|
|  |  | | | | | 此产品各项测试都已完成，测试过程及整改过程会一一列出。 |
|
|
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | pcb 布线 要达到你所的漂亮 我们平时画板的时候 应该注意哪些 方面呀
呵呵 请教了 |
|
|
| | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | 要多看一些大师画的PCB，受益会很大。PCB布线考虑的方面很多，包括串扰，EMC等等。 |
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 没看出PCB走线为什么漂亮啊，相同的网络连接点，没有走到一起，而是中间隔了一道未布线区域，有的走线为了尽量走款，出现了锐角，估计可能是铺铜直接扑过去的，能请教一下为什么说走的漂亮吗 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | PCB 设计的很专业，但不知防雷电路中尖端放电设计，会不会在多次雷击后还有效，我以前用过此方法，但1-2次雷击后放电电路PCB会炭化，造成漏电短路。 |
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 其实产品寿命期间，接受雷击的次数是满足要求的，防雷器件比如说压敏电阻，他的通流量可能在接受雷击五次以后要降低一半，终身寿命也就是接受雷击次数10次，但是雷击的概率很小，在产品寿命期间假如三年，他也就接受雷击1次，遭雷劈也是个概率啊 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 以前，考虑防雷也这么画。现在产品耐压要求8kVac，去掉了。
此种尖端，耐压要求不超过2500Vac。 |
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | |  请教一下楼主，红色标注出来的这些部分为什么要这样画，这样的设计有什么好处吗？ |
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 99se里就是bottom solder 层画的.就先画底层形成大致图形. |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | 请问这个PCB上，那些“刺状”的布线是做什么用的？ |
|
|
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | 想请问下邹工，桥堆前后没有安规距离吗？有的标准好像有规定交流到直流的距离大于2MM，我量了下你这里不到1MM，请指教！  |
|
|
|
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | 大哥，有机会合作吗。 兄弟是做变压器的，有机会支持一下我啊。QQ 909993856 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 客人要求比普通的适配器高很多，所有的测试都必须有报告来支持，特别是温升标准，在55度的环境下老化，产品里面的电解电容温度不能超过85度，寿命要求10年，还有降额方面，MOS，肖特基，电解电容必须降额80%使用。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 先说方案选择，因为之前用OB2263做过很多产品，但是有些功能已经不能满足客户的要求，如过压锁定，能效等级等方面，多方了解过后，发现OB2263出现了新的版本OB2273，不断有OVP锁定功能，而且在能效方面做了提升，所以最后决定就用这颗料来做。
其实现在可供选择的芯片很多，如绿达的GR8837，BCD的AV3105等，都可以满足这个要求，并且是PIN-PIN的。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 在MOS的选择方面，由于客人对产品整体的温升要求很高，所以MOS的温升一定要控制好，还有产品体积空间也不是很充足的情况下，经过一番斟酌后，最后选择了fairchild的FCPF8N60，这颗料是在普通平面ＭＯＳ的工艺上做了改进后的产品，主要是Rds比普通MOS要低。 |
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 在谈肖特基，首先就是耐压的问题，初步估算了一下，肖特基的峰值在200V左右，之前设计的产品用的耐压最高的也只有200V，最近有几家公司已经开发出了耐压300V的肖特基，但是单价很高，经过一番评估，最后决定选用快恢复管来做输出整流，具体规格为5A 300V，to-220封装的快恢复，为什么要选择TO-220封装呢，主要是温升方面的考虑。 |
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 大师，我发现你的环路设计的很大（比如MOS和辅助绕组的环路）？不知道是不是这样？小弟刚学，还请多指教！！！ |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 说到环路，我来谈一下，
１.ＭＯＳ的环路有两条，一条就是驱动，一条就是电流检测，要明确一点的是驱动电阻最好靠近MOS的栅极，电流检测的电阻和电容最好靠近IC的sence脚，中间的线路长短不会影响太大；
2，辅助绕组环路，对电路性能影响不大，关键是电压的高低；倒是反馈的环路长短会影响到电路的一些电性指标多一点。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 大师，明白了。反馈的环路是不是说光耦的接收管的线路？C9是起什么作用？有什么好处？ |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 光耦的接收管的线路是有包括在内的，C9这个电容用在431的下偏置，作用是当431的电流有变化时，给431器补偿作用的，不用也不会有太大影响。 |
