【文原创】调试RCD吸收回路实战-综合电源技术-世纪电源网社区

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2015-8-21 23:05:40

预研一款48V输入，5V输出，25W的反激开关电源，输入电压范围为36-72VDC。
刚开始采用200V耐压的MOS管IRF640，为吸收回路RC随意设计的参数,RC上测量波形如下:

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2015-8-21 23:09:00

可以看出吸收效果很不理想.
参考《RCD吸收电路计算》的EXCEL表格，重新为吸收回路RC设计的参数如下：

序号		项目名称	值或范围	单位
1	输入参数	最大输入交流电压	55	V
2	输入参数	MOS的耐压	150	V
3	输入参数	最大原边峰值电流	3.22914	A
4	输入参数	变压器原边漏感	4.3	uH
5	输入参数	开关频率	66	KHz

电阻阻值	3.52597	KR
电阻功耗	1.47964	W
电容容量	42971.14	pF

RC接近可以选取3.3K,40n。
电阻的功耗，参考公式0.5*L*I^2*f计算出来。对功耗的算法有点疑问.

调试的时候发现MOS的电压还是会接近200V，有击穿的危险。

可以寻找更高耐压的MOS。或者修改变压器参数进入CCM模式工作.

			3 hwx-555 hwx-555 离线 LV10 总工程师积分：21245 \| 主题：55 \| 帖子：5815 访问空间发消息积分:21245 LV10 总工程师 2015-8-22 08:05:29
			RC值很怪，一般都是小C大R，这里的计算远超出常规范围回复 \| 举报 \|

			4 YTDFWANGWEI YTDFWANGWEI 离线 LV7 版主积分：109908 \| 主题：142 \| 帖子：45931 访问空间发消息积分:109908 版主 2015-8-22 11:49:32
			到底是RCD吸收还是RC吸收，200V管子还有击穿的风险？改进变压器工艺吧。回复 \| 举报 \|

				5 XIAOTU80 XIAOTU80 离线 LV7 版主积分：17601 \| 主题：395 \| 帖子：5620 访问空间发消息积分:17601 版主 2015-8-22 19:32:11
				用的DCM模式,所以尖峰要高出不少. CCM的也做了一个,到时候再换上,看看尖峰能降低多少. 回复 \| 举报 \|

					19 YTDFWANGWEI YTDFWANGWEI 离线 LV7 版主积分：109908 \| 主题：142 \| 帖子：45931 访问空间发消息积分:109908 版主 2015-8-24 08:38:34
					你的意思是，DCM的尖峰要高？为什么？回复 \| 举报 \|

						24 XIAOTU80 XIAOTU80 离线 LV7 版主积分：17601 \| 主题：395 \| 帖子：5620 访问空间发消息积分:17601 版主 2015-8-24 09:14:16
						DCM的变压器气隙相比更大一点，初级电感量相比CCM的低。所以漏感会更大一些。这个变压器工艺好也比同类CCM的，漏感要大。回复 \| 举报 \|

							25 YTDFWANGWEI YTDFWANGWEI 离线 LV7 版主积分：109908 \| 主题：142 \| 帖子：45931 访问空间发消息积分:109908 版主 2015-8-24 10:15:25
							但是，关断前，DCM的峰值电流要小于CCM吧？漏感并不是决定尖峰的唯一条件。回复 \| 举报 \|

								28 XIAOTU80 XIAOTU80 离线 LV7 版主积分：17601 \| 主题：395 \| 帖子：5620 访问空间发消息积分:17601 版主 2015-8-24 12:10:58
								除了RCD，是不是还有别的措施可以进一步来降低尖峰？比如在MOS的DS两端并个电容，不知道能不能降低几十V的尖峰下来。回复 \| 举报 \|

									32 YTDFWANGWEI YTDFWANGWEI 离线 LV7 版主积分：109908 \| 主题：142 \| 帖子：45931 访问空间发消息积分:109908 版主 2015-8-24 16:32:11
									你输入最高72V，反射电压我想也就是30V左右吧？那么你的尖峰应该很容易会控制在150V左右，不知道你的尖峰为什么这么高。回复 \| 举报 \|

									33 YTDFWANGWEI YTDFWANGWEI 离线 LV7 版主积分：109908 \| 主题：142 \| 帖子：45931 访问空间发消息积分:109908 版主 2015-8-24 16:32:44
									至于DS并联电容，当然会降低一部分尖峰，但是会增加损耗，得不偿失。回复 \| 举报 \|

