电路设计之功率MOSFET管

第一， 尽量减少与MOSFET管各管脚连接的连线长度，特别是栅极引线的长度。如果是在无法减少其长度，可以用小磁环或者一个小电阻R1与MOSFET管串连起来。使用这两个元件尽量靠近管子的删极，它们可以消除寄生振荡。
第二， 由于MOSFET管具有极高的输入阻抗，为了避免电路的正反馈引起振荡，驱动源的阻抗必须很低，应当注意的是，当MOSFET管的直流输入阻抗很高时，它的动态阻抗或者称交流输入阻抗就会随着频率而改变。因此，MOSFET管的上升时间和下降时间取决于驱动源的阻抗。
第三,栅极电压的最大值一般从20V到30V。即使所有的栅极电压低于最大允许值，也要对电路进行深入的研究，确保没有由杂散电容引起的尖峰脉冲信号存在，因为尖峰信号也完全可能把MOSFET的氧化层破坏。
为了改善带宽和加快MOSFET的开关速度，在驱动电路中使用射极跟随器缓冲器电路（可以提供一个快速电流源，并且能够消除控制极的电容）。
UC3842,3845,通常工作在10V到18V之间。因为开关管门电压不易超过20V.
UC3842,3845,6号角电阻值的取值大小根据效率与纹波来选定。通常选择5欧姆到20欧姆之间。
经验（阻值越小，效率越高，纹波越大。阻值越大，效率越低，纹波越小。）
单端反击式变换器（一、在晶体管截止时，要能承受集电极尖峰电压。二、在晶体管导通时，要能承受集电极的尖峰电流。在设计时最大占空比要小于0.5，一般取0.4左右，这样它就是限制了集电极峰值电压，小于2.2Vin。因此，在单端反激式变换器电路设计中，晶体管的工作电压一般在800V以上，通常按900V计算可安全可靠的工作。）

管子耐压越高，压降越大，功耗越多。
常用MOS管整理：（有待增加）