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 是不是MOS管的主回路走在驱动电路的贴片电阻下边有点不妥呢？LZ。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 请大师详细讲解下驱动和电流检测这两个环路怎么起作用的啊。Q1的驱动占空比是有反馈电压决定的吗？我怎么找不到反馈回来的电压进芯片呢？ |
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 邹工您说的没错。
比如还有无锡硅动力的SP5630，也是PIN-PIN的，并且在能效等级,过压保护，EMI ,EMC方面都有比较突出的性能优势！
附件是IC规格书资料. 邹工,如有需要的话可以联系我 134 1897 7505 曾生 QQ:1752848315
SP5630_V2.3.pdf |
|
|
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 看了一下PCB，问一下R4和 C1,这两个本来就是IC的外围元件，为什么要选择单点接地啊？尤其是R4这应该是设置IC频率的电阻吧，怎么不和IC共地呢 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你好，OB2273的4PIN是多功能PIN脚，频率电阻已经内置，这个PIN脚是用作保护功能的，
选择这种接地方式主要是EMI方面的考量。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我怎么看到的SCH上面 R4和C1都和IC是共地的啊？整个电源就是变压器T1的初级和次级是隔离的吧？ |
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 变压器用飞线 ...生产加工虚焊不会很多吗？??工艺改如何控制好? |
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 感觉工艺处理上不是很合理啊，小电解电容旁边的管子和电容之间为什么不加绝缘的东西，像环氧板。大的电解电容为什么不加固定措施，或者立板进行固定 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这个玩意要多少钱？我估计你的成本都得100左右吧！你打算卖几百啊？ |
|
|
|
|
|
|
| | | | | | | 求全套资料[email=13696432542@163]13696432542@163[/email].com |
|
|
|
| | | | | | | 本人是电源新手，楼主能不能把资料打包发我lyncjwp@qq.com让我研习下，最近压力好大，做LED电源不会，找不到练手的。谢谢了。 |
|
|
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | PCB板画的很漂亮。
友情提示：品字插座没有接地，输出肖特基无散热位置，只适合做小电流输出，通用性不强。 |
|
|
|
|
|
|
| | | | | | | 期待楼主进一步更新，这种原创帖顶，分析透彻内容详细 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 一般意义上指的是环路开路后造成的过压，比如光耦开路或短路，431失效等。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 还有一种就是从输出端往里面灌高过输出规格的电压，看电源是否会保护。 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 斑竹，能不能发给我个整套呢？249395523@qq.com |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 不要着急，后面会全部公布，包括原理图，变压器，以及BOM表。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 最好能把你设计的是考虑的因素和步骤，都写下来。就像前面几贴那样，辛苦斑竹了。 |
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 您好。楼主。想问下这种保护有什么特别的好处吗？为何电压消掉了还不让他保护取消呢？还要重启？ |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 大师介绍下 这个输出过压的锁死保护过程啊 让小弟开开眼哈 谢谢了。最近正在加紧研究您这款电源呢 很多不懂 请多多指教 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 要求很高,,,,这样做产品才做出来应该在国内数1数2了吧？ |
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | 输出48V 地和电源输入PE 之间不能短路..? pe 是指？ |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | PE是指三芯插头中接“大地” 的线，也就是常见的黄绿线 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | 哦...明白了，那这条指标可有可无啊..因为隔离的电源不存在这问题 |
|
|
| | | | | | | | | | | 10年寿命指的是整机吗?在什么电压下,满符合吗?按照什么算的? |
|
|
| | | | | | | | | | | | | 其实影响电源整机寿命的元器件就是电解电容，只要电解电容的寿命达标后，基本上整机寿命就可以达标，
还有一般估算电源寿命，就是估算电解电容的寿命。 |
|
|
| | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分：110999
- |
- 主题：142
- |
- 帖子：46127
积分:110999 版主 | | | | | | | | 能够提供你关于电解电容寿命估算的计算方法来学习学习？ |
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分：110999
- |
- 主题：142
- |
