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| | | | | 照着芯片手册画了原理图,改了反馈电阻。感觉频率补偿不太容易作好,决定使用芯片自带的补偿。因为要考虑60uF的限制,所以有些电容的参数还得在调试中调整。
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| | | | | | | 正在用软件作仿真。有一个问题,反馈电阻网络的phase lead电容的取值范围是如何得到的?芯片手册上建议1M电阻配4.7-10p,如果配22-47p会影响稳定性吗?
仿真得到的效率还行,不知道做成板子效果如何,看起来和外围元件有关系。有人用过淘宝上几毛钱买的电感吗?损耗如何?cd系列和cdrh系列的
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| | | | | | | | | | | 作了5块PCB板,接着焊接调试。过程基本顺利,碰到的主要困难是焊接。因为只有烙铁,焊QFN的片子确实困难。搞了一周,才调出2.5V。
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| | | | | | | | | | | | | LT8650S芯片设计的比较灵活,各个性能指标都可以单独进行优化。由于活动规则是“在测试中不允许切换工作模式,且整板电容合计容量不得大于60uF”,因此需要在各个指标之间进行平衡。在调试过程中确定参数:
Fsw=1.2MHz,RT=30k
Burst模式,SYNC接下拉电阻。
输入电容:考虑到在12V时,实际容量可能比标称值小,因此取的稍大,10uF/25V
输出电容:47uF
输出电感:6.8uH,取的稍大,降低一些电流纹波。
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sch.png
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更新的原理图
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