 |  | | | | 先发表一些自己比较确定的看法：
开关电源用肖特基来当拓扑二极管，虽然效率高，但是会让emi变差，因为反向恢复速度快，导致尖峰的上升下降沿较大，那么高次谐波成分便会比较丰富。所以要对效率和emi进行取舍，在emi比较差的时候，可以视情况舍弃使用肖特基二极管，而改用超快恢复甚至快恢复。
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|  | | | | | | 这个涉及设计思想
1、反向恢复冲击电流无疑会影响EMI
2、减缓反向恢复冲击电流无疑会改善EMI
3、但，减缓反向恢复冲击电流不一定只能依靠二极管反向恢复特性，还有其他办法可以减缓。比如给个磁珠什么的。
4、尽量避免以牺牲效率为代价来解决EMI问题。
5、采用肖特基而EMI能过的案例比比皆是，人家能过你为什么不能？
6、对EMI的追求是有止境的，能过就行，余量太大反而不是好事（多半意味着你可以再省一些东西）。
7、对效率的追求是无止境的，除非你的效率已经达到100%（而这样的理想情况一定是没有EMI问题的）。
8、这意味着追求效率和追求EMI本质上是不冲突的（可能还是相辅相成的）。
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| | | | | 再来一些自己的困惑。
二极管的反向恢复速度，和反向恢复电流，是否有什么关系呢？反向恢复速度越快，反向恢复电流就越大呢还是越小呢？不知是否有这样的关系，还是说这两者间没有确定的关系？而且与结电容的大小也有关吧？结电容越大，也就以为的存储在结电容两端的电荷越多，反向恢复电流自然也就会达到一个更大的值。
反向恢复电流是由哪些决定的？
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| |  | | | | | 二极管的反向恢复速度？提法不妥
二极管反向恢复时间，二极管反向恢复电流，这两个参数与二极管本身的结结构有关，更与工况有关。
其中，二极管反向恢复时间主要是器件特性，二极管反向恢复电流主要是运行特性。
二极管反向恢复电流大小与下列因素有关（个人理解）：
1、二极管反向恢复时间参数
2、二极管类型（比如有一种软恢复二极管）
3、反向电压的高低
4、反向切换速率（dv/dt），这个可能是由（原边）开关（驱动）切换速率决定的
5、正向电流（大小及切换di/dt）的影响（即使0电流切换也可能有反向恢复电流）
6、结电容（即使碳化硅反向恢复时间为零也可能有反向恢复电流）
7、结温
8、缓冲电路、谐振机制
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| | | | | | | 这些参数都是互相制约的，针对快恢复二极管来讲，通常反向恢复时间越短，反向恢复速度越快，反向恢复电流越小，但反向恢复电流又受到反向偏压及电流di/dt的影响，成正比关系，而这是由实际的电路决定的。Irrm影响功率开关的EON，因为Irrm反映为功率开关开闭切换期间的电流峰值。因此，Irrm需要尽可能低，最大限度降低功率开关EON。此外，trr (ta + tb)应尽可能短，以最小化EON时长。对于软恢复二极管来说，其中tb时间比ta更长。软度比（S = tb / ta）大于1，理论上对电路的EMI 有益。
就器件本身，是反向恢复电荷Qrr和Vf的折中。
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| | | | | 贴上Fairchild的ES1J二极管的参数。此二极管的Trr为35ns
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| | | | | 再来一些maileyang大师的回复：
肖特基效率还高，，
我们都是同步整流好不好
不要人云亦云
我们搞的LLC通信电源，如果副边是二极管整流，那就高兴的一逼
因为搞传导辐射跟玩一样
同步整流管麻烦一点
肖特基好，如果你是超级快恢复二极管就够呛
PFC上我们都用SIC了
就是要让反向恢复电流小点
我们的应用都是 30 60A /600V
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以及dpj大师的回复：
emc主要是环路造成的
关断的时候会有一短空档
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| | | | | 拓扑整流二极管？
续流二极管，拓扑二极管，拓扑续流二极管，叫法不同，其实是同一类
整流二极管，说的是整流桥
拓扑钳位二极管，无源无损缓冲电路里面那些二极管，无源软开关里面那些二极管，这是一类
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| | | | | | | 多谢李工的指点，思路清晰多了。之前一直错以为反向恢复电流的大小只取决于二极管特性了，就钻到牛角尖里去了，一直想不明白。
嗯，拓扑整流二极管，指的是开关电源拓扑里，进行斩波后，再去整流成直流的那个二极管。
因为考虑到对于flyback，这个叫副边整流二极管，而对于非隔离拓扑，这个又不能叫副边整流二极管，只能叫拓扑二极管，
