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未解决

T型三电平内管驱动震荡

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1
lanyuye00
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LV6
高级工程师
  • 2019-3-29 13:42:45
10问答币
单管IGBT非IGBT模块,功率11K左右,但带载3K左右中间的辅管在长通时出现高频振荡,毛刺比正常电平高7V左右,且随着载量的加大,此毛刺就越大,GE脚并电容,ZD等方法均尝试过,但作用甚微,现也重新改版改进走线,但效果不明显,不知是否能有办法解决,求教各位大神了。
收藏收藏3
闪烁
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版主
  • 2019-3-30 08:41:48
  • 倒数10
 
有没有波形?还有驱动这一块的电路最好发一下
lanyuye00
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LV6
高级工程师
  • 2019-9-19 15:26:59
  • 倒数9
 
波形如图


波形.JPG (63.43 KB, 下载次数: 65)

波形.JPG
lanyuye00
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LV6
高级工程师
  • 2019-9-19 15:31:10
  • 倒数8
 

另外驱动,布局如图所示。

驱动1.JPG (44.96 KB, 下载次数: 70)

驱动1.JPG

驱动2.JPG (70.42 KB, 下载次数: 75)

驱动2.JPG

布局.JPG (90.17 KB, 下载次数: 71)

布局.JPG
lizlk
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版主
  • 2019-9-22 09:50:46
  • 倒数7
 
第一个图看不太清,出现这种问题,基本上是驱动变压器供电后的滤波不行,和走线问题。
遇过多次这种只高只低上的毛刺,基本上是2个这种问题占多数。
lanyuye00
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LV6
高级工程师
  • 2019-12-20 10:12:26
  • 倒数6
 
感谢版主的回答,通过摸索,发现这并不是走线的问题,而是IGBT本身存在的GC寄生电容导致的。
mkcxh
  • mkcxh
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LV4
初级工程师
  • 2020-2-15 19:45:35
  • 倒数5
 
这种因为IGBT自身的电容导致的问题,有什么好的解决办法吗?还是换GC寄生电容小点的IGBT管?
nangehaha
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LV6
高级工程师
  • 2020-3-1 07:19:24
  • 倒数4
 
GE之间加电容,与减少驱动电阻应该有点效果
nytbwp12
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副总工程师
  • 2020-3-14 23:15:33
  • 倒数3
 
应该是适当加大门级电阻,减小震荡,但要注意管子发热状况。另外看下管子CE上升时间是否太快,太快会导致应力过冲很大,很难改善,这个就属于管子本身的问题了,还有就是你测量时候的探头,是否低压最小环路测量,探头两个头子的线长了就有寄生电容,对门级波形影响很大,这个是测量问题非管子本身问题了。
navyx
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LV2
本网技师
  • 2022-9-29 09:07:13
  • 倒数2
 
只能优化,不能消除,窜扰现象(crosstalk)
1、降低主管开关速度;
2、减小续流环路寄生电感;
3、剪短igbt脚,增加vge电容,减小续流管rg
4、试试to247-4封装,改善效果会和很明显

再睡五分钟
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本网技师
最新回复
  • 2023-2-17 10:24:33
  • 倒数1
 
可以试试看把此时正在开通的高频管的关断电阻加大,来降低输出点电压衰减的速度
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