								69 shaoniananma shaoniananma 离线 LV6 高级工程师积分：975 \| 主题：3 \| 帖子：128 访问空间发消息积分:975 LV6 高级工程师最新回复 2015-10-12 09:45:50 倒数1
								DCM的峰值电流是会大一些吧？回复 \| 举报 \|

				6 XIAOTU80 XIAOTU80 离线 LV7 版主积分：17601 \| 主题：395 \| 帖子：5620 访问空间发消息积分:17601 版主 2015-8-22 19:33:48
				吸收回路是RCD的,这里二极管选取常用的,所以重点讨论RC的参数选取. 回复 \| 举报 \|

					52 司马仲达司马仲达离线 LV10 总工程师积分：16739 \| 主题：288 \| 帖子：5366 访问空间发消息积分:16739 LV10 总工程师 2015-9-10 14:13:05
					二极管恢复速度提升不一定会减小尖峰的值，只要是快恢复了，速度有相差不会有什么太大影响了。回复 \| 举报 \|

				7 XIAOTU80 XIAOTU80 离线 LV7 版主积分：17601 \| 主题：395 \| 帖子：5620 访问空间发消息积分:17601 版主 2015-8-22 19:36:39
				如果采用CCM,200V的管子也许够用了.DCM模式的,看来不够. 变压器的漏感,也稍微大点. 回复 \| 举报 \|

			29 xd285070 xd285070 离线 LV8 副总工程师积分：8206 \| 主题：18 \| 帖子：1087 访问空间发消息积分:8206 LV8 副总工程师 2015-8-24 12:15:16
			漏感太大，可以试试并绕回复 \| 举报 \|

		8 XIAOTU80 XIAOTU80 离线 LV7 版主积分：17601 \| 主题：395 \| 帖子：5620 访问空间发消息积分:17601 版主 2015-8-22 19:45:44
		找到耐压500V的一种MOS管,跟原来选取200V的MOS管,导通内阻差不多. 可以在此DCM模式下,选取耐压高点的MOS管.成本和可靠性也要综合考虑. 象龙腾家就有这种高压低导通内阻的MOS. 回复 \| 举报 \|

		9 XIAOTU80 XIAOTU80 离线 LV7 版主积分：17601 \| 主题：395 \| 帖子：5620 访问空间发消息积分:17601 版主 2015-8-22 20:03:45
		电阻阻值选取68K,电容容量选取222. 从空载到满载,再到6A,吸收RC上的波形如下: 回复 \| 举报 \|

			10 XIAOTU80 XIAOTU80 离线 LV7 版主积分：17601 \| 主题：395 \| 帖子：5620 访问空间发消息积分:17601 版主 2015-8-22 20:27:33
			空载波形如下; 回复 \| 举报 \|

		11 XIAOTU80 XIAOTU80 离线 LV7 版主积分：17601 \| 主题：395 \| 帖子：5620 访问空间发消息积分:17601 版主 2015-8-22 20:29:58
		1A波形回复 \| 举报 \|

		12 XIAOTU80 XIAOTU80 离线 LV7 版主积分：17601 \| 主题：395 \| 帖子：5620 访问空间发消息积分:17601 版主 2015-8-22 20:31:14
		2A 3A 回复 \| 举报 \|

		13 XIAOTU80 XIAOTU80 离线 LV7 版主积分：17601 \| 主题：395 \| 帖子：5620 访问空间发消息积分:17601 版主 2015-8-22 20:32:55
		4A 5A(满载) 回复 \| 举报 \|

		14 XIAOTU80 XIAOTU80 离线 LV7 版主积分：17601 \| 主题：395 \| 帖子：5620 访问空间发消息积分:17601 版主 2015-8-22 20:35:46
		6A(也能正常工作,留有一定余量) 回复 \| 举报 \|

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2015-8-22 20:42:54

调试发现VDS最高240V。而且是按照30W设计的RC参数.
严格按照25W，重新修改参数如下:

序号		项目名称	值或范围	单位
1	输入参数	最大输入交流电压	52	V
2	输入参数	MOS的耐压	500	V
3	输入参数	最大原边峰值电流	2.9	A
4	输入参数	变压器原边漏感	4.3	uH
5	输入参数	开关频率	66	KHz

