半桥逆变器

接触时间：2009年
设计项目：高频逆变器
使用TI产品及设计过程：
TI产品：TMS320F2812
设计初期经过论证选取了TI 的TMS320F2812作为逆变器的控制芯片，逆变器采用半桥结构，两路PWM由TMS320F2812产生，同时2812还起到反馈调节和短路保护和过载保护的作用，完全实现了数字化。
高频逆变器的电路结构简图如下：
实际产品的输出波形如下：
电路设计过程：
采用半桥逆变电路，驱动通过光耦对单管IGBT进行三电平驱动，输出滤波电感前产生双极性调节的SPWM波，通过输出电感和电容构成的LC滤波电路形成标准正弦波。
IGBT的选取过程：
功率为120%时，输出电流的有效值是2400/220＝10.9A，峰值为15.43A,估算滤波环节的无功电流为有功的10%，即1.54A，选择11N120CND双管并联。11N120CND的参数：Vces=1200V,Ic=42A(25℃)22A(110℃)
IGBT的DS间加阻容吸收电路，阻值为10Ω，电容为470P。
我的感想：
采用TI的 TMS320F2812作为控制核心后，有效的减小了逆变器的体积，提高了控制的灵活性，完全实现了数字化，更加有利于劳动成果的保密性，为逆变器的升级换代也提供了便利性。TMS2812集成的功能对于需要高速、重复计算和控制功能的应用非常理想。