|
|
| |  |  | YTDFWANGWEI- 积分：109912
- |
- 主题：142
- |
- 帖子：45931
积分:109912 版主 | | | | | |
|
|
|
 | | | | | 啥叫“响应速度极快”？做几A/us动态负载测试，要求undershot几V，多少us恢复至几%额定电压范围？
一般来说1kHz穿越频率、100Hz大于20dB电压增益可以做到500us恢复至1%额定电压范围；
undershot取决于电流变化率和负载变化范围，25%-50%，1A/us和10%-100%，10A/us是完全不一样的。
穿越频率理论上可以做到稍小于开关频率的一半，实际上至多做到开关频率的1/5，数字控制一般不超过开关频率的1/20
5us恢复时间大概对应100kHz穿越频率，即最低开关频率需要大于500-2000 kHz
光耦由于其输出电容Cce导致其带宽低于10kHz，所以用光耦隔离反馈一般只做到2kHz及以下穿越频率，如果要更高的穿越频率只能用非隔离控制模式。
另一个方面，1MHz开关频率，上升/下降沿最多50 ns，3 kV/50 ns=60 V/ns，10 pF分布电容就会产生0.6 A共模电流。
不说EMI，你的控制电路处理不好的话直接开机就会炸鸡。高压电路不适合太高的开关频率。
|
|
|
| | | | | | | 感谢回复，由于负载的一些特殊要求，我想做到比如说从0V上升到3KV上升沿时间在10uS以内，我的想法是用SIC mosfet和SIC倍压二极管，您后面说的光耦控制是指的SICmosfet的门机驱动控制吗？还有变压器的高频率和耐压是不是有点矛盾导致比较难做。还有，很多隔离光耦的频率不是都到10M了吗，寄生电容也很小，PF级的，比如PS9924。 |
|
|
| | | | | | | | | 线性光耦速度都是us级别的，这种响应速度就不要想用光耦做反馈了。
|
|
|
|
| | | | | | | | | 0V上升到3KV上升沿时间在10uS以内并不难，难在重复频率，等多久再来一次？
|
|
|
| | | | | | | | | | | 电源想要实现在ontime400US和offtime30US状态下输出，上升沿时间必须短，用什么拓扑比较合适？
|
|
|
|
|
|
|  | | | | 我原来有过这种类似的高频电源需求，是找的一个武汉电源厂家做的，他们有定制化的电源方案，然后还有器件选型的工具，你可以去了解一下。 |
|
|
收藏
分享
津公网安备 12010402000296号