![](static/image/common/l4.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | 仿真波形:(可以看到MOS关断后还有1.6V左右的凸起电压,这个可能会有直通的危险)
![](https://cdn13.21dianyuan.com/attachments/jpg/2012/04/11/13341468334f85771127956_small.jpg) |
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| ![](static/image/common/l4.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | | 实测波形:空载没有加主电的时候,波形很完美,关断速度非常的快)
![](https://cdn13.21dianyuan.com/attachments/png/2012/04/11/13341469414f85777db56e3_small.png) |
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| | | | | ![](static/image/common/l5.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | | | | | | /*********** 广告已删除 ***********/ |
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| | ![](static/image/common/l5.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | | | 请问:这里的小平台是什么原因造成的呢?做实验也发现这个平台
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| ![](static/image/common/l4.png) | ![](static/image/common/l6.png) | | | | | 开通时,上升沿那个小台阶是什么原因造成的?对电路有什么影响? |
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| ![](static/image/common/l4.png) | ![](static/image/common/l6.png) | | | | | 以前没号,现在再顶一下张工!别见怪哈!!!学习了! |
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| ![](static/image/common/l4.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | | 这种电路的优点是电路简单可靠,关断时有反压,保证开关管迅速关断,并且在双正激电路并联时有反压保护关断的开关管不误导通。电路的缺点是在一管电路关断时,另一组上会感应出约2V的电压尖峰,可能会引起误导通。 |
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| | ![](static/image/common/l4.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | | | 这种电路如果能消除那个2V的电压尖峰,应该是最理想的。 |
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| | | ![](static/image/common/l4.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | | | | 可是很难消除啊,哈哈,大家有什么高招啊,我推进还是用IBM的那个驱动电路好。 |
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| | | | ![](static/image/common/l5.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | | | | | 可以考虑在MOSFET的驱动电阻之前串联一个3.3V左右的稳压二极管,来消除误导通的可能性 |
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| | | | | ![](static/image/common/l5.png) | ![](static/image/common/l6.png) | | | | | | | | | 正向开通正常的电压也会给你削掉,所以这个还是有待考虑 |
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| | ![](static/image/common/l5.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | | | 这跟驱动变压器的漏感有关,漏感小的话不会有那么高的感应电压出现。 |
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| | | ![](static/image/common/l5.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | | | | 应该不是这样的吧,我仿真发现漏感对那个凸起影响不大的。驱动变压器的漏感可以控制在0.5UH以下的。(1mH的原边感量) |
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| | | | | ![](static/image/common/l5.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | | | | | | 这个是下管开通时感应过来的电压,如果独立去驱动,就没有这个凸起了的, |
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| | | | | | ![](static/image/common/l5.png) | ![](static/image/common/l6.png) | | | | | | | | | | 通过仿真发现,确实把驱动变压器做成两个就没有那个小尖峰。
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| | ![](static/image/common/l5.png) | ![](static/image/common/l6.png) | | | | | | 但是且看刘胜利老师的写的书,和他制作的全桥软开关电源,采用的都是这个驱动电路。
阮新波老师写的《脉宽调制全桥软开关电源的》一书的驱动电路也是这样的。
华为早期的通信电源的驱动也是这样的。可见此电路定有可取之处的。 |
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| ![](static/image/common/l4.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | | 这种电路教第一种电路比较起来,可靠性应该高许多的。 |
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| | ![](static/image/common/l5.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | | | 这种电路可靠性高吗?好像没有死区呀。
实际上,变压器驱动有着天然的局限性。
关键在死区期间,一对驱动的波形到底是什么样子的? |
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| | | ![](static/image/common/l4.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | | | | 展开一下思路
