| | | | | 你凭什么断定是磁芯饱和?按你的参数可以得出Bmax=Bac/2+Bdc=0.255T,还有很大余量 |
|
|
| | | | | | | 由于输入电压低,我能够观察出输入电流波形,在短暂时间不超后,迅速成尖峰状增加。PS 因为特殊,我用的是单片机驱动MOSFET,并没有用集成电源芯片。 |
|
|
| | | | | | | 再追问下,这位大哥,我这个设计过程是不是对的?或者说 由于我输入电压太低了,我这个磁芯体积会不会不够用,因为我没有采用AP法,只是估摸下功率选用的RM8,但是漆包线很粗,绕起来看见 体积刚好够 |
|
|
| | | | | | | 由于输入电压低,我能够观察出输入电流波形,在短暂时间不超后,迅速成尖峰状增加。PS 因为特殊,我用的是单片机驱动MOSFET,并没有用集成电源芯片. |
|
|
|
| | | | | Np=(Vs*Ton)/(B*Ae)应该不是用这条公式算得吧这条是算正激的,反激的应该用Bmax=Lp*Ip/Ae*Np计算。Vs*Ton=L*△I,而不是Vs*Ton=L*Ip,因为Bmax对应的是指电流从零变化到Ip,△B对应的是△I。既变化的电流产生变化的磁场。 |
|
|
| | | | | | | DCM 下是可以的,DCM 下 △I =Ip |
|
|
| | | | | | | 我在 张占松的一本书里看见过他是用Np=(Vs*Ton)/(B*Ae)这公式设计反激变压器的,我这个设计思路是仿照他的设计方法。 |
|
|
| | | | | | | 我想楼上的兄台是不是搞错了,反激应该用Np=(Vs*Ton)/(B*Ae)或Np=(L*△I)/(B*Ae),而不应该用Bmax=Lp*Ip/Ae*Np,这个只对DCM模式下适用 |
|
|
| | | | | 建议在论坛里面搜一下关于这方面的实际,先把一些具体设计公式的概念以及使用范围弄清楚。这个基本概念很重要哦。 |
|
|
| | | | | | | 的确是这样,很多公式的概念及使用范围都不清楚,菜鸟啊 第一次 |
|
|
| | | | | | | | | 我也是菜鸟。大家一起来,论坛里面这方面的书籍,帖子都比较多,可以搜一下啦。
还有磁学方面的知识可以去看看:赵修科老师的 《磁性元器件设计》,很不错哦。电子版论坛也有,找找可以仔细的研读一下。 |
|
|
| | | | | 你的变压器能输出这么多功率嘛?如果能的话,就没有饱和! |
|
|
| | | | | 我帮你算了下,主要是你原边电感量太大造成的,变压器进入连续模式了,变压器饱和了,在连续模式下确实要去验算Bmax,你的思路是对的。
建议将变压器改为17:10,感量约105UH,气隙为0.22mm,你的气隙太小,即使你变压器能工作将来批量生产时变压器供应商也很难生产。
我是按临界模式算的,就是说你满载时变压器刚好进入临界。 |
|
|
| | | | | | | 恩 谢了 我后面换一种计算方式 计算出来也是这么多 打算试试 |
|
|
|