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| | | | xkw1cn- 积分:131441
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| | | | | | | | | | | MOSFET 4N90C
•4A, 900V, RDS(on) = 4.2Ω @VGS = 10 V
• Low gate charge ( typical 17nC)
• Low Crss ( typical 5.6 pF)
• Fast switching
• 100% avalanche tested
• Improved dv/dt capability |
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| | | | | VDS波形的确好怪,中间有小关断不说,开通时间很长,输出电压那么高,是不是反馈失效了.占空比尽量达到最大,但由于源极电阻取样到VSENSE的过流保护才不致于炸管.没看到图,仅作猜测. |
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| | | | | | | 开环做的,没加闭环的,固定占空比50%。就是先试验一下变压器能不能用 |
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| | | | | | | | | 可从你VDS上看,你的占空比大于50%,MOS源极直接对地?是否有用上VSENSE. |
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| | | | | | | | | | | 我就是不明白这点,PWM信号明明是50%的占空比,怎么Vds在关断期间会出现这种情况,即使是DCM,也应该先降到Vin才对啊, |
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| | | | | | | | | 楼主的芯片的振荡波形是否也是中间凸起一段。反激的低压升高压,PCB布局很关键,不然很容易引入干扰 |
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| | | | | | | | | | | | | 比如,像38XX系列这类PWM芯片,有一个CT脚,这个脚上的三角波就是PWM控制的基准波,有的应用场合下,这个基准波被干扰了,那么PWM输出的波形就会出现楼主的波形,所以我说要先确认一下,这个所谓的基准波的波形是否正常。这个完全是经验而已。 |
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| | | | | | | xkw1cn- 积分:131441
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积分:131441 版主 | | | | | | | | 只要CT单线连到COM脚上,就不会有问题。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | CT单线连到COM脚是啥意思?
COM是补偿用的呀,CT是振荡呀 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 根本不是干扰的问题,驱动没问题,是漏极本身变成这样的,这是正常的漏极波形。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 请问,如果CT引脚的波形受到影响,应如何调整?我调试的也是楼主的电路,发现CT波形受到占空比大小的影响。 |
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| | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131441
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 是这样的,我开关管工作的频率是100KHz,所以CT引脚波形的频率是200KHz,但是我发现,CT波形的三角波不是稳定的200KHz,而且随着占空比有少量的移动,请问怎样解决? |
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| | | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131441
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 可能现在重新做有点来不及,能不能调节电路参数或者其他方式解决呀?拜托啦~~我被这个问题纠结了好久了,如果要重新做,不知道如何向老师说呀~~ |
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| | | | | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131441
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| | | | | | | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131441
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积分:131441 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | | 你的问题是啥?不会这都忘了? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |
对不起,我不明白您的意思,上图是我的双管反激电路,4引脚CT波形受到影响,请问怎样飞线?谢谢~~ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131441
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| | xkw1cn- 积分:131441
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积分:131441 版主 | | | 反激是利用变压器储能来实现能量传递的。因此;只要是开路输出,理论上输出能达到无限高电压。所以;反激电源必须要电压反馈。 |
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| | xkw1cn- 积分:131441
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积分:131441 版主 | | | 你的第二张图;显示你的MOSFET在关断前已经进入线性区。
由于变压器储能是遵守每周期储能和电流平方成正比。MOSFET进入线性区后,电流不再增加,所以;每周期的变压器储能也不增加。因变压器输出功率P等于每周期储能乘以频率,输出接的电阻损耗功率P=U^2/R=I^2R。 输入功率被限;对固定负载;二次输出电压就定了。 |
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| | | | | | | 怎么才能使MOSFET在关断前不进入线性区啊?要修改那些参数? |
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| | | | | | | | | | | | | 1KHZ测试条件下Lp为0.37mH,Ls为9.13mH, |
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| | | | | | | cdex11 能不能详细解释一下?
我比较疑惑带负载时电压怎么升上不上去了?有没有可能是气隙的问题? |
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| | | | | | | | | 前一个波形说起来要复杂一些,这会儿暂且不细说了。
后者很简单:你的占空比50%,理论上输出电压为输入电压的两倍,所以输出应该是40V,那么输出30多伏不正好吗?