电阻阻值	152.406207	KR
电阻功耗	1.193379	W
电容容量	994.153418	pF

可以选取RC参数为:150K,102

RCD吸收回路的R值越小，开关电源的效率越低；R值越大，MOS功率管只要不被击穿,这样可以进一步提升效率。

			20 YTDFWANGWEI YTDFWANGWEI 离线 LV7 版主积分：109908 \| 主题：142 \| 帖子：45931 访问空间发消息积分:109908 版主 2015-8-24 08:39:58
			为什么说R越小，效率越低？R消耗的是什么的能量？回复 \| 举报 \|

				21 XIAOTU80 XIAOTU80 离线 LV7 版主积分：17601 \| 主题：395 \| 帖子：5620 访问空间发消息积分:17601 版主 2015-8-24 09:05:20
				这个我搜索了几篇吸收电路方面的文章，别人总结经验这么说的。但是我用表格计算的时候，也觉得奇怪，R的损耗感觉不大变，并没有发现随着R增大一倍后，损耗降低很多的规律。回复 \| 举报 \|

					26 YTDFWANGWEI YTDFWANGWEI 离线 LV7 版主积分：109908 \| 主题：142 \| 帖子：45931 访问空间发消息积分:109908 版主 2015-8-24 10:16:43
					我觉得R的改变与效率的关系，应该是一个抛物线的关系，从电阻无穷大开始减小阻值，效率应该是先增加后减小。回复 \| 举报 \|

						27 XIAOTU80 XIAOTU80 离线 LV7 版主积分：17601 \| 主题：395 \| 帖子：5620 访问空间发消息积分:17601 版主 2015-8-24 12:07:27
						那个表格的电阻功耗是采用0.5LI^2*f计算出来的。所以电阻损耗几乎都不变。我觉得，可以根据实际RC上的电压波形，根据V^2/(r^2)来计算，一般示波器中有计算并显示V的这一项。回复 \| 举报 \|

				23 XIAOTU80 XIAOTU80 离线 LV7 版主积分：17601 \| 主题：395 \| 帖子：5620 访问空间发消息积分:17601 版主 2015-8-24 09:12:09
				看了好几篇帖子或文章，都那么提， R阻值大比R小的，效率会提高一点回复 \| 举报 \|

					53 司马仲达司马仲达离线 LV10 总工程师积分：16739 \| 主题：288 \| 帖子：5366 访问空间发消息积分:16739 LV10 总工程师 2015-9-10 14:15:06
					R小的话能明显看出的只是电阻的温度。到底损耗差距多少，得用电量仪等仪器仔细看，毕竟功耗本来就不大。本帖最后由司马仲达于 2015-9-10 14:16 编辑回复 \| 举报 \|

						66 XIAOTU80 XIAOTU80 离线 LV7 版主积分：17601 \| 主题：395 \| 帖子：5620 访问空间发消息积分:17601 版主 2015-9-11 12:11:02 倒数4
						我这个差的不大回复 \| 举报 \|

							67 司马仲达司马仲达离线 LV10 总工程师积分：16739 \| 主题：288 \| 帖子：5366 访问空间发消息积分:16739 LV10 总工程师 2015-9-11 13:22:00 倒数3
							我以前的效率也差不大不过以前测试仪器比较老了不敢确认回复 \| 举报 \|

		16 XIAOTU80 XIAOTU80 离线 LV7 版主积分：17601 \| 主题：395 \| 帖子：5620 访问空间发消息积分:17601 版主 2015-8-22 21:04:21
		同时根据别人总结的,关于RCD试验调整的经验,其中2条如下: 1.RC时间常数τ是由开关电源的频率确定，一般选择10—20个周期。 2.选择RC:任意选取瓷片电容和电阻，一般为电阻几十K电阻—几百K的电阻，电容选择几nF—几十nF不等。验证一下,后两次选取的参数,都满足要求. 还有一条经验是: RCD吸收回路的R值越小，开关电源的效率越低；R值越大，MOS功率管有可能被击穿。所以选取150K,102有利于提高效率. 回复 \| 举报 \|

			17 XIAOTU80 XIAOTU80 离线 LV7 版主积分：17601 \| 主题：395 \| 帖子：5620 访问空间发消息积分:17601 版主 2015-8-22 21:07:46
			此参数下,5A载的 RC上的电压波形如下: 回复 \| 举报 \|