- 帖子：46127
积分:110999 版主 | | | | | | | | | | | |
|
|
|
| | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分：110999
- |
- 主题：142
- |
- 帖子：46127
积分:110999 版主 | | | | | | | | | | | | |  我那是红宝石的，你这是绿宝石的，不知道有没有蓝宝石的。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 红宝石电容: 日本红宝石( Rubycon)
绿宝石电容: 肇庆绿宝石电子有限公司, BERYL
蓝宝石电容: 日本Nichicon（尼吉康）电容, 另一个是国产电解电容品牌，英文为Rukycon"高仿山寨"红宝石 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 还没用过 高仿山寨的 红宝石电容，哪里生产的？文工用过吗？ |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 没有用过,也是以前听说过,所以才猜是高仿.现在市场上真正的红宝石电容难买. |
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 还有一家日本的是NCC 黑金刚;市场上假货居多,不仅电容如此,ST/FSC等器件也是如此,只能清者自清; |
|
|
| | | | | | | | | | | | | 关于电解电容寿命，想请教一下
以不考虑纹波为例，
看到楼主的热分析报告里，电解降额为85摄氏度，那么即使采用市面上已经算高端的电解电容 105度12000小时品来计算：
12000*4=48000小时，作为通信电源，应该是24小时工作吧
48000小时=5.5年，
不知道楼主是采用什么方法来过10年寿命要求的 |
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 电容寿命不是你这么算的，电容寿命要考虑电流高频纹波，电流低频纹波，实际运行温度，假电容温度等，具体计算在电容的datasheet上会有明确表示的。最后才能得出一个估算的电容寿命。 |
|
|
| | | | | | | | | | | 寿命10年 请问楼主是如何来确定大概寿命时间...仅仅只是看电解？ |
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | 请教一下，CS检流电阻（即那个功率电阻）的地与IC的地合在一起好，还是分开好呢？
另楼主所说的IC检流电阻与电容靠近IC会好，这个电阻与电容是不是起到RC滤波的那个，且为什么靠近IC会好，GATE驱动电阻又为什么要靠近栅极呢？ |
|
|
| | | | | | | | | | | | | 功率地与IC地分开会好一点，主要是存在电流串扰的问题，影响EMI。
关于“IC检流电阻与电容靠近IC会好，这个电阻与电容是不是起到RC滤波的那个，且为什么靠近IC会好，GATE驱动电阻又为什么要靠近栅极呢？” 这个问题，其实这个是常识问题，在最初的设计中，注意到这些问题，会给后面的工作带来方便。 |
|
|
|
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 请楼主详细说下呀
关于“IC检流电阻与电容靠近IC会好，这个电阻与电容是不是起到RC滤波的那个，且为什么靠近IC会好，GATE驱动电阻又为什么要靠近栅极呢？” 这个问题 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | IC检流电阻与电容靠近IC会好，这个电阻与电容是不是起到RC滤波的那个，且为什么靠近IC会好？
这个主要是减少对IC内部的一个NOISE干扰，还有就是电流检测的精度。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 回答另外一个问题：
GATE驱动电阻又为什么要靠近栅极呢？
开关管驱动信号电路，开关管驱动电阻要靠近开关管，可提高开关管工作可靠性，这和功率 MOSFET高直流阻抗电压驱动特性有关。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 来谈谈变压器吧，变压器也是大家比较关心的。
变压器的设计考虑的因素特别多，需要通过不断的计算和验证来确定，确定后还需要优化，让电源工作在最好的状态。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 首先要考虑温升，安规对变压器的温升有着明确的规定，Class A的绝对温度不超过90°C；Class B不能超过110°C。因此，温升一定要设计在规定范围内，这是我们设计变压器必须遵循的原则。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 在来说一下变压器的设计和计算，如果大家有什么好的方法和经验也可以发出来大家探讨。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 在变压器设计之前，首先要确定两个材料（初级的MOS和次级的肖特基）的耐压和所需要留的余量。确定这两颗料后，才能大致计算出变压器的初次级匝比。一般开关器件电压应力的余量都留20%。
匝比的选择既要考虑MOS的耐压值，也要考虑输出端肖特基的耐压值。 |
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 又来了，大师。
选择MOS和肖特基时，器件的额定电流如何选取呢？ |
|
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | 规格中提到输出上升时间(非容性负载下)为50mS max, 不知道低压下真的可以吗?看启动电阻有750K |
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | 这个测试结果有待商祺。
低压高于高压时间。而且从图中没法看到上升的斜坡曲线 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 422楼...
