFET开关轨迹优化方法（碳化硅MOS）基于可变电流驱动的SiC MOSFET开关轨迹优化方法2024.pdf (4.38 MB, 下载次数: 1) 2024-8-27 16:06 上传点击文件名下载附件回复 \| 举报 \|

						9 stevenqian stevenqian 离线 LV8 副总工程师积分：8007 \| 主题：48 \| 帖子：552 访问空间发消息积分:8007 LV8 副总工程师 2024-9-14 08:49:27 倒数2
						SiC MOSFET器件特性与驱动电路设计：https://pan.baidu.com/s/1GnLCicFZtQBs9SGJodrwNA提取码8b36 回复 \| 举报 \|

							10 stevenqian stevenqian 离线 LV8 副总工程师积分：8007 \| 主题：48 \| 帖子：552 访问空间发消息积分:8007 LV8 副总工程师最新回复 2024-11-7 17:18:42 倒数1
							碳化硅MOS栅极驱动图参考及SiC MOS栅极驱动器-综合电源技术-世纪电源网社区 https://bbs.21dianyuan.com/forum ... read&tid=354059 回复 \| 举报 \|

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