之所以不是接近40V,从波形看起来,你的MOSFET似乎小了一些,压降偏大。 |
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| | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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| | | | | xkw1cn- 积分:131441
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积分:131441 版主 | | | | | | 他用的是个牛XCOOLMOS ,RDSON是4.2欧!吃了不少电压! |
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| | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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| | | | | | | | | | | | | 这个应该和输出电压升不上去没多大关系吧?
先不考虑效率,现在只是想把输出电压升上去, |
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| | | | | | | | | | | | | | | 怎么没关系呢,这就相当于一个内阻很大的电压源一样,输出电流大了,内阻上的压降就大了,输出的就小了,想想电池吧,电池用久了内阻就大了,输出电压就降低了。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 谢谢啊 好像是这个样子 但是你看第一张图,为什么在开关管导通期间管压降可以达到0V的?虽然输出空载,但是原边电流在ON时也应该是线性上升的吧,那他的管压降应该是随之增加的啊? |
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| | | | | | | | | | | 我的变压器匝比是10:50的,输出电压怎么会是输入电压的两倍呢?还你看第二个图(此图是开关管管压降Vds波形),好像开关管没有导通一样,是怎么回事? |
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| | | | | | | | | | | | | 那是我看错了,还以为是Boost呢。
你的驱动电压多少伏?
你说的没错,没完全打开。 |
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| | | | | 第一个图Vgs为低时Vds竟然降至0,莫非体二极管导通所致?
第二个图Vds似乎是随着初级电流增加而增加,但又好像不是,因为从负载端看,30V、500欧,只有2W的功率,初级电流不可能有这么大。
想想觉得许工前面说的有道理,Vds>10V,管子已经进入到饱和区了,但是为什么会进入到饱和区的呢? |
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| | | | | | | 第一个图Vgs为低时Vds竟然降至0,莫非体二极管导通所致?
我疑惑的也是这点,可是这个时刻体二极管怎么导通的呢,
第二个图Vds似乎是随着初级电流增加而增加,但又好像不是,因为从负载端看,30V、500欧,只有2W的功率,初级电流不可能有这么大。
想想觉得许工前面说的有道理,Vds>10V,管子已经进入到饱和区了,但是为什么会进入到饱和区的呢?
MOSFET进入饱和区的条件是什么? |
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| | | | | | | | | 要明白MOSFET进入饱和区的条件,你要拿这个MOSFET的输出伏安特性图来看。
对于给定的栅极电压,当电流通过拐点,开始进入(接近)水平方向的的曲线的位置时,就开始进入饱和区了——说到底就是工作电流过大。 |
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| | | | | | | | | 记得MOSFET的饱和条件是Vds>=Vgs-Vth,此时恰好沟道闭合。
Vds达到10V后,估计应该大于等于驱动电压减去阈值电压了。 |
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| | | | | 空载波形问题:
你这儿是开环应用。
从理论上讲开环,且空载的时候,输出电压为无穷大。
而实际电路中,空载电压往往受限于耐压最低的元器件,你这儿的500V电压,肯定是有元器件被击穿了。
假如所有元器件耐压都足够高,那么也无法输出无穷大的电压,电压将受限于MOSFET的输出电容(以及分布电容)C。当MOSFET关断的时候,电感电流为Imax,其中能量为0.5Imax2L,对应的最大电容电压U满足等式:0.5U2C=0.5Imax2L。
在你这儿当然是第一种情况:有元器件被击穿。
波形中,第一个平顶脉冲对应的就是次级500V电压时的漏极波形。因为变压器变比为1:5,所以这个平顶得电压为500/5+20=120V。
由于这个脉冲电压的幅度很高,因为伏秒平衡的缘故,这个脉冲持续时间应该是:20/100=0.2,既约为MOSFET导通时间的1/5。
当变压器线圈储存的能量释放完毕之后,电压就无法维持了。此时MOSFET输出电容通过二极管放电,VDS下降,当VDS=Vin电感两端电压相等,电感电流达到最大值,由于电感电流不能突变,电压继续下降。
如果没有MOSFET的体二极管钳位,那么这儿将出现一个减幅振荡,反向峰值电压略小于100V。但因为MOSFET体二极管钳位,电压被固定在约-0.7V左右,由于20V的输入电压比100V的反射电压低得多,所以电压被钳位的时间比较长。
这儿的波形和通常的DCM差异很大的原因就在于反射电压远大于电源电压。 |
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| | | | | | | 你这儿的500V电压,肯定是有元器件被击穿了
我用的耐压最低的元件是输出滤波电容,难道是电容击穿了?
