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| | | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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积分:109912 版主 | | | | 1、原边RCD吸收,电阻的损耗也就是几十mW,看来变压器漏感会控制的很小。
2、输入电压100V-240V,输出22V,不知道变压器变比会控制在多少?100V的整流二极管能够?
3、如果100V的二极管不够,那么换高一些电压的,那么RC吸收的R,功率可就不够了,除非减小C。 |
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| | | | | | | | | Y电容用了两个Y2的串联使用?为什么不直接用一个Y1的呢? |
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| | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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积分:109912 版主 | | | | | | 记得哪里提到,安规要求不是一个短路也应该保证安全,是不是基于这个? |
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| | | | | | | | | | | | | 以前做小功率的适配器没有这方面的要求,难道是其他的特殊电源,例如医疗电源方面的,有这方面的特殊要求?或者对初次级的耐压有更为特殊的要求?耐压更高? |
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| | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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积分:109912 版主 | | | | | | | | |
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| | | | | | | | | | | | | 充电器需要过的是60335标准,若接Y电容,就必须要接两个串联;或者不接Y电容 |
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| | | | | | | | | 由于有Y,变压器打算尽量不用屏蔽,预计漏感不会太大。
匝比会较大,由于有限流功能,不用担心启动时的Vds尖峰,所以Vor会取得大一些,相对于二极管耐压会小一点。
后面实测看是否满足耐压。 |
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| | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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积分:109912 版主 | | | | | | |
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| | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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积分:109912 版主 | | | | | | | | 最低输入100vAC,最小直流电压大概在多少?130V?那么反射电压最大也不过是120V,输出电压22V,变比最大选择多少?5:1?最高直流电压按照340V计算,那么不考虑尖峰,二极管耐压也90V了啊。。。。 |
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| | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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积分:109912 版主 | | | | | | | | | | 问题是,加上尖峰呢,而且肖特基电压越靠近耐压值,即使不超漏电流也会增大比较严重。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 按以前设计,尖峰是很低的,当然现在这个规格不敢保证一样,只能说确实超了就只能加大耐压。
上面选材以经济够用主导。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 你这个占空比怎么去设计成0.48的, 是经验设计还是公式设计, 过大有什么影响
占空比太大一般会导电流过大,造成变压器磁芯饱和,器件击穿,一般设计时保证45%以下最好.
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| | | | | | | | | | | 代表论坛严重欢迎你 加油预祝后来者居上 奔跑吧 兄弟 呵呵 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 要快还不容易, 希望是慢工出细活啊, 以你的水平相信2个星期可以完成吧. 支持多出点具体的调试、具体的波形、具体的数据, 具体的原理说明, 最好是非官方的资料转化(非理论的详细说明, 从实验角度说理论) |
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| | | | | 建议楼主在最后写设计报告之后可以把实际完成的设计思路, 电路图原件, PCB文件原件, 插件测试的图表, 电子元件表, 测试报告, 老化报告, 全都都打个包给大家分享 |
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| | | | | | | | | | | | | 这又是一个MOS选择的问题了, 大配置的MOS总可以用在你这么小的设计里了, 只是很浪费 |
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| | | | | 调试阶段,初装板,初始参数:
变压器 Np0.18*150T:Ns0.35*25T:Nf0.2*2*16T
目前输出线性调整率稍差,Vds、Vd的电压已满额,看样子需降点余量出来。以下实测图片
暂隐图片 |
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| | | | | 更新:
重新改匝比Np150:Ns27:Nf16
EE16,2.2mH
输出:22V 400mA
原边Vds:560V
二极管Vd:103V
线性调整率:5%
以下实测图:
暂隐图片 |
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| | | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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- 帖子:45931
积分:109912 版主 | | | | 肖特基不是靠近耐压。反向漏电流急剧增加,你有没有看看长期工作温度如何? |