变压器驱动有天然的局限性
那么是否可以做某种其他方式的驱动,譬如光耦驱动(也是隔离),再或者推挽芯片驱动(假设有这么种芯片的话)。
如果用上面说的光耦合驱动,或者推挽芯片驱动的话,他们又有什么缺点呢,当然是理论上的。 |
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| | | | ![](static/image/common/l4.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | | | | | 其实变压器驱动,要出问题就会出现在死区时间里的,变压器驱动有他的优势,我觉得可靠,陈本低,光耦驱动陈本高,且很多大厂的大功率电源很多都是用驱动变压器的,一些资深工程师设计大功率的电源的通常也都只考虑变压器驱动的。 |
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| | | | | ![](static/image/common/l4.png) | ![](static/image/common/l6.png) | | | | | | | | | 变压器驱动,体积相比要大一些,这个要权衡。
不过这里只是讨论是否可行,譬如某个新型的专门驱动芯片 |
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| | | | | ![](static/image/common/l5.png) | ![](static/image/common/l6.png) | | | | | | | | | 变压器驱动稳定性好,光耦有个CMR的问题,稍微大点的DVDT应用就会出现问题。
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| | | | ![](static/image/common/l5.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | | | | | 光耦+4427这些是可行的但得给驱动另外加一组电源,用2个驱动变压器上下臂独立驱动(正激式或图腾柱式)可消除死区震荡,波形很完美。 |
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| | | | | | ![](static/image/common/l5.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | | | | | | | 可以考虑变压器变态绕法:初级绕在中柱,2个次级分别绕在2个边柱 ![](https://bbs.21dianyuan.com/classes/resource/kindeditor/plugins/emoticons/13.gif) |
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| | | | | ![](static/image/common/l5.png) | ![](static/image/common/l6.png) | | | | | | | | | 大哥你好,看帖子估计你是用过半桥独立驱动变压器了。请问,这样做是不是大大提高可靠性?还有就是这种电路在驱动变得初级是直接并联还是怎么处理?期待您的回复
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| | | | ![](static/image/common/l4.png) | ![](static/image/common/l6.png) | | | | | | | | 楼主是根据实际电路参数仿真的吗?有空请教你Saber如何使用 |
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| | | ![](static/image/common/l4.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | | | | 应该是阶梯波。变压器驱动最大的风险在于对管之中有一个击穿或者烧了,另一路还在工作 ,这时候波形变成方波,管子直通。焦头烂额中! |
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| | | | ![](static/image/common/l5.png) | ![](static/image/common/l6.png) | | | | | | | | 对管之中有一个击穿或者烧,那说明你设计有缺陷,或元件质量有问题 |
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| | | | ![](static/image/common/l5.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | | | | | 你好,我搭的电路负载接电阻时波形就是您图示的这样,但是负载换成变压器原边时波形就没有电压为0的部分了,这是怎么回事?电感楞次定律的原因么? |
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| ![](static/image/common/l4.png) | ![](static/image/common/l6.png) | | | | | 第四种驱动电路的元件参数不是很清楚,请楼主转成PDF格式.谢谢! |
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| ![](static/image/common/l4.png) | ![](static/image/common/l6.png) | | | | | 请问瞬态仿真参数怎么设置的啊???我设置的报错。。 |
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| ![](static/image/common/l5.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | | 您好,搞不明白,门级与源级并联两个相对二极管的作用,您能解答下吗?
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| | | | | ![](static/image/common/l5.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | | | | | | 哦哦,这两个二极管是属于稳压管,那是为了抑制在什么状态的纹波或尖峰呢?谢谢 |
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| ![](static/image/common/l4.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | | 这个驱动电路经过反复仿真,参数调整修改,波形比较的理想,负压非常的好,无需外加负压电源,这种驱动电路对IGBT和MOS应该说是通杀的。 |
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| | | ![](static/image/common/l5.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | | | | RC时间常数太小了,Q7没起作用,R21建议数百到数k,C30可以去掉,直接利用MOS内部的ciss,一般都会有数百个p,边调整R21参数边观察波形,以上升沿的刺刚好消隐为好,要注意过度延时会使死区变大 |
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| | | | ![](static/image/common/l5.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | | | | | 嗯,谢谢大师的赐教啊,受益匪浅,能完全的消除米勒平台驱动波形将会变的非常漂亮。
