 |  | nc965- 积分:106040
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积分:106040 版主 | | | 1.电压:与MOS同压、包括间距
2.电流:比MOS低数量级,只过漏感电流
3.反向恢复时间要比MOS上升沿时间短,比如小于50nS
4.另外,需要注意:1、脉冲电流回路最小化。2、热点(包括上管驱动)分布范围最小化。3、驱动同步。4、贴片二极管散热
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|  |  | | | | | 感谢回复,想问一下,原边续流二极管不是自然关断吗?意味着MOS开通的时候二极管已经没有电流了,为什么还要它的反向恢复时间要小于MOS的上升沿时间?另外,目前我选择的MOS的tdon为19ns,tr为14ns,原边续流二极管的trr为75ns。是否有问题?
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| |  |  | nc965- 积分:106040
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积分:106040 版主 | | | | | VDS的上升沿对应VGS的下降沿,关断时刻,是运行参数,不是MOS手册里的参数,此外原话还有: 反向恢复时间要比MOS上升沿时间短(使用快恢复才有显著效果的意思)
只要功率不是特别大,二极管选MSA封装的US2J就行,方便与两只电解形成两个最小回路,拉开间距几只并就是覆铜散热,焊几只视温度而定。
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| | |  |  | | | | | | | 谢谢。实际选用的就是这款二极管,根据电压等级选用2只串联的。
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| | | |  |  | nc965- 积分:106040
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积分:106040 版主 | | | | | | | 两串回路就长了,尽量不串,US2M耐压1KV还不够?
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| | | | |  |  | | | | | | | | | 我工作电压最高就1kV,采用的US2K串联使用的。
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| | | | | |  |  | nc965- 积分:106040
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积分:106040 版主 最新回复 | | | | | | | | | |
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| | |  |  | | | | | | | 另外,MOS关断,VDS上升,MOS中的电流减小,同时原边续流二极管的电流会增大,相当于从MOS到二极管的换流。二极管是从关断到开通,这个过程应该不涉及二极管的反向恢复时间的参数吧? |
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| | | |  |  | nc965- 积分:106040
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积分:106040 版主 | | | | | | | 你把这话对BOOST或者PFC二极管说,能说通吗?
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 |  | | | | 起码要把二极管的损耗算出来,温升就知道了。耐压一定要够。反向恢复时间越快越好,但考虑到成本可以选比mos开关边沿要快的管子
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