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| | | | | | | | | 第二个,实用小技巧
集成控制器,由于外围电路极其简洁,深受大家喜爱。但是集成控制器也有缺点,就是我们无法控制其开关速度,也无法简单控制其开关损耗。
这在EMC或者温升测试时,这可能会产生一些问题。在分立MOS控制的产品中,我们一般会增加或者减小MOS管的驱动电阻,来平衡EMC和开关损耗。
甚至我们可以在MOS管两端直接并联一小容量高压瓷片电容来解决EMC问题,但这些简单的方法无法应用在集成控制器中。
相当一部分集成控制器采用DIP8封装,没有散热器,散热面积也很有限,0.5W的损耗可能就会造成十几、几十度的温升(VIR22采用的是SOP8封装);
由于这些产品的输出功率一般也会较小,温升很难精确计算,容易超标。采用下面的方法能够在一定程度上解决此类EMC、温升问题。
例如,要求温度<100℃,测试的结果却是105℃;此方法降低5-10℃,应该问题不大,也不必去大幅整改。
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| | | | | | | | | | | MOS管并联一小容量高压瓷片电容虽然解决EMC问题,但是效率会接近下降1%,而且MOS温度会比不加电容高25度到30度左右,有看过一个台湾人设计的电源加的电路与右边的电路相近的,同样是RCD,但元件间的连接不一样,效果还是很好。 |
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| | | | | | | | | | | | | MOS直接并瓷片电容,效率下降是小事,关键是温度上升。在DIP8封装的集成控制器中,这会更严重。
第二种方法,会将大部分能量消耗在电阻上,当然效率也会下降。
这种电路形式有很多种,其实要达到的目的大同小异。 |
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| | | | | | | 绕线的方法不同,对层间电容,相互干扰有很大的影响,对工艺上的操作也有一定的影响,对绕线的紧密度也有一定的影响 |
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| | | | | | | 看来你平时比较细心,值得大家学习。
这三张图都和变压器的绕制工艺有关,如果不亲自动手,很难发现问题所在。
第一幅图,第一种绕法,MOS-D 在PIN1起头;第二种绕法,VCC 的GND 在PIN6 脚起头。这会产生两个问题:1 、绕组交叉;2 、起始端引线过长;
第三种绕法不存在这个问题,尽管HVDC 脚在PIN1 ,但HVDC 一般都是最后一层,线包已经绕满,接线容易。
需要特别说明的是,变压器好像有顺时针绕法和逆时针绕法两种。
第二幅图,绕组交叉的问题,第二种可以避免(顺时针绕制)。
第三幅图,第二种绕法是次级的起始引线过长,如果次级绕组导线较粗,这个问题会更加严重,甚至可以拉断骨架。
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| | | | | | | | | | | VCC这里的纹波电流很小,虽然取的值小点,但不一定是最先死的那个 |
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| | | | | | | | | | | | | 基于以下三个原因:
1、电解电容的寿命与直径有关,在每一份电容规格书里面都会特别强调的;
2、电解电容的寿命与温度有关,VCC电容要么挨着变压器,要么挨着散热器,这些都是温升大户。
3、绝大多数控制器对VCC的幅值是有严格要求,短期可能没问题,长期很难说。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 1,电容规格书里面有特别强调的那个时间是额定纹波电流的时间!
2,我没说寿命跟温度每关
3,这个还是要具体的根据可靠性试验,失效试验来认真验证,这样的工程在小公司是基本上不可能存在的。所以小公司所说的寿命只是一个估计值,而一些公司是经过大量的试验验证出来的,基本上是准确的值 |
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| | | | | | | | | | | 其实现在很多LED电源,要么VCC直接用陶瓷的,要么用10UF/50V,尺寸是5.3X11mm |
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| | | | | | | | | | | | | 是啊!这种电容的寿命规格书里已经说明了是1000-2000小时,他们的产品可以宣称X万小时.......
不过我看到做的比较好的LED电源(路灯的那种),VCC电容都是蛮给力的。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 有个(龙腾原创)正好讲得就是LED电源解刨,是个有点名气的公司。
那个PCB的质量是什么档次,相信你应该清楚。
上面小电解电容容量多少?那个系列的?直径? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 红宝石专门为LED电源推出了很多专用的电解电容,就是不知道价格怎么样。 |
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| | | | | | | | | | | 凡兄,我来顶一下。提点有技术含量的问题。首先,问一下,这个电容,就是说越大寿命越长?