不过我目前驱动电路已经改掉了,占空比比较小的都不用这个电路了,这个电路在占空比可调的地方病没有什么优势。 |
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| | | | | ![](static/image/common/l5.png) | ![](static/image/common/l6.png) | | | | | | | | | 请问兄台 可以分享下 占空比较小的驱动电路不 现在正在做可调电源 发现占空比小的时候 驱动负压就很小 甚至没有了 (驱动IGBT) |
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| ![](static/image/common/l4.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | | 这个看样子关断比开通还要慢,有500nS左右,MOS会很烫吧 ![](https://bbs.21dianyuan.com/classes/resource/kindeditor/plugins/emoticons/22.gif) |
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| | | ![](static/image/common/l4.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | | | | 150nS太保守了 ![](https://bbs.21dianyuan.com/classes/resource/kindeditor/plugins/emoticons/13.gif) ,实际上二极管和三极管做关断没有什么区别,关断可以做到<100nS(驱动20A/600V左右的另外从你贴的这些图看,上升沿那个坎没有处理掉,这道坎也是相当致命的 ![](https://bbs.21dianyuan.com/classes/resource/kindeditor/plugins/emoticons/44.gif) |
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| | | | | ![](static/image/common/l4.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | | | | | | 大湿 ![](https://bbs.21dianyuan.com/classes/resource/kindeditor/plugins/emoticons/27.gif)
硬半桥或LLC轻载这个坎就出来了..第一种我没试过,倒是最后一种(沃尔曼?)可以有效处理掉
![](https://cdn13.21dianyuan.com/attachments/jpg/2012/04/20/13348853434f90bbdf41f21_small.jpg)
但这种处理方法会使死区变大 |
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| | | | | | ![](static/image/common/l4.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | | | | | | | 你这个开启的那个坎处理的不错的啊,波形比较的漂亮的,能分享下你的驱动电路不? |
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| | | | | | | ![](static/image/common/l5.png) | ![](static/image/common/l6.png) | | | | | | | | | | | 这个电路实则是一个延时,延时过度的话会挤占有效占空比,相当于是死区变大了 |
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| | | | | ![](static/image/common/l5.png) | ![](static/image/common/l6.png) | | | | | | | | | 大师,没有接负载。这个坎也存在呀!我的是变频调占空比的,不调整这个参数还好,调整了,波形就差了!求指教。 |
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| | | | ![](static/image/common/l4.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | | | | | 既然大师觉得关断速度慢了,再次修改仿真电路,仿真电路中的MOS是IRFP460,在提供负压的基础上,加速关断,此次加速了447ns的速度,就是说,假设以前的关断时间是500ns,那么加速后关断时间为53ns,还请大师告知开启的那个坎如何搞掉呢?
这个电路的优势:
1. 拥有负压,不需要搞辅助电源提供负压。因为拥有了负压,大大提高了驱动的抗干扰 性,使得整机的可靠性大大提高。
2.优化了关断速度,MOS一般需要的是慢开快关,关断速度理论上可以提高到100ns以内。
3.驱动变压器的的副边加了个RC滤波,可进一步提高驱动的抗干扰性。
缺憾:开通的那个坎没有处理掉,大师的坎处理的很完美的,这点还请大师指点下。
![](https://cdn13.21dianyuan.com/attachments/jpg/2012/04/20/13349015364f90fb20547fa_small.jpg) |
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| | | | | ![](static/image/common/l5.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | | | | | | 再次修改电路加了一个阻断二极管,仿真显示可以提高关断速度,显示再次提高了197ns
见下图,(缺憾,驱动电路设计的复杂了点的,但可以肯定,做为IGBT的驱动非常的合适)
![](https://cdn13.21dianyuan.com/attachments/jpg/2012/04/20/13349031204f910150d3b22_small.jpg) |
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| | | | ![](static/image/common/l5.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | | | | | 真武阁,你好。这个驱动的负压(Vgs<0),怎么形成回路那?原理分析,没有形成回路么.拿变压器副边高边的来看,当下正上零时,红圈mos管截止,电压都加在了红圈mos管的s级,没有形成电压回路,那这个后面Vgs负压怎么来?
![](https://cdn13.21dianyuan.com/attachments/jpg/2012/08/02/1343891210501a270aa5a43_small.jpg) |
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| | | ![](static/image/common/l5.png) | ![](static/image/common/l6.png) | | | | | | | 可否推荐一个PMOS管的型号。我用移相全桥,做27V 100A的输出。MOS管用的是英飞凌的C6系列。或者这种PMOS管在选型的时候要注意哪些参数。谢谢 |
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| ![](static/image/common/l4.png) | ![](static/image/common/l6.png) | | | | | 没搞明白驱动的负压是怎么来的,后来看了MTD2955E-TMOS EFET的datasheet,发现它有体二极管的。楼主,这个提供负压的回路是靠这个体二极管么??
