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三种晶体管的问题

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shaorc
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  • 2018-7-4 08:53:05
100问答币
【不懂就问】
图中的三种晶体管都接触了不少,
只是在应用电路中发现了一些一直不明白的地方

学习的时候就反复听说,MOS管是压控器件,MOSFET是用栅极电压控制沟道的开关程度,实现沟道(漏极)电流控制;IGBT管是电流控器件;而BJT是实现电流放大。

这样来回的一会是电流,一会儿是电压,有点转不清楚。同样是可以用作开关管或者放大作用的管子,而且外围类似(在门极或者基极加上电阻来改变通断的快慢),为什么要分为压控型和流控型。根据U=RI,电压电流可以相互转换的,怎么现在要这样区分呢?

此外,在别的电路中,我也有这样的疑惑,比如电流采样电路中,在支路上放上一个小电阻,然后流过它的电流就变成采样的电压的,但是之路上不光有电流啊,也有电压,这里想不通。难道电流采样,也是放上一个电阻,通过I=U/R来吗?

谢谢

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补充一下我的理解,三极管工作的时候必须BE或CB之间有电流,CE之间才可以有电流流过,也就是所谓的导通,而MOS管只要GD或GS之间电压差达到了,DS端就会被导通,而GD和GS之间是没有导通的,没有电流。所以一个是流控,一个是压控,至于IGBT我没有接触过,就不好说了。 至于采样电阻的问题,采样电阻一般要么一端是采样点,另一端接地或者VCC,要么就是两段都是采样点,进行差分采样,所以这样通过采集电阻两端的电压,然后算电阻的 ...
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cyz
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  • 2018-7-4 17:05:11
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三极管被称为流控元件,可以从三极管工作再放大区之后的放大倍数来体现。Ic≈βIb

从公式就可以看出来Ic电流大小是由流入基极电流Ib来控制的,当然这只是针对放大区。

MOS管是压控元件。我是这么理解的,不懂是不是科学严谨。
MOS管我们GS之间有个GS电容,当G级供电后,并且电压慢慢增大,DS之间开始出现导电沟,也就是我们说的可变电阻区,当Vgs大于Von的时候,DS之间的导电沟最大,MOS的电阻达到最小。

对于IGBT用的很少,只是了解他的速度没有MOS快,耐压和电流比MOS大,具体的内部构造不是很清楚,就不胡吹瞎扯误导你了。

还有你说的支路上放一个电阻,采样电流电压的问题,我没有理解。如果可以的话,上一个原理图,这里的大神肯定会帮你分析一下。



shaorc
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  • 2018-7-5 08:19:28
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先谢谢
这是电流采样的图,2.2Ω的电阻就采集流过源极的电流,形成电压,再等效出原边侧的电流
但是我觉得既然在这同一条支路上,电压和电流本来就是共存的(回路正常),加上一个采样电阻
是不是无论电压采样还是电流采样,都要把采样信号变成电压呢?

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niyin
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  • 2018-7-5 18:34:50
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随风xsl
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本网技师
  • 2018-7-4 17:56:07
  • 倒数7
 
补充一下我的理解,三极管工作的时候必须BE或CB之间有电流,CE之间才可以有电流流过,也就是所谓的导通,而MOS管只要GD或GS之间电压差达到了,DS端就会被导通,而GD和GS之间是没有导通的,没有电流。所以一个是流控,一个是压控,至于IGBT我没有接触过,就不好说了。
至于采样电阻的问题,采样电阻一般要么一端是采样点,另一端接地或者VCC,要么就是两段都是采样点,进行差分采样,所以这样通过采集电阻两端的电压,然后算电阻的压降,就能算出流过电阻的电流了,也就是支路电流。

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shaorc
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  • 2018-7-5 08:27:27
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先谢谢,我们之前也聊过的
有一点对我启发很深
就是,MOS管的GS之间有一个电容,而电容虽然隔离直流,指的是直流电流过不去,
而我总是忽略,只要给门极加电压,这个GS的电容两端是有电压的,但是此时无电流流过
就好比是一个干电池,外部没有电流流过,但是就是有3V的两端压降
这样理解对吧?
所以才说MOS管是压控器件

但是三极管(BJT)是电流控制器件,是因为
三极管的BE极之间没有电容吗
我怎么记得三极管的BE极之间也有电容呢

最后就是采样的问题,如果要采样电流,那么在支路上加上很小的采样电阻,把目标电流通过采样电阻
转换成电压,再等效出电流。 如果要采样的就是电压呢?难道无路你采样的是电压电流,都要转换成电压吗?

随风xsl
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本网技师
  • 2018-7-5 15:46:05
  • 倒数4
 
两根导线放一起,只要有电压差,导线之间都会有电容,但是导线的工作和这个电容有关系吗?三极管也是这样。至于采样,搜一下采样原理你就清楚了
shaorc
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  • 2018-7-6 09:59:13
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电压控的我清楚了,但是三极管的流控还想不明白原理

随风xsl
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本网技师
最新回复
  • 2018-7-6 11:41:32
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搜一下三极管的工作原理和结构,你就会明白了,三极管是流控就是由它的结构决定的
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