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| | | | | | | | | 确实不敢这样用,温度有点高,现在改用SB2150,后面会测所有元件温升数据。 |
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| | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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- 帖子:45931
积分:109912 版主 | | | | | | | | 看看你自己说的是什么,然后你后面接着回复的又是什么。别弄的帖子不像帖子,像杂货铺。 |
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| | | | | 现在板子有几个问题想讨论下:
1,输出9W,目前是用EE16调试的,板端效率约79~80%左右。EE16磁芯做9W大家认为怎样
2,输出二极管耐压,据说生产出来的元件比标称值要高一些,大家敢用尽耐压值或超一点点?(以前曾有见过生产用错料100V耐压的管子用在实际耐压150V上出现个别坏的情况,也就是说绝大部份是顶住了,所以觉得二极管耐压挺高的) |
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| | | | | | | 9W的小功率电源,80%的效率已经不错了。你说的二极管耐压的问题,超额的话,一般是不允许的,毕竟现在大家都在降成本,供应商肯定也在降,超额的话,批量容易出问题的。 |
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| | | | | | | | | | | 首先这个效率不要去指望能超过什么了, 电子元件的选取也尽量使用超过公式计算的定额, 有利无害啊, 至于会不会有什么负面影响, 只要不是脚距或者尺寸相差大, 就没关系 |
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| | | | | | | | | | | | | 电子元器件也是不能随便乱用的,超过定额这么可能有利无害呢?就像MOSFET的选择来说,本来用一个小电流的MOSFET就可以了,你非要用一个大电流的,不怕驱动不了吗? |
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| | | | | | | | | | | | | | | 这个问题很不懂啊, 求直接指导下,不要绕弯, 为什么说一个小电流的MOSFET可以驱动,反而一个大电流的驱动不了呢 , 是不是和驱动也要消耗电流有关系呢, 大的MOS不是更好的吗 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 大电流MOS的结电容一般较大,需要达到同等开关速度时,需要的驱动电流要更大。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 说的完全正确,如果驱动电流不够的话,开关速度变慢,大电流的MOSFET效果可能更差。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 有没有一张详细的表格呢, 什么设计对应什么MOS型号 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | MOS选用只能太概的功率范围内用多大管,实际设计时受使用环境、布局和散热条件不同有所差异 |
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| | | | | | | 好象, 也只能说好象了, 最近压力比较大, 你这个9W的设计怎么用到EE16这么大呢, 可以用EE13来做吗, 这个效率因为低于10W, 还能接受, 至于你的输出二极管, 如果有门路搞到VF低的那种批次的电子元件. 不是效果更好吗,耐压可以选100的, 150无所谓 |
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| | | | | | | | | | | 正激可以做15W, 反激可以做7W
取决于拓扑和电压, 不同拓扑,做到的功率不一样
比如180-265V输入,BUCK,84V/0.25A输出,效率做到92.5%,工作频率85~90K左右
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| | | | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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- 帖子:45931
积分:109912 版主 | | | | | 现在已经超100V了还可以选100的?EE13你有做9W的成品? |
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| | | | | | | EE16做23W都没问题,这个是看功率的 , 一般工作频率是60K。 |
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| | | | | | | | | | | 我没做过这么高的,但是别人可以做到啊,挑战最大功率的总有人才。 |
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| | | | | | | | | | | | | 我是在网上看到人家说的,EE16 如果做满足安规要求的反激变压器,只能做到10W内.否则可以做到20~30W。
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| | | | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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- 帖子:45931
积分:109912 版主 | | | | | EE16工作频率60K做23W,你不用做,你给我设计一个参数出来就行,有些时候别开口就扯。 |
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| | | | | | | | | | | 我见过普通EE-16做12w就要蒙骗才能勉强过关,还是用17的磁芯 |
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| | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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积分:109912 版主 | | | | | | | |
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| | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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- 帖子:45931
积分:109912 版主 | | | | | | | | 那好,你天天在网上复制粘贴,对网上资料很熟悉咯?哪里有这样的资料,你给个连接让大家也开开眼。 |