![](https://cdn13.21dianyuan.com/attachments/jpg/2012/08/02/13438771905019f046b15c2_small.jpg) |
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| ![](static/image/common/l4.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | | 你好,这个驱动的负压(Vgs<0),怎么形成回路那?原理分析,没有形成回路么.拿变压器副边高边的来看,当下正上零时,红圈mos管截止,电压都加在了红圈mos管的s级,没有形成电压回路,那这个后面Vgs负压怎么来?
![](https://cdn13.21dianyuan.com/attachments/jpg/2012/08/02/1343891101501a269de9ffd_small.jpg) |
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| | ![](static/image/common/l5.png) | ![](static/image/common/l6.png) | | | | | | 请问这里PMOS型号能推荐个吗 ,电容 和G串的电阻取多大?谢谢 |
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| ![](static/image/common/l4.png) | ![](static/image/common/l6.png) | | | | | 大师你好,我在测试这个IBM驱动电路时,发现负压很少,主要原因有哪些方面啊,谢谢 |
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| ![](static/image/common/l4.png) | ![](static/image/common/l6.png) | | | | | 这个电路的精髓不在于有没有负压吧,而是利用了MOS的延时导通吧?
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![](static/image/common/l4.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | 期待大家讨论,提出修改意见,还几种电路我没有实际测试波形,希望有条件的朋友帮忙测试波形,完善本帖。
副边电容耦合性驱动不建议使用,关机的时候驱动电压不能快速规零,存在隐患。
再次说明,驱动很关键,尤其是大功率的桥式驱动更关键了,抗干扰能力,关断和开通速度,EMI等,这些将决定您的产品得可靠性。
仿真的源文件已经上传,有兴趣的可以仿真看看,仿真波形和实测波形基本一致,在仿真的时候变压器一定要设置有漏感的,否则仿真的波形很完美,而实测的就很差的。 |
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![](static/image/common/l4.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | 楼主可不可以把仿真配置参数文件一块上传,初学saber仿真,有很多地方不会设置,多多请教了! |
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![](static/image/common/l4.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | 驱动变压器原边感量和频率有一定的关系,理论上原边的电感量越大越好,所以很多人设计驱动变压器选择高导的磁环或者高导的铁氧体,原边感量大,驱动波形会好看很多的,单感量不可过大,根据工程上的一些经验,一般感量和频率的关系如下:
工作频率(KHZ):10-100 ,初级电感值(mH):2-4
工作频率(KHZ):100-300 ,初级电感值(mH):0.5-2
工作频率(KHZ):300-500 ,初级电感值(mH):0.05-0.5 |
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| ![](static/image/common/l5.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | | 大师,看了你的帖子,请教个问题,为什么全桥驱动有的在三极管上都并有二极管?而你的却没有并?二极管是必须的吗?如下图:
![](https://cdn13.21dianyuan.com/attachments/jpg/2012/04/20/13349253274f91580f53476.jpg) |
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| | | ![](static/image/common/l5.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | | | | 如何减小尖峰的?能否给个详细的解释?我一直认为这个二极管是必须的,谁知道有人说可以不要,但书上或者具体应用上都是有的,很是疑惑。 |
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| | | | ![](static/image/common/l5.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | | | | | 具体应用不见得都要有的。
首先要明白两个二极管的作用的。
D6,D7的作用是提供去磁回路,辅助功能是防止Q2,Q4的反向电压尖峰过大。故这个两个管子是必须的。
D3,D4的作用是防止Q1,Q3的正向电压过大,如果超过VCC电压就会把电压钳位在VCC电压,事实上,Q1,Q3的耐压在设计的时候基本都会选择在30V以上的,那么这个两个二极管是可以不要的。我实际电路也是不要的。
当然如果你是用驱动芯片替代那个4个三极管的话,建议还是要的,通常驱动芯片比较的脆弱的,且最好是可以在二极管那里串联一个10R作用的电阻,可以起到更好的钳位作用的。
这些都是工程上的实际经验,写书的肯定是要加的,所谓书呆子电路,哈哈! |
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| | | | | ![](static/image/common/l4.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | | | | | | 大师,所谓用二极管去磁,完全没有必要,好象论坛里专门有个讨论帖.有没有作用,大师拿掉再仿真下看看. |
