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  • 2020-12-2 11:18:24
10问答币
辅助供电电源,700V输入,60W,隔离,,输出:5V,+-15V,24V本人学生,经验欠缺,特来请教各位专家!
(1),这么高的电压,传统的单管反激是否可行,加入用1200v的Sic;有没有成熟的应用于高压输入小功率的拓扑
(2)用3842是否可以,有没有专门用于高压输入的控制IC
(3) 由于是实验室的预开发,在成本方面没啥特殊要求,请各位专家指点

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用1700V碳化硅呗。。。^_^单管轻松搞定30~1000V输入。 满足从DC36V到中功率太阳能所有辅助电源需要。
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谢开源
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  • 2020-12-2 13:59:38
 
700V输入时AC还是DC?

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jiaozhihongnihao
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  • 2020-12-2 14:37:48
 
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  • 2020-12-2 15:00:30
 
DC,少写了
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  • 2020-12-2 14:59:52
 
700vDC
谢开源
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  • 2020-12-2 17:23:56
 
双管反激应该可以。
st.you
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总工程师
  • 2020-12-2 17:22:51
 
单端反激也是可以的,频率尽量低,变压器也用大一些的。

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  • 2020-12-2 21:44:54
 
先谢谢了,50k应该差不多了吧
st.you
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总工程师
  • 2020-12-3 23:05:35
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还是有点高了,当然,效率能接受是可以的。
Coming.Lu
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  • 2020-12-2 18:40:37
 
xkw1cn
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  • 2020-12-2 21:51:25
 
用1700V碳化硅呗。。。^_^单管轻松搞定30~1000V输入。
满足从DC36V到中功率太阳能所有辅助电源需要。

Infineon-IMBF170R1K0M1-DataSheet-v02_00-EN.pdf

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wangdongchun
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专家
  • 2020-12-2 21:58:21
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采用UC384X集成电路构成的单管反激电路完全可以   只是在尖峰吸收电路当中注意一下元件参数的选取

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zhenxiang
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最新回复
  • 2023-8-2 16:18:33
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你有本事用UC384X弄一个这个规格的出来。 光大的占空比变化和初始启动电路,浪涌抑制电路等设计就够你难受的。
xkw1cn
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  • 2020-12-2 22:12:27
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3842+1200VSiC不现实。
目前的1200VSiCFET的RDSON都很低,都是面向大功率设计的产品,都比较贵。

3842也不适合这种高压应用。启动功耗太大且占空比太宽。
常见900VMOSFET更不可用。主要是反压比例太低;导致二次整流管需要极高耐压元件。电路完全失衡。

所以;推荐1700VSiCMOSFET,轻松搞定。推荐ZVS反激拓扑。
MyloverHlyn
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  • 2020-12-3 07:23:06
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请教版主,英飞凌这颗SiC是否可以用普通IC(如ncp1342)直驱不需要专用驱动IC?非常感谢!
xkw1cn
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  • 2020-12-5 23:25:57
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只当标准MOSFET用就好了。除了更像教科书般理想,其他没啥区别。
HIT_FS
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  • 2020-12-3 09:59:16
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非常感谢您,您能否在推荐几款ic呢
sachiewang
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