因为伏秒平衡的缘故,这个脉冲持续时间应该是:20/100=0.2,既约为MOSFET导通时间的1/5。
这个有点理解,但是Vds在另一段时间内为0还是不理解怎么回事?
还有给个解决方法呗
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| | | | | | | | | 你把34楼看完啊,后面有关于VDS持续处于“零”的解释。 |
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| | | | | | | | | | | 看完了啊,但是不理解!
你说的那个电感电流达到最大值,但是电感电流不能突变,电压继续下降,是指的那个电感,此时副边电感能量完全传输给滤波电容,其电流已经为零,输出二极管已经反偏截止,原边电感上的压降为零,此时Vds应该为Vin,体二极管是反并联的,怎么起到的钳位作用? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 开环电压高不需要解决,闭环之后电压自然不会超出,波形也没问题。
带负载的能力问题,恐怕只能换晶体管了。 |
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| | | | | | | | | 这仍然是MOSFET的输出电容和变压器初级电感在主开关管、输出整流二极管都截止的情况下,互相交换能量的结果。
在34楼描述的电感电流被MOSFET寄生二极管钳位条件下,电感电流以斜率di/dt=-Uin/L下降,直到电感电流为零。在这个过程中,你可以认为能量都被电阻及二极管结压降消耗掉了,但需要注意的是,这个过程结束的时候,电容COSS两端电压为零(严格来说,是负0.7V左右)。
当电感电流为零,点感两端有电压差,电压差等于Uin(+0.7V),这将导致一个新的震荡周期,电感电流从零开始上升,然后下降。在这里,如果COSS是一个常数,那么震荡上升的电压最多能上升到2Uin。或许是由于这个电容会随电压上升而下降,所以电压能上升到更高的数值——关于这个问题,我没有仔细研究,不敢确定是否因为电容可变,导致此余弦脉冲的幅度会上升。 |
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| | | | | 楼主我没有仔细看你的图。我做过类似升压的实验是15V升100V的开环实验。
我的个人见解,开环的电压时随着负载的大小变化的,初级的电压和占空比确定后只能提供固定的能量。我当时弄的时占空比手动可调的。
正常闭环的反激在加重负载后,占空比就加大让电源进入更深度的连续后再减小占空比的。
你的VDS下陷可能是初级励磁电流过大,负载电流太小。励磁电流与变压器谐振造成的。 |
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| | | | | | | 初级励磁电流过大是不是初级励磁电感太小了?负载电流太小怎么解决? |
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| | | | | | | | | 励磁电感可以加大点。负载加重点。
最好做可调占空比的,那样方便调节输出电压。 |
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| | | | | | | | | | | 我把占空比加大到53% 但是在驱动信号为ON时,Vds还是还我传的第二张图一样,输出电压还是30左右的样子,而且ON时,Vds是从2.多伏开始斜着上升一直到16左右,开始OFF
我想还是MOSFET的导通内阻太大了(4.2欧),你们怎么看? |
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| | | | | | | | | | | | | 可能是变压器饱和了,或者是驱动能力不强,只想到这两种情况,可以量一下GS波形看是什么样…… |
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| | | | | | | xkw1cn- 积分:131441
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- 帖子:55633
积分:131441 版主 | | | | | | | | 管子电流太小;RDSON太大;耐压太高;跨导太小。。。。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 昨天晚上我换了一个MOSFET,IRF740,导通内阻0.55欧,实验了一下,波形还可以,电压应该是上升去了,如下图,CH2是PWM,CH1是Vds,Vds是衰减10倍的
可是今天下午我又实验一下,怎么就不行了,波形成了这个样子,麻烦帮忙看看是怎么回事?是不是MOSFET进入恒流区造成的?
(CH1为Vds,衰减10倍后的) |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 什么原因不晓得,但从波形上看,楼主好像没加箝位吸收电路吧,漏感尖峰好高,对MOS有威胁啊。 |
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| | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131441
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- 帖子:55633
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| | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131441
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- 帖子:55633
积分:131441 版主 | | | | | | | | | | | | 波形透露了天机 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 整流管坏了,滤波电容不会因为反压击穿么?漏极波形为什么会是这样的?