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| | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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- 帖子:45931
积分:109912 版主 | | | | | | | | 请看清楚,是EE16,工作频率60K,做23W,你找一个类似的资料来证明你的人外有人吧。 |
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| | | | | 接输出线,交给测试员,报告出来:
输出线规格AWG24,1.8M
暂隐图片 |
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| | | | | 参数已出来,后进行温升测试和EMI。
整个做完后会细说下调试上的一些小问题:
如线性调整率和耐压匝比之间的事
最后会上的资料:
SCH
PCB
BOM
变压器规格书
测试数据
EMI报告
可以直接生产的所有资料。
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| | | | | | | 耐压匝比是什么? 变压器副边匝数多对肖特基耐压不利怎么来理解 |
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| | | | | | | | | 最近接到个重要产品,时间都花那去了,没时间测试其它产品。后面会细说,比影响原边和副边晶体管的耐压,你可看下书本上关于肖特基耐压就明白。 |
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| | | | | | | | | | | 输出电压, 输出二极管电压, 变压器次级电压
这个公式是怎么计算来着
把我搞糊涂了,本来是知道的, 但被文字一饶进去, 就给弄糊涂了
另外无非就是这个次级电压是初级电压和匝数比换算得来的
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| | | | | | | | | | | | | Vo+Ns/Np*Vdc min ,还要考虑尖峰
输出电压加初级的反射过来的电压再加叠加的尖峰 |
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| | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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积分:109912 版主 | | | | | | | | |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 我上面写错,应是Vdc max
怎么说,如果真是这样,在网络上就没必要的。两相不见面,也就不会不好意思,直接点更易于沟通。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 要是去计算尖峰, 那又比较麻烦了, 怎么样去计算那个被吸收的不知道多少的波形呢,另外不要见风就是雨, 毕竟没下雨, 如果多加一点电压余量不知道行不行 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 尖峰基本计算不了,以实测为准。与变压器、Layout都有关系。也受吸收大小影响。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 那只有通过看波形或者调节RCD参数来靠经验推断吗? |
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| | | | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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- 主题:142
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- 帖子:45931
积分:109912 版主 | | | | | 副边匝数多,变压器匝比就会变小,当MOS管导通时候,变压器副边折算电压就会大,肖特基反向耐压等于这个电压与输出电压之和,情况会怎样,相信你应该是明白的。 |
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| | | | | 更新下资料
原理图:
ERROR : file /data/htdocs/powercompany/classes/libraries/uploadfile.class.php function _check_type()IY 22V SCH.SchDoc文件类型schdoc不符合。只允许上传jpg,gif,png,bmp,rar,zip,pdf,ppt,xls,txt,doc,docx,pptx,xlsx
PCB:
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| | | | | 调试中的一些问题笔记(抽空细说下):
变压器匝比之Vds、Vd耐压平衡
线性调整率问题
辐射的抑制
温升测试 |
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| | | | | | | 关于匝比:
原采用150:25 即6:1,实际上Vds580多V,Vd达到了108V,超过二极耐压,后调整匝比到150:27,匝比约5.5,Vds耐压下降到了550左右,二极管耐压换到150V管。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | RM3271这款IC厂家标称最大8W,此板设计最大功率到9.8W左右。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这宽资料比较少见, 不知道哪个网站可以有详细的PDF |
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| | | | | | | | | | | | | 那在开始饶变压器的时候, 如果测试合格就不考虑加了吧 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 那以后设计变压器都要经过经过侥幸的这一步了, 行就行, 不行就重饶 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 搞设计,变压器基本都不是绕一次就可以的,有时为了满足各项参数、效率、EMC综合反复进行调整的结果 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 以前总是看别人的资料自己同步饶一个, 后来发现这个方法非常好, 抄板多了以后收集了很多转换变压器的数据和样品, 到时候万一不对 , 原样直接用上就行 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 以前也不懂, 只知道看书, 后来才发现, 要入门最快的就是抄别人的,不要以为别人都对, 但抄了以后就可以去优化和改善线路变成自己的, 抄的越多, 就不在于抄了, 而是在于经验增加了 |
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