|
|
|
|
|
| | | | | 单端反激也是可以的,频率尽量低,变压器也用大一些的。
评分查看全部评分
|
|
|
|
|
|
| | xkw1cn- 积分:131441
- |
- 主题:37517
- |
- 帖子:55633
积分:131441 版主 | | | 用1700V碳化硅呗。。。^_^单管轻松搞定30~1000V输入。
满足从DC36V到中功率太阳能所有辅助电源需要。
评分查看全部评分
|
|
|
| | | | | 采用UC384X集成电路构成的单管反激电路完全可以 只是在尖峰吸收电路当中注意一下元件参数的选取
评分查看全部评分
|
|
|
| | | | | | | 你有本事用UC384X弄一个这个规格的出来。 光大的占空比变化和初始启动电路,浪涌抑制电路等设计就够你难受的。
|
|
|
| | xkw1cn- 积分:131441
- |
- 主题:37517
- |
- 帖子:55633
积分:131441 版主 | | | 3842+1200VSiC不现实。
目前的1200VSiCFET的RDSON都很低,都是面向大功率设计的产品,都比较贵。
3842也不适合这种高压应用。启动功耗太大且占空比太宽。
常见900VMOSFET更不可用。主要是反压比例太低;导致二次整流管需要极高耐压元件。电路完全失衡。
所以;推荐1700VSiCMOSFET,轻松搞定。推荐ZVS反激拓扑。
|
|
|
| | | | | | | 请教版主,英飞凌这颗SiC是否可以用普通IC(如ncp1342)直驱不需要专用驱动IC?非常感谢!
|
|
|
| | | | xkw1cn- 积分:131441
- |
- 主题:37517
- |
- 帖子:55633
积分:131441 版主 | | | | | 只当标准MOSFET用就好了。除了更像教科书般理想,其他没啥区别。
|
|
|
|
|
|
|