当时我也感觉这个时间有点奇怪,为什么高压启动反而比较低压启动要长?
后来自己测了一些,主要原因在:
1. 采用触发模式下捕捉的波形很难有重复性.所以每次都有点误差.
2. 仪器也有误差.
3.电源冷热机后也有差异.
所以对于mS级信号,这种测试很难看出真正的差异. |
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | 继续讨论变压器的计算：
确定好匝比后，下一步就是计算最低输入电压和最大占空比，具体计算如下：
 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 为什么要计算最低输入电压呢？因为后面计算初级匝数的时候要用到，具体原因如下：
我个人觉得应该从能量传递的角度开始推导，这样更容易理解。电源变换归根到底还是把初级的电能传递到次级，只是在变换过程中同时进行了电压调整。无论是隔离的还是非隔离的电源都要传递能量，通常我们使用的能量存储装置都是电感/变压器（用电容做储能器件的不在本帖主题了）。这也是为什么设计电源首先考虑的就是用什么铁芯和拓扑，确保使用某铁芯和拓扑能达到输出功率的要求后，再才进行其他周边电路和器件的设计。
电感/变压器的储能公式E=1/2*deltaI^2*L，而对于PWM控制方式而言，deltaI*L=Vin*D*T，所以E=1/2*(Vin*D*T)^2/L。由此可以看出，在频率不变的情况下，要输出同样大的功率，电压越小就要求电感越小或者占空比越大或者两者同时变化。
事实上当一个电源设计好之后，其磁性器件的电感值已经固定，所以电源在不同输入电压时就是通过调整占空比来保持输出电压恒定的。那么对于宽电压输入电源就要求Vmax/Vmin=Dmax/Dmin，对于不同的拓扑，D受到不同的限制，一旦选定用单端反激，就必须使Dmax<0.5，而Dmin只受到芯片本身的限制。到这里就很明白了，主要边界条件是Dmax，而Dmax对应的就是Vmin，所以要用最低输入电压来计算。
至于不用最低输入电压来算会有什么问题也很明显了，L太大输出功率达不到设计期望，芯片就会调高占空比，此时电感/变压器就有饱和的风险。即使你选了一个Bmax很大很大的变压器，Dmax超过0.5还没饱和，输出功率也会达不到设计要求（L太大导致deltaI过小，输出能量不足），如果有初级电流控制则会过功率保护，如果没有电流控制，芯片不断加大Ton，若干周期后变压器最终还是会饱和。 |
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我想请教个问题,像这种适配器,如何精确设置OCP点呢?谢谢 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 就文工这个问题，我谈两点看法：
1.关于OCP过流点的问题，现在谈的最多的就是如何做到减小高低压输入时过流点偏差；还有就是OCP的精度，关于高低压输入偏差的问题，可以做一些小动作来解决，如果要求精度很高，还得在后极加一些电路才能达到效果。
2，不知道文工对这方面有什么好的招数呢？ |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我就不是懂这个怎么设置的,完全靠IC的电流检测吗?
说个实际点的吧.