				54 司马仲达司马仲达离线 LV10 总工程师积分：16739 \| 主题：288 \| 帖子：5366 访问空间发消息积分:16739 LV10 总工程师 2015-9-10 14:17:44
				这个波形，感觉C太大了，按照网上的主流说法回复 \| 举报 \|

					59 XIAOTU80 XIAOTU80 离线 LV7 版主积分：17601 \| 主题：395 \| 帖子：5620 访问空间发消息积分:17601 版主 2015-9-10 22:03:52
					102不算大吧回复 \| 举报 \|

						62 司马仲达司马仲达离线 LV10 总工程师积分：16739 \| 主题：288 \| 帖子：5366 访问空间发消息积分:16739 LV10 总工程师 2015-9-10 22:09:35 倒数8
						没看图，从波形上看的感觉从数据上看102可能是不算大了。回复 \| 举报 \|

							63 司马仲达司马仲达离线 LV10 总工程师积分：16739 \| 主题：288 \| 帖子：5366 访问空间发消息积分:16739 LV10 总工程师 2015-9-10 22:09:54 倒数7
							那就是电阻大了回复 \| 举报 \|

								65 XIAOTU80 XIAOTU80 离线 LV7 版主积分：17601 \| 主题：395 \| 帖子：5620 访问空间发消息积分:17601 版主 2015-9-11 12:10:09 倒数5
								什么样的波形是理想的回复 \| 举报 \|

									68 司马仲达司马仲达离线 LV10 总工程师积分：16739 \| 主题：288 \| 帖子：5366 访问空间发消息积分:16739 LV10 总工程师 2015-9-11 13:29:50 倒数2
									据说，是这样的，我的实验结果好像也是一直按这个波形来的。 3.bmp (1.47 MB, 下载次数: 72) 下载附件 2015-9-11 13:29 上传回复 \| 举报 \|

				64 xkw1cn xkw1cn 离线 LV7 版主积分：131441 \| 主题：37517 \| 帖子：55633 访问空间发消息积分:131441 版主 2015-9-10 22:42:43 倒数6
				感觉RCD的CD内阻有点高。上矛尖有点窄和高了。回复 \| 举报 \|

			18 Grove Grove 离线 LV8 副总工程师积分：4677 \| 主题：6 \| 帖子：1884 访问空间发消息积分:4677 LV8 副总工程师 2015-8-23 02:21:19
			你可以用限制反射电压的方式来设计变压器匝数,比如反射电压为60V. 回复 \| 举报 \|

				22 XIAOTU80 XIAOTU80 离线 LV7 版主积分：17601 \| 主题：395 \| 帖子：5620 访问空间发消息积分:17601 版主 2015-8-24 09:06:48
				能控制在150V比较好，因为输入干扰可能会叠加在上面。反射电压为60V是指在满载高压输入的时候设计的？回复 \| 举报 \|

					30 Grove Grove 离线 LV8 副总工程师积分：4677 \| 主题：6 \| 帖子：1884 访问空间发消息积分:4677 LV8 副总工程师 2015-8-24 14:32:36
					输入的中间值+满载. 回复 \| 举报 \|

				31 YTDFWANGWEI YTDFWANGWEI 离线 LV7 版主积分：109908 \| 主题：142 \| 帖子：45931 访问空间发消息积分:109908 版主 2015-8-24 16:31:17
				输入电压为36-72，你让他反射电压选择60V？回复 \| 举报 \|

		34 XIAOTU80 XIAOTU80 离线 LV7 版主积分：17601 \| 主题：395 \| 帖子：5620 访问空间发消息积分:17601 版主 2015-8-25 09:08:57
		借助这个DC-DC研究RCD的帖子，顺便问一下。输入串个防反二极管，为了防止输入接反时损坏电源，同时还要考虑降低管子的损耗，从而提高整体效率，关于这方面有没有成熟的方案？回复 \| 举报 \|

			35 YTDFWANGWEI YTDFWANGWEI 离线 LV7 版主积分：109908 \| 主题：142 \| 帖子：45931 访问空间发消息积分:109908 版主 2015-8-25 09:41:21
			输出串联二极管根本起不到防反的作用，输出串联二极管是防止倒灌。回复 \| 举报 \|