然后就自己统筹了个名字叫拓扑整流二极管。
现在想想直接叫他拓扑二极管就行了，倒的确也不会引起歧义，已改正，多谢李工指出。
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| | | | | 我的看法是
1、反向恢复电流越小越好，反向电流越小，则存储在线路分布电感中的能量就越小，当反向电流被截断时，释放出来的能量也就越小，也就是干扰会越小，同时效率也会更高。
2、反向恢复电流被截断的过程越软越好，也就是反向的电流关断过程 di/dt 越小越好，因为对于同样的电感量和电流量，di/dt 越小，电感产生感应电压也就越小，干扰也越小，我们常用的整流二极管上并联RC缓冲回路，实际就是在整流二极管关断后，而分布电感的电流又未降低到零的时间段内，给反向电流一个续流通道，降低反向电流的di/dt，从而有效的改善EMC. 特别提醒一下这个软，不是说反向恢复时间越长越好，请注意。
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| | | | | | | 对副边二极管的RC吸收做了个仿真对比，如下：
将R2, C7直接去掉后
可以看到，在副边二极管D4上加了RCSnubber的情况下，在副边二极管反向恢复阶段，即MOSFET开通时刻，副边电流（粉色波形）便不会有那么长时间的震荡，从而改善了EMI
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| | | | | | | 反向恢复电流的大小，与加在二极管两端的RC吸收的关系，耐人寻味。。。
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| | | | | | | | | 是否要这样说， RC snubber存在，限制二极管两端dv/dt，进而影响 二极管反向电流； 而反向电流大小及ring大小会影响EMI
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| | | | | | | | | 问楼主个问题，如果是多路输出的情况，是所有路都要在输出二极管上并RC好，还是只需要并其中一路，就会对波形有所改善？
针对这种修改方式，主要是针对30M-60M频率的超标的，如果这段没超，个人感觉无需专门对输出二极管并RC吧？
针对上述波形也可以通过在MOS DS之间并RC实现吧？
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| | | | | | | | | | | 1、每一路的拓扑二极管对于电路的影响都是一个叠加效应，并不会解决了一个，其它就没有了。
2、我觉得在DS并联RC吸收这个只能改善ds端的频率成份，但是来自二极管的反向恢复造成的问题，是改善不到的，正所谓对症下药，一定要找准源头在哪里。换个角度思考，如果说仅仅在DC两端弄个RC吸收就能解掉二极管反向恢复带来的问题，那么那么多关于拓扑二极管吸收的文章岂不是都白费功夫了对吧。
3、到底这个造成的emc问题，会影响哪个频段，我觉得这和开关频率以及驱动信号的上升下降沿，开关管、二极管的类型，都有关系，并不能一概而论改好了这个则30M~60M就一定好。
至于如果emc不超标，是否还要加RC吸收的问题，我也比较困惑，这个还得看实测，如果说“二极管不加吸收的情况下，二极管反向恢复造成的效率损失”多于“加了吸收之后，RC吸收带来的效率损失以及当下二极管反向恢复带来的效率损失之和”（总体就直接对比变换器效率就行），则依旧也是要加个吸收的，为了效率。
正如李工所说，“追求效率和追求EMI本质上是不冲突的（可能还是相辅相成的）”。
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| | | | | | | | | | | | | 这又是设计思想的问题，我觉得应该这样来看待这个问题：
1、RC吸收的目的是降低尖峰电压，没有其他目的。
2、在反激副边二极管，降低尖峰电压的目的是采用更低耐压的肖特基，这样可以得到更低的压降、更高的效率。
3、只要不能达成上述目的，可以不加RC吸收（比如我根本没有尖峰，或者没有采用更低耐压肖特基的机会）。
4、RC吸收不当，会大大降低效率。曾经见过一个案例取消次要回路的RC吸收（他为了这个次要二极管的耐压纠结），效率立即增加5个百分点的。
5、RC吸收得当，不会（明显）降低效率，但也不会（直接）提高效率。
6、RC吸收可能改善EMC特性，但建议不要作为RC吸收的设计目的。
7、因为，除了RC吸收之外，我们还有N多改善EMC的措施，其中很多措施是既不花钱也不降低效率的（RC是要既要花钱还可能降低效率的）。
8、依靠RC吸收来解决EMC问题是最蹩脚的选择之一（类似的还有在DS并电容），意思是你可能还没有掌握比RC吸收或许更加合理的EMC技术措施。
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| | | | | | | | | | | | | | | 李工，请教下，
是否有这么种可能，