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| | | | | | ![](static/image/common/l5.png) | ![](static/image/common/l6.png) | | | | | | | | | | 我不是大师,请不要给我加这个光环的啊,您会把我压趴下的啊,大师都是浮云的。
我仿真去掉后,波形是没有变化的,但是我还是喜欢把他加上的。心理安慰?应该不是的。 |
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| | | | | ![](static/image/common/l4.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | | | | | | 兄弟:我觉得你这个贴非常好!大功率电源的驱动真的很重要,我也是用变压器做驱动电路的,一般都是硬半桥和LLC,我现在正好有个问题,希望你能给我分析一下,如下:
我做了一个900W的电源,硬半桥的,驱动用了一片MIC4424来做电流放大,接驱动变压器原边,串了一个105/100V的电容.这个芯片应该很常见吧,估计你也用过,它里面也是有那4个钳位二极管的,上次生产了2000台,生产反馈坏了50多片MIC4424,我测了VCC电压15V很稳,驱动变压器用的5K的磁环,原副边都22匝,感量1mH,漏感1.5%.还没找到问题,芯片是正品,而且只烧芯片,半桥MOS没坏.你说会是什么原因引起的呢? |
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| | | | | | ![](static/image/common/l5.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | | | | | | | MIC4424强烈建议用12V供电,且要用个13V的稳压管在VCC哪里,这个我也是遇到过的,用15V供电会坏的。 |
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| | | | | | | ![](static/image/common/l4.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | | | | | | | | 你的意思是VCC电压过高导致的,但是芯片资料上最大电源电压是22V啊,而且我的VCC用的是辅助电源提供的后面还有线性稳压,会不会还有其它原因呢,你也遇到过这个问题啊!你当时坏芯片就是VCC引起的吗?另外这个芯片输出要不要接钳位二极管呢,我没加!谢谢你的回复 |
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| | | | | | | | | | ![](static/image/common/l4.png) | ![](static/image/common/l6.png) | | | | | | | | | | | | | | 我做的是半桥电路,上传一下我的驱动波形和驱动电路,貌似跟大师给的电路很相近,初做电路,求大师指点,加主电后,在一个驱动拉低时,另外一个驱动会受到影响,不知道是什么原因,求解! 驱动波形.doc |
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| | | | | | | | | | ![](static/image/common/l4.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | | | | | | | | | | | 驱动波形.doc
我做的是半桥电路,驱动跟您的貌似一样,试验中发现一个管子的驱动会受另一个影响,其中一个关断时,另一个会有短暂上升沿,如何消除?谢谢 |
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| | | | | | | | | | | ![](static/image/common/l5.png) | ![](static/image/common/l6.png) | | | | | | | | | | | | | | | 增加RG电阻,那个干扰会减小或者消失的。但开通速度会变慢的。
最好的还是用我最后仿真的那个电路。 |
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| | | | | ![](static/image/common/l4.png) | ![](static/image/common/l6.png) | | | | | | | | | zcyzvs,D6,D7能防止Q2,Q4的反向电压尖峰过大。这个过程是怎么样的那?? |
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![](static/image/common/l4.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | 死区时间管子是什么状态?值得疑问。
从仿真结果看,比较恐怖。如果不是隐瞒了什么东西,肯定会穿通。看来是留了一手。 |
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| ![](static/image/common/l4.png) | ![](static/image/common/l6.png) | | | | | 陈教授,这个电路没有留一手的啊,实际量产的很多都是这样干的呢,呵呵,在ZVS状态下,其实尖峰会不见得。 |
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| ![](static/image/common/l5.png) | ![](static/image/common/l6.png) | | | | | 陈老师,你好,我也觉得仿真中,导通前的正电压平台比较危险,请问你认为有什么好的办法解决?谢谢 |
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![](static/image/common/l4.png) | ![](static/image/common/l6.png) | | | | 经典啊,学学习啊。那个死区时的台阶和励磁电流有关吧。当处于死区时,驱动变压器要通过次级续流啊,来维持励磁磁动势不变。 |
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![](static/image/common/l4.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | 请问大师这一块电路是怎么工作的,是如何加速关断的,不是很懂,多谢指教啊!!
