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未解决

请问TVS这几个参数的意思

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chuxuezhe

chuxuezhe
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2017-6-26 14:48:36

10问答币

想选用一个TVS对PFC的MOSFET进行保护，PFC恒定输出390VDC，启动过冲会达到420VDC，功率在1200W,现在正在苦恼选择这个TVS，百度了一下TVS相关资料，里面有几个参数：
1. Vrwm
2. Vbr.min / Vbr.max
3. Vc
让我摸不着头脑，应该以哪个参数为标准来选择呢？谢谢！

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		2 shuaikang shuaikang 离线 LV6 高级工程师积分：1331 \| 主题：1 \| 帖子：113 访问空间发消息积分:1331 LV6 高级工程师 2017-6-26 16:12:41 倒数9
		瞬态电压抑制二极管啊，有标称电压，钳位最小电压和最大电压，要让电路在正常工作时的电压（不需要钳位的电压）低于钳位的最小电压，要让电路的尖峰冲击电压小于钳位的最大电压。除了未钳位时，相当于普通二极管，安装一般二极管要求选这参数；还需考虑钳位工作时，若电路正常工作时，钳位工作状态工作时间比较长，则需要考虑功耗；回复 \| 举报 \|

			3 admin admin 离线 LV9 管理员积分：32507 \| 主题：2330 \| 帖子：8891 访问空间发消息积分:32507 管理员 2017-6-26 17:34:28 倒数8
			感谢您的回复回复 \| 举报 \|

			4 chuxuezhe chuxuezhe 离线 LV8 副总工程师积分：2734 \| 主题：196 \| 帖子：549 访问空间发消息积分:2734 LV8 副总工程师 2017-6-26 20:46:26 倒数7
			感谢你的热心帮忙！我刚刚查看了VISHAY的两个TVS，型号分别为： 1.P6KE440A，其中Vrwm=376V, Vbr.min / Vbr.max=418V / 462V, Vc=602V 2.P6KE480A, 其中Vrwm=408V, Vbr.min / Vbr.max=456V / 504V, Vc=658V 那应该选择哪一个更加合适呢？谢谢回复 \| 举报 \|

				5 langtuodianzi langtuodianzi 离线 LV8 副总工程师积分：3201 \| 主题：113 \| 帖子：440 访问空间发消息积分:3201 LV8 副总工程师 2017-6-27 14:59:18 倒数6
				Catch1C5E.jpg (12.78 KB, 下载次数: 23) 下载附件 2017-6-27 14:59 上传 TVS管的选用应注意以下几点： • 确定被保护电路的最大直流或连续工作电压、电路的额定标准电压和“高端”容限。 • TVS额定反向关断VWM应大于或等于被保护电路的最大工作电压。若选用的VWM太低，器件可能进入雪崩或因反向漏电流太大影响电路的正常工作。串行连接分电压，并行连接分电流。 • TVS的最大箝位电压VC应小于被保护电路的损坏电压。 • 在规定的脉冲持续时间内，TVS的最大峰值脉冲功耗PM必须大于被保护电路内可能出现的峰值脉冲功率。在确定了最大箝位电压后，其峰值脉冲电流应大于瞬态浪涌电流。 • 对于数据接口电路的保护，还必须注意选取具有合适电容C的TVS器件。 • 根据用途选用TVS的极性及封装结构。交流电路选用双极性TVS较为合理；多线保护选用TVS阵列更为有利。回复 \| 举报 \|

					6 chuxuezhe chuxuezhe 离线 LV8 副总工程师积分：2734 \| 主题：196 \| 帖子：549 访问空间发消息积分:2734 LV8 副总工程师 2017-6-27 15:28:15 倒数5
					因为我的PFC输出为385V，这么说来我应该选用第二个TVS管了？回复 \| 举报 \|

		7 deep_thought deep_thought 离线 LV8 副总工程师积分：6842 \| 主题：1 \| 帖子：1128 访问空间发消息积分:6842 LV8 副总工程师 2017-6-28 08:56:37 倒数4
		请问为什么需要为PFC MOSFET选择TVS保护？第一次听说有这种应用。根据本人的理解，PFC输出有大的储能电容，足以吸收巨大的瞬态峰值功率。而通常PFC MOSFET的耐压是500或600V的。即使没TVS也没有危险。回复 \| 举报 \|

			8 chuxuezhe chuxuezhe 离线 LV8 副总工程师积分：2734 \| 主题：196 \| 帖子：549 访问空间发消息积分:2734 LV8 副总工程师 2017-6-28 23:33:28 倒数3
			但是如果当PFC的场效应管在关断瞬间呢？这个时候会产生一定的前沿尖峰哦，如果不加TVS，是不是存在这个电压尖峰打穿MOSFET的风险？回复 \| 举报 \|

				9 deep_thought deep_thought 离线 LV8 副总工程师积分：6842 \| 主题：1 \| 帖子：1128 访问空间发消息积分:6842 LV8 副总工程师 2017-6-29 09:48:28 倒数2
				关断时是有一个尖峰，一般是通过优化PCB LAYOUT, 加RC吸收电路，调整开关速度，或改善环路响应速度来控制尖峰，保证最坏的尖峰低于MOSFET的额定电压就好了。话说回来，如果是100ns内的尖峰电压，即使超过MOSFET的额定电压，只要其能量也远低于MOSFET的雪崩能量，也是安全的。至于超过100ns的尖峰电压，不太可能出现在PFC MOSFET上，这是因为后面的大电容已经能够响应到，并钳位住这个电压幅度。所以说，TVS用在这里，值得商榷。回复 \| 举报 \|

					10 chuxuezhe chuxuezhe 离线 LV8 副总工程师积分：2734 \| 主题：196 \| 帖子：549 访问空间发消息积分:2734 LV8 副总工程师最新回复 2017-6-29 10:58:16 倒数1
					分析得很到位，高手呀！谢谢回复 \| 举报 \|

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