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 |  | | | | 碳化硅是指碳化硅二极管吗？
要看输出的电压和电流，一般来说采用同步整流MOS比碳化硅二极管的效率还是要高点，输出电流越大，效率优势越明显，碳化硅二极管的VF是蛮大的，同步整流的MOS的Ron相对较小，导通时的损耗也小一点。同时寄生二极管存在，LLC输出测也是体二极管先导通再导通沟道，相当于ZVS，开关损耗不大。但是需要注意，如果LLC的工作频率高于谐振点，输出不是零电流关断，同步整流管的寄生体二极管的反向恢复带来的损耗需要特别担心，尽量让LLC工作在低于谐振点频率一点点的位置。
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| | | | | | | 碳化硅是指碳化硅二极管，是的。
另外，采用同步整流MOS,它的PWM波形，与初级的有什么关系？频率，相位，占空比，这些参数如何设置？要找到最佳功率和效率点。
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| | | | | | | | | LLC的同步整流驱动时序是在初级MOS的基础上加一定死区后得到的，但是需要设置一个同步整流的最大导通时间（谐振点频率处）。
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| | | | | | | | | | | 加一定死区，这个是多少时间？如何计算还是如何测量出来？
假设初级的占空比是可变的，范围是1~47%，请问次级同步整流MOS的占空比如何变化？跟初级一样大小，还是说比它大或小，如何计算呢？
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| | | | |  | | | | | | | | 你这个是LLC啊，占空比可变？正常工作的时候LLC是调频控制，占空比基本不变的。
只有在启机的过程中或者空载的时候，有些可能会调整一点点占空比或者移相角来满足增益的要求。
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