![](https://cdn13.21dianyuan.com/attachments/jpg/2012/05/13/13369003844faf7b2059e35.jpg) |
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| ![](static/image/common/l5.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | | 异名短电压上升的时候,通过二极管整流后给加速关断MOS一个驱动电压,MOS导通,降主功率MOS的驱动电荷瞬间拉到0V,回路面积最短,所以关断速度非常的快。
次电路实测关断速度很快,我有样机测试,目前尚未有问题,但也是有隐患的,死区时间内的电平不能被牵制在0V,有共同的潜在隐患。大厂的通信电源和电力操作电源有在使用此电路。 |
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| | ![](static/image/common/l5.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | | | 懂了,多谢大湿 ![](https://bbs.21dianyuan.com/classes/resource/kindeditor/plugins/emoticons/0.gif) 指教!对了,在请教个问题,这几种驱动电路最常用的,安全性能最高的是哪个? |
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| | | | ![](static/image/common/l5.png) | ![](static/image/common/l6.png) | | | | | | | | 是62贴的那个电路吗?
我想请教个问题,就是如果占空比大幅度变化的时候,驱动BUCK MOSFET,用变压器驱动可以不?这个驱动变压器该如何做呢? |
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![](static/image/common/l4.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | 磁芯驱动器:可靠,电路简单。没有瞬态反应问题,没有直通,可以单脉冲,简单,输入需要轨-轨电压。
![](https://cdn13.21dianyuan.com/attachments/jpg/2012/08/23/134571627950360037dddc8.jpg) |
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| ![](static/image/common/l5.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | | 对管烧了一个就会直通的。用27524驱动,容易烧掉一路,然后就炸管。这里不好做保护啊! |
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![](static/image/common/l4.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | 谢谢分享!每次看您的帖子和大神们的回帖分析都受益匪浅。 |
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![](static/image/common/l4.png) | ![](static/image/common/l6.png) | | | | 仿真是用labview做的吗 用cadence行不 |
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![](static/image/common/l4.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | 请问驱动变压器原边两颗二极管有什么作用,为什么还串个电阻??谢谢 |
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| ![](static/image/common/l5.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | | 如何控制变压器驱动的死区时间问题呢? 没经过变压器驱动前死区500ns 经过死去时间后,死区时间还有多少呢?,如何控制? |
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| | ![](static/image/common/l5.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | | | 请问版主,在61帖中的电路,加速关断的PNP三极管中,那两个二极管的作用是什么?不加会不会有影响? |
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![](static/image/common/l4.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | 请问LZ图腾柱上面的两个电阻和二极管起到什么作用呢?? |
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![](static/image/common/l4.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | 楼主,我看所有的驱动方式都是正负20V,对称的。假如我的MOS负压只能承受-10V,我想做+13V,-5V的驱动,该如何改呢?求指点 |
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| ![](static/image/common/l5.png) | ![](static/image/common/l6.png) | | | | | Survive兄,有做出来这样的电压驱动吗? 目前市场的SIC类型的MOS管负压最大只有-9V, 普遍-6V的负压,做出+13v,-5v的隔离驱动很有必要,希望可以分享,如何实现?
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![](static/image/common/l4.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | 楼主的精神可敬. 仿真与实际电路应用差别很大, 仿真只是用来验证设计的可行性,
本人有2种 隔离驱动 无损耗驱动 波形整形 加速电路, 特点是无损耗(2mA), 可驱动频率高, 关闭速度快(50-80nS),波形整洁,带管(mos能力强.
电路简单.
这是我通过摸索1段时间,设计出来的,一直在产品上使用,,很想拿出来晒晒, 还是让识货的同行们自己去验证吧
1种是 单驱动, 1种是双驱动(桥臂).
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![](static/image/common/l4.png) | ![](static/image/common/l7.png) | | | | 楼主的电路如果驱动变压器分成两个是不是效果会更好些?
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