				36 XIAOTU80 XIAOTU80 离线 LV7 版主积分：17601 \| 主题：395 \| 帖子：5620 访问空间发消息积分:17601 版主 2015-8-25 10:09:08
				是输入端，二极管也有0.8V左右压降的回复 \| 举报 \|

					38 YTDFWANGWEI YTDFWANGWEI 离线 LV7 版主积分：109908 \| 主题：142 \| 帖子：45931 访问空间发消息积分:109908 版主 2015-8-25 10:35:36
					晕，看错了。你的输入电压时36-72V，选择合适的管子，不会有那么高的压降，0.5V左右吧，不过可以用MOS管替代，那压降就小多了。回复 \| 举报 \|

						40 XIAOTU80 XIAOTU80 离线 LV7 版主积分：17601 \| 主题：395 \| 帖子：5620 访问空间发消息积分:17601 版主 2015-8-25 10:55:19
						我们常用的6A10，昨天测量了一下，10W载的时候，这个管子损耗就有0.24W，效率损失了将近1%。如果25W的话，基本要损耗掉2.5%了。所以MOS替代也得考虑进去。你们有成熟的MOS替代方案吗？回复 \| 举报 \|

							42 YTDFWANGWEI YTDFWANGWEI 离线 LV7 版主积分：109908 \| 主题：142 \| 帖子：45931 访问空间发消息积分:109908 版主 2015-8-25 11:25:51
							10W的时候1%的损耗，25W怎么就变成2。5%了？你怎么算的，难道二极管压降跟电流时线性关系？回复 \| 举报 \|

							43 YTDFWANGWEI YTDFWANGWEI 离线 LV7 版主积分：109908 \| 主题：142 \| 帖子：45931 访问空间发消息积分:109908 版主 2015-8-25 11:27:32
							MOS管替代，你这种低压输入的应该很简单的，用输入电压做个MOS官的驱动就OK了。应该是用过，但懒的去翻了。回复 \| 举报 \|

						49 XIAOTU80 XIAOTU80 离线 LV7 版主积分：17601 \| 主题：395 \| 帖子：5620 访问空间发消息积分:17601 版主 2015-8-29 20:40:04
						MOS管替代,会不会抗输入干扰弱一些，不知道有没有成熟的应用方案.? 回复 \| 举报 \|

							50 YTDFWANGWEI YTDFWANGWEI 离线 LV7 版主积分：109908 \| 主题：142 \| 帖子：45931 访问空间发消息积分:109908 版主 2015-8-31 08:16:55
							这个怎么算成熟？我前面提到了，用输入电压做一个驱动MOS管的电平，当电压正常时候打开MOS管就OK了。道理很简单的。回复 \| 举报 \|

				37 XIAOTU80 XIAOTU80 离线 LV7 版主积分：17601 \| 主题：395 \| 帖子：5620 访问空间发消息积分:17601 版主 2015-8-25 10:10:57
				王工，你用过RCD吸收，将电容接地的吗？看之前有个帖子谈过，不知道抑制尖峰效果如何？还有设计过的48V转5V的同步整流电路，RCD吸收电路是用常用那种吧，大约参数是多少啊？如果变压器漏感很低，对R的功耗就可以很小了。回复 \| 举报 \|

					39 YTDFWANGWEI YTDFWANGWEI 离线 LV7 版主积分：109908 \| 主题：142 \| 帖子：45931 访问空间发消息积分:109908 版主 2015-8-25 10:36:33
					1、接地道理是一样的。但参数选择可能有区别。 2、RCD吸收参数没有大约是多少这一说，因为RCD吸收参数是取决于你电路及电路参数的。回复 \| 举报 \|

						41 XIAOTU80 XIAOTU80 离线 LV7 版主积分：17601 \| 主题：395 \| 帖子：5620 访问空间发消息积分:17601 版主 2015-8-25 10:59:14
						刚才去https://bbs.21dianyuan.com/165797.html#buttom 转了一圈，发现这个帖子改变了我的布局观念。如果我布局注重降低某部分寄生电感的话，RC的C不用接地，MOS的第一个尖峰应该也会压低不少。发现它对对选取合适等级的MOS，以及合理布局来降低MOS的耐压承受能力很有帮助。可惜RCD吸收无损回收，很少有人提到。如果能无损的话，至少又能提高1%~4%的效率了。可能到了最后，50W以内也没必要去用同步整流来设计了。回复 \| 举报 \|