再问,驱动MOS或者IGBT的驱动正电压,是不是越大 出问题时 管子炸的可能性越大约厉害?还是反之? |
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| | | | | | | | | | | | | 对于VCC电容来说,建议容量大一点为好。
对于LC滤波器来说,同样如此,但并非是寿命问题。
对于MOSFET,我认为VCC(也就是驱动电压)过小时,炸掉的几率更高(非低压应用时)。
对于IGBT,这个不清楚,没用过。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 但是,这个电容大的话,保护的时候 拉VCC会更慢啊,这样,保护不及时吧?还有打嗝重启的时间也更长。
嗯,我上次一个MOS驱动 由于其他地方的原因导致炸鸡 驱动8V时MOS就炸 驱动11V时 MOS就不炸只有出问题的地方坏 但是我觉得 这个驱动电压越高 MOS可过电流更大啊 按照曲线 应该更容易坏吧 ,以前看到谁写的文章 ,讨论为什么驱动电压要15V呢 因为小的话 驱动能力不够,大的话,保护时不能很迅速的把VCC拉掉。
不过我说的8V那个,坏的几次我还没有加保护 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 嗯
炸鸡 再等一个关键器件 我准备了三大杀手锏 准备一起上 每炸一次都会浪费我好多时间去修
所以,这次,三招齐了一起上!! |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 但是,这个电容大的话,保护的时候 拉VCC会更慢啊,这样,保护不及时吧?还有打嗝重启的时间也更长。
VCC电容一般非常靠近变压器(发热源),保护急不及时是两回事。
不仅容量大,我一般还会给VCC做线性稳压。
嗯,我上次一个MOS驱动 由于其他地方的原因导致炸鸡 驱动8V时MOS就炸 驱动11V时 MOS就不炸只有出问题的地方坏 但是我觉得 这个驱动电压越高 MOS可过电流更大啊 按照曲线 应该更容易坏吧 ,以前看到谁写的文章 ,讨论为什么驱动电压要15V呢 因为小的话 驱动能力不够,大的话,保护时不能很迅速的把VCC拉掉。
绝大多数PWM芯片的VCC OFF点都在10V以上,这是有原因的,VCC电压过低,MOSFET会工作在线性状态。
短路保护靠变压器自身来拉VCC,本身就是一种不太好的习惯。这里面的技巧,我了解不多。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | “同样如此,但并非是寿命问题。”凡凡兄不是这么认为的哦。
不过关于寿命,除非在一家公司干个5年10年,要不然,鬼知道自己做的电源能活多久啊…… |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 纹波与寿命是互相的关系,纹波大说明容量不是足够大,如果以满足纹波要求来选取电容,那寿命只是副产品了吧。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | LC滤波器后面,如果C过小,会产生严重的过冲。
这我碰到过,另外《模拟电子故障》那本书里面有提到过。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 好的,谢谢凡凡兄。 不过看了这一楼,我又想起以前碰到过的另一个诡异的问题,请大家帮忙分析下,如下:
反激电源 3842 硬开关
输出 6V 4A
输出纹波较大 ,于是我在最后加了一级CLC滤波 两个C都是几十或者100多UF的 L大小记不清了 可能是UH级别的
反馈采样,在CLC之前。
发现了如下的怪事
加了这个CLC后,输出电压同等情况下变小 输出带载能力 也变小
测量L两端电压 几乎没有直流成份 也没有交流成份
我用示波器和万用表都看了,就是说,这个L没有分压
纹波,是少了很多,但是输出不对了,于是只好放弃,我当时应该略微调过一下C和L的值,没有发现有改善。
就是这个怪事………… |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我采样是在CLC之前哦,和环路无关。就是你做的电源,我在输出加一个CLC再带载 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 估计是那个地方接错了。
反馈之后接LC滤波器,只会影响动态特性哦。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 啊???说错了吧,是反馈前接LC影响动态特性吧。反馈取样点在LC之前的话,LC就和闭环无关了 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 是啊!接在后面的话,LC不受环路控制,天知道会发生什么。 |
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| | | | | | | | | | | 关于LCR振荡电路的问题。
本大师。
已经不止5次地。
教导过你们了。
L+R//C的震荡电路。
要求R要小。
才不震荡。
你知道7805的输入电阻是多少吗?
如果开路的话。
输入电阻是很大的。
此时你的C//L+C的滤波电路就会震荡。
除非C的容量足够大。
R要小于L/C的平方根。
才行。
信不信由你!
谢谢大家!
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