推挽结构DCDC升压变换器

接触时间：2009年
设计项目：基于TI UC3525的推挽结构DCDC升压变换器
使用TI产品及设计过程：
TI产品：UC3525
设计目的：
将电池电压（标称96V）经由推挽电路和全桥整流组成的DC/DC变换器升压到±360V的直流高压。
控制芯片的选取：
选取TI公司的UC3525，该芯片属于电压型控制芯片。其优点是使用电压环，单环控制容易设计；波形振幅坡度大，因而噪声小，工作稳定；多模块输出时，低阻抗输出能提供很好的交互控制。它具有振荡器外同步，内置基准电压源，死区调节，PWM锁存器以及输出级的最佳设计等特点。
系统简图和UC3525控制部分的原理图如下图所示：


原理分析：
10脚SHUTDOWN（关断）端经电阻接Vref，控制板到功率板的信号3525_CLOSE平时是低电平使4066的1、2脚不通，所以3525不工作。当3525_CLOSE处于高电平时，1、2脚导通，10脚是低电平，3525开始软起动。在第一版中，我们用3525_CLOSE直接控制10脚，结果当下拉到低电平时，低电平电压仍高于0.7V，10脚内的三极管仍然导通，3525没法工作；第二版时增加了一个开关4066，4066控制的门限电压是0.45VDD，更改后10脚更容易下拉到地，方便了控制。8脚接一个较大的电容，使软启动时间适当延长，电压缓慢建立，防止变压器偏磁。1脚接电压反馈，2脚接给定，1脚、2脚、9脚共同构成一个比例积分电路，C10作相位补偿用，用来防止自激。
我的感想：
3525软起电容选取过小，占空比增加过快，导致开机软起时充电电流过大，由于所加保护电路具有检测电流过流能力，易造成软起过程机器出现保护现象，加大软起电容后保护现象消失。由于3525的死区设置过小引起前级MOS的尖峰电压过大，更改死区时间后MOS的尖峰电压明显减少。更改前后MOS尖峰电压的图形见