许工方便泄露下天机不? |
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| | | | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131441
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- 帖子:55633
积分:131441 版主 | | | | | | | | | | | | | | 对于反激电源的滤波电容讲;在整流管短路后,变压器输出是高频信号源。对于变压器讲;滤波电容几乎是稍有阻抗短路线[Xc=1/(2*3.14*F*C)]。自然不会有电压能搞穿它。如果持续这样工作,电容会因高频电流而发热。
你看;在MOSFET开通时;向下的三角尖,就是典型的二次短路特征。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | “向下的三角尖,就是典型的二次短路特征”能详细讲一下为什么吗? |
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| | | | | | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131441
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- 帖子:55633
积分:131441 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | 三角的弦;是典型的RL响应自然对数曲线啊! |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131441
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- 帖子:55633
积分:131441 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | | | |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 设次级滤波电容初始电压为0,反向电压为Vcr(t),匝比为1/5=0.2
有下列方程,
初级
Vds(t) = Vin - 0.2Vcr(t) - Vleak(t) ------ 1
Vleak(t) = Lleak* dIp(t)/dt ---------------2
Is(t) = 0.2Ip(t) ----------------------------3
次级可等效为电流源Is(t)与RC并联的一个电路。
Vgs为高时,MOSFET开始导通,导通瞬间,次级相当于短路,Vds(0)=0,Vleak(0)=Vin,
由此可得到Ip(0),滤波电容开始以0.2Ip(0)反向充电(Vds波形的小尖出现时间),
Vcr(t)增大(负载电阻足够大时),Vleak(t)减小,直至Vds(t)=Vin - 0.2Vcr(t),此时负载电阻耗能恰好等于初级传递至次级的能量,而处于稳态(Vds波形的直线部分)。
Vgs为低时,励磁电感放电,并在Vin的基础上产生振荡。
不知上述分析中有何问题,请许工指点。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131441
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- 主题:37517
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- 帖子:55633
积分:131441 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | 很好的定性理解! |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 楼主,你好,我最近也在调一个反激电路,我想问一下,我现在的波形跟你帖子最上面的VDS波形相似,你是怎么把VDS上的那个小尖峰去掉的?
黄的是PWM波形,蓝的是VDS |
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| | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131441
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- 帖子:55633
积分:131441 版主 | | | | | | | | | | | 他是连续模式;你是断续模式,而且反压设计的比电源电压高多了。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 怎么判断是连续模式还是断续模式的,我不知道这个尖峰是怎么产生的,是不是电感和MOS管的输出电容振荡产生的? |
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| | | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131441
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- 帖子:55633
积分:131441 版主 | | | | | | | | | | | | | |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 占空比大于50%就是连续的么?
有什么方法可以去掉这个振荡么? |
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| | | | | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131441
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- 帖子:55633
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| | | | | | | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131441
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 可是,我把占空比变成53%以后波型就变这样了。
Vds的波形这样不是少掉了么? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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- 主题:142
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- 帖子:45931
积分:109912 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你的电路是开环的?怎么还能调整人为调整占空比,你这个不是削掉了,是谐振过头了。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 开环的。想试一下变压器好不好。变压器不是自己绕的。谐振过头是什么意思,怎么能解决? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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- 主题:142
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- 帖子:45931
积分:109912 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 但这样的话感觉不对啊,PWM和VDS的波形差好多啊,看这个波形的话,mos管是不是提前导通了? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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- 主题:142
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- 帖子:45931
积分:109912 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 不是提前导通了,是MOS管内部体二极管导通了,MOS管开通的时候正好零电压。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | “MOS管开通的时候正好零电压”难道是QR模式?看第一图好像不是 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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- 主题:142
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- 帖子:45931
积分:109912 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 只是电路谐振让MOS管体二极管导通而已,跟是否是QR模式没关系.
个人理解. |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我解释一下看是否对:因VDS的波形后两具尖峰是初级励磁电感与MOS的输出做衰减振荡产生的,振荡开始说明变压器电流为0,这说明是DCM状态同,为什么说反压设计的比电源电压高多了呢?是因为振荡的谷底很低,第一个振荡的谷底电压为电源电压减反压。不知是否正确 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 后面的两个尖峰是由于原边的电感和MOS的Coss产生的衰减振荡吗?
有什么办法让其衰减的更快一些呢?
谢谢~ |
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| | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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- 帖子:45931
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