图腾柱PFC MOS的Coss的损耗计算-综合电源技术-世纪电源网社区

Knight_G

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10问答币

请问大家，MOS在硬开关的时候，尤其在导通时，Vds很小，意味着Coss很大，几千pF，这时候损耗会很大，对于图腾柱PFC连续模式来讲，是不是就没有什么优势了？
还有个一问题，MOS规格书中的Tr和Td等时间算上Coss了吗？我计算损耗的时候用了Tr，Td，还需要再计算Coss损耗吗？

按4楼估算，八九不离十，这是固定损耗，与连续与否、某时刻Vds大小、冲击电流大小、开关速度无关

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		2 nc965 nc965 在线 LV7 版主积分：98162 \| 主题：115 \| 帖子：28463 访问空间发消息积分:98162 版主 2024-8-19 15:37:51 倒数5
		普通硅MOSFET不能做图腾柱PFC，GaN、SiC或者IGBT才行，不是因为Coss，而是因为体二极管。你把 Coss 抑或 Tr&Td 的损耗算得天花乱坠也没用，因为MOS体二极管反向恢复带来的损耗比它们大数量级回复 \| 举报 \|

			3 Knight_G Knight_G 离线 LV6 高级工程师积分：432 \| 主题：8 \| 帖子：31 访问空间发消息积分:432 LV6 高级工程师 2024-8-20 08:36:08 倒数4
			用的是Sic MOS，但是计算的时候，硬开关，由导通到关断，导通的时候Vds很小，意味着Coss会很大，5000pF，然后关断瞬间，会有一个很大的对Coss充电的冲击电流，带来损耗，导致效率会有问题，这个应该怎么计算呢？回复 \| 举报 \|

				4 nc965 nc965 在线 LV7 版主积分：98162 \| 主题：115 \| 帖子：28463 访问空间发消息积分:98162 版主 2024-8-20 09:42:04 倒数3
				这个很好计算，Pw=0.5V²C/F，这是电容的储能，损耗应该是它的两倍回复 \| 举报 \|

					5 Knight_G Knight_G 离线 LV6 高级工程师积分：432 \| 主题：8 \| 帖子：31 访问空间发消息积分:432 LV6 高级工程师 2024-8-21 11:42:34 倒数2
					有一个问题，就是因为我工作在连续模式，又是硬开关，当上管导通的时候，或者续流的时候这时候Vds很小，意味着Coss很大，大概5500pF，这时候去关他，应该会有一个很大的电流，造成额外损耗，这里怎么算呢？回复 \| 举报 \|

						6 nc965 nc965 在线 LV7 版主积分：98162 \| 主题：115 \| 帖子：28463 访问空间发消息积分:98162 版主最新回复 2024-8-21 13:01:01 倒数1
						按4楼估算，八九不离十，这是固定损耗，与连续与否、某时刻Vds大小、冲击电流大小、开关速度无关回复 \| 举报 \|

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