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MOS管驱动芯片问题请教

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shaorc
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副总工程师
  • 2016-10-29 10:16:06
10问答币
本人在使用IR2110S这一款MOS管驱动芯片,输出采用了悬浮供电,结合它的datasheet,对它的原理有如下问题请教,谢谢大家指点!
1.IR2110S芯片的Vcc端口(下开关管的供电电压)并接0.1uf和10uf的两个电容再接15V,电容起什么作用,如果是滤波作用,是不是用10uf滤低频,0.1uf滤高频?
2.与VB端口(上开关管的悬浮供电电压)连接的1uf电容和二极管,构成的自举电路有何作用,工作原理是怎么样的?其中1uf电容接在VB端口和VS端口(上开关管的悬浮供电的地)之间的,二极管接在VB与VCC之间。
3.IR2110S芯片的输出端口Ho和Lo与功率开关管的基极之间,还有接有一个27欧姆电阻和反并联二极管的组合,这是有什么作用?
4.如何理解悬浮输入供电?

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你好,我来回答一下我的看法吧。 1:VCC两个电容,可以说都有滤波功能,但是电解主要还是储能作用; 2:关于自举的原理,我描述不太清楚。首先电容先被充一次电,然后由于是悬浮的,把电容的负极电压升上去,所以正极电压相对就比之前高了; 3:你说MOS驱动那里,接一个电阻,反向并一个二极管,是为加速MOS的GS电容放电,但是过快的dV/dT会产生大的辐射,所以对EMC不好,要折衷考虑。 大概就是这样子,声明一下,IR2110读书的时候 ...
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弄花惊弦
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  • 2016-11-18 17:07:07
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你好,我来回答一下我的看法吧。
1:VCC两个电容,可以说都有滤波功能,但是电解主要还是储能作用;
2:关于自举的原理,我描述不太清楚。首先电容先被充一次电,然后由于是悬浮的,把电容的负极电压升上去,所以正极电压相对就比之前高了;
3:你说MOS驱动那里,接一个电阻,反向并一个二极管,是为加速MOS的GS电容放电,但是过快的dV/dT会产生大的辐射,所以对EMC不好,要折衷考虑。
大概就是这样子,声明一下,IR2110读书的时候用过,不过都是几年前的事了,现在基本还没用过,差不多都忘记了。如有不对,让其他网友解答吧。
月下读书213
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最新回复
  • 2017-2-8 08:08:44
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1,电容是滤波和储能3,驱动那二极管是加快MOS管的放点时间 可以提供效率 但是会影响EMC
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