假设输入电压固定,如果输出1A,你怎么控制OCP在1.2A? |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | OCP可以通过加前馈补偿的方式来实现低压和高压时候的OCP点，最简单的做法就是从直流母线上拉一个电阻到CS脚，调整这个电阻的值，可以做到高压和低压的OCP点偏移不大。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这个有见过,但我具体的是想知道怎么计算OCP点... |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 计算过流点是有公式的，一般做容差分析的时候会用到。
首先要测试Vcs点在这个输入电压情况下的电压值，然后除以CS电阻，得到一个Ip-ocp电流，然后用Ip-ocp乘以变压器的匝比，得到Is-ocp电流。
然后过流点Io就等于二分之一的Is-ocp乘以（1-D），D为占空比。 |
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 请问下哈，R12放在这里有啥子功能？
还有啊，LZ你匝比是怎么确定的？ |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | R12上面写的是0R,应该是预留给作辐射测试调整用的. |
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 关于匝比的确定，也是有一些计算方法的。
MOS管开的状态下，匝比要满足以下公式：(0.8乘以输出肖特基的耐压Vd) 大于（ 最大输入电压Vin-max除以 匝比N 加上 输出电压 Vo）;
MOS管关断状态下，匝比要满足这个公式：(0.8乘以MOS的耐压) 大于（ 输出电压Vo+输出肖特基二极管的压降Vf 乘以 匝比N 加上 最大输入电压Vin-max）。
这样计算出来就得到一个最小匝比Nmin和一个最大匝比Nmax，匝比就在这两个值之间折中选择即可。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 看来Z兄与我有点相似,对OB的那二个图铭记于心... |
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 什么样的图啊,好奇心都勾起来啦
发出来看看嘛~ 让晚辈学习一下  |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | MOS管关断状态下，匝比要满足这个公式：(0.8乘以MOS的耐压) 大于（ 输出电压Vo+输出肖特基二极管的压降Vf 乘以 匝比N 加上 最大输入电压Vin-max）。
====>> 0.8*600>(48+0.5)*n+375
====>> n<2.16
=====>> 0.8*300>375/n +48.5
======>> n>1.9 n取2.
这样对吗？
还有啊当我输出肖特基的耐压取200V呢，不会烧坏吧，但是这样这样n>3.36,结合n<2.16 那n取什么值呢。
所以我想问下楼主匝比这么取是最佳的吗？
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | n>3.36,结合n<2.16 就证明了200V耐压的整流管不能用
n<2.16 n>1.9 证明300V耐压的整流管正好
以上前提是MOSFET耐压600V
选200V耐压的整流管时候,MOSFET选800V的才对,结果是:
n<5.46 n>3.36 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 楼上说的非常对，  基本上是这样。
还需要好好验证。 |
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 基本是这样子，这个稳压管的值是可以改变的。主要是考虑TL431的耐压值。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 谢谢楼上解答，那不是选取耐压值不同，匝比不同了，一个n=2，一个n=4
根据Dmax=n*（Vo+Vf）/[n*（Vo+Vf）+Vin min] 我算的Vin min=75V
这样Dmax=0.56 和 Dmax=0.72了。
但是我们反激时，假设Dmax小于0.5的。
还有，公式里的Vin min应该是次级反射电压Vor呀。
糊涂了，希望再解答一下，谢谢 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 计算顺序反了
应该是:
1 占空比D和Vinmin确定
2 算出匝比
3 计算MOSFET和整流管应力
4 选择合适耐压的器件
刚才n=2也好n=4也好,都是是100Vac到240Vac电压下的情况
你套到75V里面去肯定不对,要选其他器件
还是等楼主发完帖子,按顺序再回头捋一遍吧,再聊就跑题了...
最后,至于公式里Vmin是不是应该Vor...忘了...都是做mathcad...时间长了,记不住了...菜鸟露馅了...大师来吧...  印象中没错... |
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 楼主，对于“MOS管关断状态下，匝比要满足这个公式：(0.8乘以MOS的耐压) 大于（ 输出电压Vo+输出肖特基二极管的压降Vf 乘以 匝比N 加上 最大输入电压Vin-max）”。为什么这里不考虑由于漏感产生的一个电压呢？望指点。 |
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 接着KYO兄的问题,有过这样的印象,也不知道是哪个人说的: 稳压二极管的可靠性极不好,能不用就不用. 不知道KYO兄的高见?
