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积分:102218 版主 | | | | | Bs小数是为了L整数,方便阅读
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| | | | | | | | | | | 初级感量算出来这么大吗?计算表格能不能发出来学习一下,谢谢! |
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| | | | | 由于你没给一些参数,我自己定了一下,我也是入圈没多久的小白,只是之前有个项目涉及到了,刚好又看到了您的帖子,大概参数是这样的,如有错误,请大神指点 |
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| | | | | | | 变压器Ae值:50,你可以重新算一下:我做了一个变压器,感量2.0mH,会饱和,实测Ip有0.9A左右,不知道为什么计算出来的和实际的差异会很大。 |
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积分:102218 版主 | | | | | | | 他想知道的不是占空比,而是为什么0.9A饱和了
友情提示,你那个计算有个致命错误,没给VDS漏感尖峰留余量,800VMOS都可能炸
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| | | | | | | | nc965- 积分:102218
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积分:102218 版主 | | | | | | | | | | | 把实际值填到旁边,刷新一下,顺便问一下你(的芯片)是单级PFC吗?PF=0.95是实测值吗?你的EE16(AE一般40你50)有什么特别吗?
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| | | | | | | | | | | | | | | 因为他给的是650VMOS管,我自己想的这样的MOS管应该会有RCD吸收或者是啥,内个Uclam给出了30V的余量。
还有我把相关参数填到这个表格上,是因为自己的匝数绕的太多了的原因吗?如果按照表格来算的话原边匝数为40,Lp=687uH,不知道对不对,大神在给点思路引导一下呗
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 我这个较楼上的,用的磁材不一样,Ae值差不多,没注意我就找了个差不多在50mm2的磁材
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我有现成的磁芯骨架啊,Ae值50,槽宽8.5mm,你们帮我算一下,我来验证
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 10 uF 输入电容,初级单根0.3mm漆包线 45圈(两层),辅助绕组3根0.3mm漆包线并联 7圈(满层),次级3根0.5mm三重绝缘线并联 3圈 (满层)
开关频率75kHz,电感量1mH,初级峰值电流0.68A,磁感应强度0.3T
如果开关频率是固定65kHz,电感量改成800uH,初级峰值电流0.81A,磁感应强度0.3T (变压器圈数和匝比不变)
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 开关频率80K,帮忙看一下参数,我明天绕一个看一下 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 请教一下,这个Vor_col算出来的反射电压极限值吗,取值不能超过它就行是不是,也别太小是不是就可以的,如果按照这个反射电压算是不是原边必须设计RCD吸收,我看到好多DC-DC反激原理图,原边大部分没用RCD,有时候只会有一个C
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 大概取振荡尖峰电压与反射电压相等,但还是需要具体问题具体分析
Vor就是匝比乘以次级电压,优先考虑变压器满层绕制、减小漏感,这样匝比定下来了之后Vor就定了,再看漏感能量来调整RCD参数保证开关管安全
一般来说不推荐不要RCD裸奔,但这个主要是和开关管的额定电压以及EMI相关的,如果开关管耐压余量足够而且不需要考虑EMI(dV/dt很低或者低端市场不用过认证)的话,裸奔也不影响功能
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 那次级就改成双线并绕,0.75mm或者0.80mm三重绝缘线,以刚好满层为目标
实在绕不下才用细一些的三重绝缘线双线并绕、疏绕
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