三电平IGBT-SiC MOSFET混合 99%效能逆变器-综合电源技术-世纪电源网社区

xkw1cn

积分:132801

版主

10问答币

这是面向超高能效逆变器和电机驱动，250kW单模块电源方案。可风光储能发电，可电机驱动。
有兴趣吗？

		2 xkw1cn xkw1cn 离线 LV7 版主积分：132801 \| 主题：37520 \| 帖子：55838 访问空间发消息积分:132801 版主 2025-1-4 22:17:14 倒数7
		大功率变换，一直是IGBT主角的拓扑。IGBT 50年，拖尾一直是损耗的主要原因，也是IGBT进步的主要方向。这是IGBT 50年图谱：回复 \| 举报 \|

		3 xkw1cn xkw1cn 离线 LV7 版主积分：132801 \| 主题：37520 \| 帖子：55838 访问空间发消息积分:132801 版主 2025-1-6 00:09:01 倒数6
		碳化硅FET与IGBT损耗有啥区别？先看通态损耗。以20mR1200V SiC FET与1200V100A最新IGBT为例 75A峰值电流在0~90° 1/4周期损耗为：回复 \| 举报 \|

			4 stevenqian stevenqian 在线 LV8 副总工程师积分：7919 \| 主题：48 \| 帖子：538 访问空间发消息积分:7919 LV8 副总工程师 2025-1-7 09:48:39 倒数5
			SiC MOS和 IGBT 电源开关基础知识 SiC MOS和 IGBT 电源开关基础知识2024.pdf (3.03 MB, 下载次数: 7) 2025-1-7 09:48 上传点击文件名下载附件回复 \| 举报 \|

		5 xkw1cn xkw1cn 离线 LV7 版主积分：132801 \| 主题：37520 \| 帖子：55838 访问空间发消息积分:132801 版主 2025-1-13 09:58:18 倒数4
		显然；高效变换，要么用特殊拓扑，要么用谐振。作为逆变器，究竟有啥高效拓扑？目前；主要是三电平变换，如图：回复 \| 举报 \|

			6 xkw1cn xkw1cn 离线 LV7 版主积分：132801 \| 主题：37520 \| 帖子：55838 访问空间发消息积分:132801 版主 2025-1-13 09:59:59 倒数3
			他们分别是T-NPC、A-NPC、I-NPC和他们的基本变种。当然，他们也可以用半桥模块自行搭建。回复 \| 举报 \|

				7 xkw1cn xkw1cn 离线 LV7 版主积分：132801 \| 主题：37520 \| 帖子：55838 访问空间发消息积分:132801 版主 2025-1-13 16:32:53 倒数2
				软开关效率高；无非是Vce接近0V开关。利用这个思路，三电平就是将电路电压减半开关。问题来了，是不是五电平、七电平有更高效率？确实如此，但；多电平的复杂度；也是不容置疑的。所以；三电平以上；基本采用的是柔性串联的方法。比如白鹤滩直流输电项目中的换流阀，就是这种拓扑。回复 \| 举报 \|

		8 xkw1cn xkw1cn 离线 LV7 版主积分：132801 \| 主题：37520 \| 帖子：55838 访问空间发消息积分:132801 版主最新回复 2025-2-3 00:11:57 倒数1
		如何评估模块开关损耗和对比？双脉冲是充要的手段。回复 \| 举报 \|

世纪电源网总部

地址：天津市南开区黄河道大通大厦8层

电话：400-022-5587

传真：(022)27690960

邮编：300110

E-mail：21dy#21dianyuan.com(#换成@)

世纪电源网分部

总部线下业务联系人：房先生 18920168663

总部线上业务联系人：高先生 18622634639

广东（罗）：(0755)82437996 /(138 2356 2357)

广东（吕）：15217790808

北京（周）：(010)69525295 /(15901552591)

上海（党）：(021)24200688 /(13585599008)

香港（何）：HK(852)92121212

China(86)15220029145