管压降检测逆变器短路保护具体实现方法？-光伏/逆变/UPS/变频器-世纪电源网社区

cumtzhangwang

积分:6197

LV8

副总工程师

10问答币

据说通过检测管压降可以很好的实现逆变器短路保护，短路一年也不怕！
想问下大家具体实现的方法和原理？

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		2 蒋江黔蒋江黔离线 LV7 版主积分：10354 \| 主题：105 \| 帖子：4151 访问空间发消息积分:10354 版主 2012-8-6 12:24:15 倒数9
		检测管压降可以实时监控受控回路的电流，原理并不复杂，典型的有384x系列的峰值电流环路，响应时间几百个nS，故而可以有效地保护开关管。别说短路一年，短路10年都没问题。回复 \| 举报 \|

			7 cumtzhangwang cumtzhangwang 离线 LV8 副总工程师积分：6197 \| 主题：320 \| 帖子：2214 访问空间发消息积分:6197 LV8 副总工程师 2012-8-6 23:32:20 倒数4
			也就是检测MOSFET两端电压~电压高于设定值~关断它即可？回复 \| 举报 \|

		3 emailcwb emailcwb 离线 LV3 助理工程师积分：213 \| 主题：1 \| 帖子：5 访问空间发消息积分:213 LV3 助理工程师 2012-8-6 17:44:10 倒数8
		逆变器短路时，回路中电流非常大，远超出额定电流，导致IGBT推出饱和，进入线性区，同时Vce上升至直流母线电压。电压上升后触发保护电路动作从而关断PWM给定信号，实现短路保护。短路保护的原理都一样。实现的方法根据你使用的驱动不同而不同，驱动器里面都有此功能。你仔细看下你使用的驱动器datasheet。回复 \| 举报 \|

			4 蒋江黔蒋江黔离线 LV7 版主积分：10354 \| 主题：105 \| 帖子：4151 访问空间发消息积分:10354 版主 2012-8-6 17:53:04 倒数7
			IGBT与MOSFET有所不同的，MOSFET导通时工作在可变电阻区，瞬时电阻基本不变（实际上也随温度上升而增加），压降基本上正比于电流，短路时VDS可能接近母线电压；但IGBT短路时压降仍然很低，等不到电压上升太高就已经烧掉了，因此要做一定的微份算法进行预侧，即在正常的导通平台上，dv/dt达到某种程度就要保护了回复 \| 举报 \|

				5 emailcwb emailcwb 离线 LV3 助理工程师积分：213 \| 主题：1 \| 帖子：5 访问空间发消息积分:213 LV3 助理工程师 2012-8-6 18:24:40 倒数6
				不要那么复杂，而且短路保护动作时间反应在10US内。完全可以保护，没问题。回复 \| 举报 \|

				6 deyun deyun 离线 LV3 助理工程师积分：263 \| 主题：0 \| 帖子：31 访问空间发消息积分:263 LV3 助理工程师 2012-8-6 18:49:30 倒数5
				同意，IGBT存在寄生可控硅效应，只要dv/dt达到一定程度，就无法关断了。回复 \| 举报 \|

		8 ht_lb@126.com ht_lb@126.com 离线 LV10 总工程师积分：17104 \| 主题：131 \| 帖子：7948 访问空间发消息积分:17104 LV10 总工程师 2012-8-26 11:58:20 倒数3
		可以参考841和315等驱动器的保护原理！！！设计成熟应用可靠！！！回复 \| 举报 \|

			9 lt1990 lt1990 离线 LV2 本网技师积分：165 \| 主题：0 \| 帖子：11 访问空间发消息积分:165 LV2 本网技师 2012-9-21 23:05:54 倒数2
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				10 中华电源中华电源离线 LV0 禁止发言积分：3162 \| 主题：109 \| 帖子：1102 访问空间发消息积分:3162 LV0 禁止发言最新回复 2012-9-21 23:18:36 倒数1
				提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽回复 \| 举报 \|

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