最新碳化硅技术,推进脱碳社会建设
【直播时间】9月25日 10:00-12:00
【直播背景】 近年来,为应对气候变化所带来的影响,世界上许多都宣布了其碳减排目标。为了实现无碳社会,最大限度地利用太阳能、风能和其他可再生能源,加快电动汽车的普及以及发展电动汽车充电基础设施,开发节能、绿色的数字和信息通信技术系统成为有效手段。功率半导体器件可传输和控制电力,对于降低各种汽车和工业电气应用的能源消耗至关重要。碳化硅功率器件与现在占据主导地位的硅功率器件相比,具有更好的物理特性,有助于电动汽车的轻量化、单次充电的续航里程的增加,以及数据中心电源效率的提高等。因此,碳化硅半导体功率器件在功率器件中的应用范围正在逐渐扩大。东芝第三代SiC MOSFET拥有更低的功耗,支持如开关电源(数据中心服务器、通信设备等)、不间断电源(UPS)、光伏逆变器、电动汽车充电站等各种高功率密度应用。
本次研讨会上我们将重点介绍东芝第三代SiC MOSFET/SBD的技术特性及其应用场景。
【技术亮点】 1、采用内置SBD的结构,有效提高了Rds(on)的稳定性 2、更低的Rds(on)*Qgd, 实现更低功耗和更快的开关速度 3、更宽的栅源电压范围:-10V ~ +25V
【学习收获】
通过本次直播,加速了解碳化硅及其应用领域。
【讲师介绍】 朱科羽 TOSHIBA 主任工程师 现就职于东芝电子元件(上海)有限公司半导体技术统括部,从事半导体功率器件的技术支持工作。
【礼品介绍】 提前预约或参与直播互动即有机会获得飞科博锐吹风机、VTT 筋膜*以及罗马仕三合一数据线等精美礼品。 注:谢绝所有小号参与,一旦发现,不予兑奖,请谅解。
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