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| | | | | | | 请问李工,上面框图IC内部的MOS是N型MOS吗?开通时,是通过栅极电容自举升压驱动的吗? |
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| | | | | | | | | 看框图(它不是电气原理图)只看逻辑是否正确即可。比如那个反向器,只看逻辑,不看电平(它也没标注电平)。其中DRIVING LOGIC模块的两个输出是互补逻辑,习惯性没有特意标注(否则画一个输出即可),你特意标注一下也可:
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| | | | | IC里的是Depletion Type PMOS.
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| | | | | | | 请问从哪里看出是Depletion Type PMOS?
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| | | | | 内部看框图就好,不要太纠结细节。
我们是用IC,并不设计IC。
另外,设计IC有它很多有特点的技巧,也是我们设计电路的所不了解的。
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| | | | | | | 这兄弟要研究芯片设计了。 芯片内部方框图指示简单的部分示意。 不是真电路,符号只代表含义。
很简单看出来,在下管开通时间段,高或低电平驱动内部升压开关管。在C电容对地时间开通充电。优点是优化了通常采用外部升压二极管带来的损耗,优化0.5V的供电压降导致上下驱动波形幅度不对称(上管低0.5v幅度)。
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