如果去掉稳压管的话,最方便的就只能通过另一个绕组了,但这样元件势必增加了,可靠性又是个问题了. |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 文工见笑啦！
1、个人愚见啊，自我感觉还是绕组比较稳定，串稳压管可能会影响环路的稳定性！
2、还有个问题，楼主的R21为何取的这么小？是因为串了稳压管的原因吗？我以前看过817的典型参数应该是在5——20mA；流过内置二极管的电流过大，影响器件的寿命等等。
3、还有个问题要像楼主请教，你的电源寿命是10年，MTBF是250KHS，我想问下为何MTBF比你的电源寿命还要长？我一直觉得电源的MTBF应该比寿命短！ |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 1、个人愚见啊，自我感觉还是绕组比较稳定，串稳压管可能会影响环路的稳定性！
2、还有个问题，楼主的R21为何取的这么小？是因为串了稳压管的原因吗？我以前看过817的典型参数应该是在5——20mA；流过内置二极管的电流过大，影响器件的寿命等等。
3、还有个问题要像楼主请教，你的电源寿命是10年，MTBF是250KHS，我想问下为何MTBF比你的电源寿命还要长？我一直觉得电源的MTBF应该比寿命短！ |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 回答一下第三个问题，理论上如你所说，但是我们客人的意思就是这个电源在标称寿命的时间段内不允许有坏机，可见要求相当高。 |
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | R21只取510R,正如你所说的上了二极管,所以减去这个折扣,等价输出 20V左右 |
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 礼拜一我去实际测试一下，看此处实际电流到底是多大？好给大家一个结果。 |
|
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | 没看到检测输出电流的元器件，怎样控制输出电流的呢？ |
|
|
|
| | | | | | | 顶到250贴时上 变压器资料 请大家继续关注，变压器的设计计算后面会继续谈到。 |
|
|
|
| | | | | | | | | | | 怎么，文工也感兴趣啊。如需要可以发邮件给我。lotzou@goldenregent.com
也可以发站内信。 |
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | 中间扯了一些别的话题，继续回到变压器的设计问题上来。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 上一贴已经说到计算最低输入电压和最大占空比，也说到为什么要计算要最低输入电压，
现在开始谈反激变换器的一个工作过程的分析，一般需遵循以下原则：
低输入电压的情况下，负载从轻载加到重载，变压器需要经历这样一个过程，断续DCM---临界BCM----连续CCM。
高输入电压的情况下，负载从轻载加到重载，变压器一直处于断续DCM模式。 |
|
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | 邹工，能不能将2273的应用文档，还有DEMO 资料放上来啊，谢谢！！ |
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 还有一点需要注意的是，OB2273有两个版本，一个是2273后面不带A，一个是2273后面带A，两个版本的区别在于，OB2273A带OVP锁定功能，OB2273是OVP保护后会自动恢复的。 |
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 继续变压器，上贴说到不同情况下变压器的工作模式，现在再来说一下变压器初级临界电流平均值和峰值，这个后面计算变压器电感量时需要用到。
一般我们在设计变压器的时候，一定要将前提条件搞清楚。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 计算变压器初级临界电流平均值和峰值的条件就是：按照最小输入电压（Vin-min）和最大输出功率（Po-max）。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 还有一点就是我们将变压器设计在多大输出功率的情况下工作在DCM/BCM/CCM模式呢? |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 其实个人觉得30-50% 功率定义为BCM就好。。。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 接着说173贴的问题，我是这样认为的：
一般输出功率在最大输出功率的三分之一时，设定变压器工作在BCM临界模式比较好；
输出功率小于最大输出功率的三分之一时，设定变压器工作在DCM断续模式；
输出功率大于最大输出功率的三分之一时，设定变压器工作在CCM连续模式。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 然后在BCM模式下，计算最小输入电压时的平均输入电流，计算方式如下：
平均输入电流Iin-avg等于输入功率Pin的三分之一除以最小输入电压Vin-min。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 接着计算变压器的初级临界电流峰值,按如下方式计算：
初级临界电流峰值△Ip=输入峰值电流Ipk=2倍的平均输入电流Iin-avg除以最大占空比Dmax。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 如果是这样的话 CCM比DCM的峰值电流还要大。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 其他条件相同时，DCM比CCM的电流更大，Np更少，但由于整流二极管没有反向恢复尖峰、主开关管关断时漏感尖峰也更低。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | 版主是不是说反了，今天公司一个机子就是这个IC，短路的时候保护，不能自恢复，OB2273A是自动恢复的吧，现在谢谢版主的细心教导，感谢！ |
|
|
| | | | | 什么破东西 看看我的分享吧，保管对你有用。启动电阻照我的做就是啦 |