							44 YTDFWANGWEI YTDFWANGWEI 离线 LV7 版主积分：109908 \| 主题：142 \| 帖子：45931 访问空间发消息积分:109908 版主 2015-8-25 11:29:04
							无损吸收这个，怎么说呢，个人感觉，越小功率等级效果越不明显。如果你的吸收都消耗了4%的效率，那只能说你的PCB及参数需要大改动了。回复 \| 举报 \|

								45 XIAOTU80 XIAOTU80 离线 LV7 版主积分：17601 \| 主题：395 \| 帖子：5620 访问空间发消息积分:17601 版主 2015-8-25 12:00:36
								我这个测量了一下，大约0.4%的损耗回复 \| 举报 \|

									46 XIAOTU80 XIAOTU80 离线 LV7 版主积分：17601 \| 主题：395 \| 帖子：5620 访问空间发消息积分:17601 版主 2015-8-25 12:14:44
									就是用了个高耐压的MOS 回复 \| 举报 \|

									47 YTDFWANGWEI YTDFWANGWEI 离线 LV7 版主积分：109908 \| 主题：142 \| 帖子：45931 访问空间发消息积分:109908 版主 2015-8-25 13:29:47
									0.4%的损耗还是有可能的，但4%那估计是不可想象的。回复 \| 举报 \|

		48 XIAOTU80 XIAOTU80 离线 LV7 版主积分：17601 \| 主题：395 \| 帖子：5620 访问空间发消息积分:17601 版主 2015-8-29 20:36:22
		设计的CCM变压器也收到了,于是周五去测量了下两种变压器的参数. DCM的80UH,2.58UH的漏感; CCM的106UH,1.26UH的漏感. 然后换上CCM的变压器,MOS的电压立刻就下降了很多.原先240V左右,现在到了160V. 下一步是修改下RC的参数,看最大能不能压低到150V以内. 再等拿到耐压200V低导通内阻的MOS再对比试验下.是否还能继续改善. 回复 \| 举报 \|

		51 XIAOTU80 XIAOTU80 离线 LV7 版主积分：17601 \| 主题：395 \| 帖子：5620 访问空间发消息积分:17601 版主 2015-8-31 12:20:47
		我最近为同一个电源设计的2个的变压器。DCM的，漏感在3%左右；CCM的变压器漏感在1%左右。 CCM的明显MOS电压尖峰低。回复 \| 举报 \|

			55 司马仲达司马仲达离线 LV10 总工程师积分：16739 \| 主题：288 \| 帖子：5366 访问空间发消息积分:16739 LV10 总工程师 2015-9-10 14:19:47
			是不是DCM的匝数本来就比CCM多几倍？？两者气息分别是多少？回复 \| 举报 \|

				56 XIAOTU80 XIAOTU80 离线 LV7 版主积分：17601 \| 主题：395 \| 帖子：5620 访问空间发消息积分:17601 版主 2015-9-10 21:59:48
				Ccm漏感小，初级电感量大，对我这个来说回复 \| 举报 \|

					58 司马仲达司马仲达离线 LV10 总工程师积分：16739 \| 主题：288 \| 帖子：5366 访问空间发消息积分:16739 LV10 总工程师 2015-9-10 22:02:53
					不太理解细节部分，请问初次级匝数什么样的？如果匝数一样，磁芯什么也一样，不会漏感小的同时电感增大的。回复 \| 举报 \|

						60 XIAOTU80 XIAOTU80 离线 LV7 版主积分：17601 \| 主题：395 \| 帖子：5620 访问空间发消息积分:17601 版主 2015-9-10 22:06:51 倒数10
						我设计的，然后厂家给绕的就是这样回复 \| 举报 \|

						61 XIAOTU80 XIAOTU80 离线 LV7 版主积分：17601 \| 主题：395 \| 帖子：5620 访问空间发消息积分:17601 版主 2015-9-10 22:08:06 倒数9
						Ccm的28-7匝，dcm改天査一下回复 \| 举报 \|

				57 XIAOTU80 XIAOTU80 离线 LV7 版主积分：17601 \| 主题：395 \| 帖子：5620 访问空间发消息积分:17601 版主 2015-9-10 22:01:07
				匝数 ccm的少几匝回复 \| 举报 \|