加了RC吸收且设计得当，由于减小了二极管的反向恢复电流（因为RC Snubber减小了此二极管两端的dvdt），故减小了其反向恢复电流所产生的Vr*Ir的损耗（Vr为二极管的反向电压，Ir为其反向恢复电流，瞬态值积分求功率耗散），加上RC吸收带来的损耗，小于之前未加RC吸收时的二极管的功率耗散，使得效率变高呢？
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| | | | | | | | | | | | | | | 对有无RC吸收时候的二极管损耗加上RC Snubber的R的损耗之和，做了个CCM的Flyback仿真对比
下图第一栏黄色波形为 加了RC吸收后的拓扑二极管+RC吸收的R的功率损耗
下图第一栏黄色波形为 拓扑二极管无RC吸收时的拓扑二极管功率损耗
通过切换这两张图片，可以看出， 加了RC吸收后的拓扑二极管+RC吸收的R的功率损耗的确变得略小于2.4节中的拓扑二极管无RC吸收时的拓扑二极管功率损耗了。
下图蓝色曲线为，有RC吸收时候的整机效率
下图蓝色曲线为，无RC吸收时候的整机效率
通过切换这两张图片，可以看出， 加了RC吸收后，整机效率稍微高了一点点点点。
不知实际是否有加了RC吸收后，效率提高的案例？
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 见8楼列举的因素，RC吸收对反向恢复电流的影响应该是与其中的3、4、5、8条有关，不仅仅归结为 dv/dt这一个因素。
RC吸收的设计目标（效果）是降低谐振尖峰电压（不是改善EMI、更不是提高效率）。
RC吸收本质上是一个最优化阻尼网络问题，没有RC吸收是一个阻尼状态，有个功率分配问题，加上RC吸收，变成另一个阻尼状态，功率重新分配。
阻尼中的阻（R）是会发热（Pr）的，两种阻尼状态就有两种功率分配Pr1、Pr2，这就导致采用RC吸收以后的效率变化。
吸收得当，RC吸收不会明显降低效率，还可能略微提高效率，其机制就是Pr1的损耗部分转移到RC回路中的R上去了，R发热的增加一定伴随着回路中其他机制发热的减少，谁多一点少一点就导致效率的略微偏高偏低。但总的来讲影响是很小的，基本上没有工程意义。
这个问题在此贴有分析和案例：《关于吸收》五：RC吸收摘录：RC吸收是能量的单向转移，就地转变为热，不能将电能转移出去。尽管如此，这并不意味着吸收电阻的损耗（发热能量）一定就会是从总效率中减去的损耗，在很多情况下，这个吸收电阻的发热增加了，与电路中另外某个器件的发热减少是相对应的，总效率不一定下降。也就是说，设计得当的RC吸收，在降低电压尖峰的同时也有可能提高效率。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 对于版主的观点，有一方面不认同：
整流二极管上并接RC ，第一目的当然是降低二级股反向尖峰，但是同时绝对是改善EMI的设计目的，首先mos管导通，二极管中流过反向电流，当二极管反向时间达到，反向电流被截断瞬间，如果没有RC提供续流通道，基于电感的特性，分布电感中的反向电流会感应出反向电压高峰，试图击穿二极以形成一个续流回路，如果没能击穿二极管，一部分能量会以电磁辐射的形式释放出去，这部分能量就会形成干扰源。
本人在实践中也遇到过 KW级别的模块，输出220V，最开始整流二极管RC缓冲网络的参数不合适，造成二极管附近释放出很大的干扰，控制板都被影响到无法正常工作，单单改善RC网络后，二极管反峰降低的同时，干扰明显减小，控制板恢复正常，当然后续也进行了改善PCB布局等等处理。
RC网络不是用来吸收反峰的，是用来给反向电流提供续流通道的，有了续流通道，反向电流就不会感应出过高的反向电压出来，所以翻译比较严谨的书上，对这个网络都叫RC缓冲网络，而不是RC吸收网络。
另前面说的提高效率不是指的加RC可以提高效率，而是说在可能的情况下降低反向电流，或者是降低分布电感来实现的，例如使用更好的PCB布线，使用性能更优良的二极管等等。
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| | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分：109912
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积分:109912 版主 | | | | | | | | | | | 李工的意思应该是说RC吸收的设计目的是降低尖峰而不是改善EMI（但并不代表RC吸收不会改善EMI），如果你的第一目的是改善EMI，那么首先考虑的不应该是RC，而应该是别的措施。
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| | | | | | | | | | | | | | | RC吸收是可以改善EMI但的，但会降低效率。版主这分析的很全面，赞同。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 定性可以，这个具体可以参考李工（nc965）在23楼提到的他的一篇帖子。
定量就比较困难了，至今我还没知道有什么方法，如果遇到多多交流。
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