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | 在MOS管的D级这样接还真没试验过，礼拜一去按大师说的解一下，看看效果
 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 250贴时上变压器资料，大家继续关注。需要申请套件的可以报名啦。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | 下一步计算变压器的电感量Lp，在计算感量之前需要知道最低输入电压时，BCM状态下的最大导通时间Ton-max。
Ton-max=1/频率fs*最大占空比Dmax。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 变压器的初级电感量就可以计算出来啦，如下：
Lp=（最低输入电压Vin-min*最大导通时间Ton-max）/临界峰值电流△Ip |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 临界峰值电流△Ip
怎么算呢？就是这个峰值电流不好算？能不能把CCM,BCM,DCM的初级峰值电流的算法都说下，比较下。 |
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | QQ:592107192 Email：Lotzou@goldenregent.com |
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 计算出了感量，下一步就是确定磁芯，确定磁芯一般用AP法。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 首先提出自己对AP法的一些看法
AP法是磁心截面积与磁心窗口面积的乘积，磁心截面积与电压有关，窗口面积与电流有关，AP值实际是电压与电流的乘积，AP值与功率有关这个大方向是不错的。至于计算结果发生大的误差可能原因有：
1. 计算公式的推导出现了问题
2. 计算输入的参数与实际不太吻合
3. 现实中的一些问题，公式不可能包括进去。
要找出这些问题的凝结所在，可以用倒推法一步一步的解析，将一个成熟的变压器设计用的参数，代入公式看差别出在哪里。 |
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | 楼主：
您好！
我申请一套套件。
xsong68@163.com |
|
|
|
| | | | | | | 大师 你的那种方法貌似也有问题啊 用在这启动电流小的IC场合还好 我刚才试的是3842 下限满足启动电流时候 上限电阻功耗也没什么余量 还有就是用FR107整流出来的电压 会随着负载的变化 有些许变压 姑且可以忽略 260VAC时 二极管整流出的电压比大电容上的电压还高 何尝说能够降低电阻的功耗呢 求赐教 |
|
|
| | | | | 版主，能否讲讲LF1 LF2 的材料是什么啊？没有用过这种，经常用UU9.8等等，
还有想请教一下，这种环型和UU9.8的相比，有什么区别吗？ |
|
|
| | | | | | | 有可能是一个锰锌+一个镍锌...
UU系列是最常见的,成本相对来说低点,容易批量化,性能上还是取决于磁芯 |
|
|
|
| | | | | | | | | UU绕线容易刮伤、磁芯接缝处容易浸胶，从而产生电感量↓ |
|
|
| | | | | | | 用那种滤波器，主要取决于你的体积，其实功能是一样的。 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 楼主兄，是专业人士啊，连EMC都可以测试，能都将你的整套资料发给我学习一下呢，在此借你的资料提升一下自己的知识面，我的邮箱是 xsong68@163.com，谢谢！！！ |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 楼上的两位，资料已发，整套资料后续会全部贴上来，大家可以继续关注。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 既然是DIY，就是要将过程贴出来，跟大家互动讨论，让自己的知识面得到提升，方便以后的工作。 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 邹工，对于184L 185L得到初级临界峰值电流不解。
我找到了资料，资料如图，但是也就这2个公式套入就没了。对于想我这样的菜鸟
还是不明其中的真谛，学习变压器设计不等于只记公式。所以请邹工或高手给我
解答一下这2个公式。真心感谢
 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 平均电流一般在临界模式和输出最大功率的三分之一的情况下计算，
Iin-avg为输入平均电流
初级临界峰值电流其实就是源边峰值电流。
不知楼上具体是哪里不明白呢？ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 大家继续关注，后面会将原件应力报告和热分析报告传上来。  |
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 楼主专业人士啊，这两个报告第一次听说啊，期待着。。。。。。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 元件应力分析报告主要是考察所用元器件的耐压是不是工作在标称耐压值以内 ，耐压余量有多大？
热分析报告，主要是考察每个器件的工作温度是否在器件的标称温度值以内，温度余量有多大？ |
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 请问NP如何算？按CCM模式的感量和电流，还是按BCM的电感量和电流呢？ |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 按BCM模式来算，因为你的最大导通时间和峰值电流都是BCM状态下计算出来的参数。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 如果不按1/3在输入功率来算（按满载输入功率算），是不是满载时就是BCM呢？不是满载就全是DCM呢？ |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 平均电流一般在临界模式和输出最大功率的三分之一的情况下计算..
请问这个的依据是？？ |
|
|
|
等价输出20V，那流过光耦的电流多少
一直看错了。。。丫的 SORRY
加上这个就水了
