返回顶部

已解决

LLC MSOMOS管的体二极管Trr

[复制链接]

查看: 4323 |回复: 18

1

kingter

kingter
离线
LV3
助理工程师

积分：203
|
主题：3
|
帖子：1

积分:203

LV3

助理工程师

2012-9-12 00:08:11

10问答币

LLC 半桥MOS管的体二极管Trr原设计为1300-1500ns, 如果使用MOS管的体二极管Trr为360ns，能否直接代用。

最佳答案

查看完整内容

凌晨都在发帖，精神可嘉。这种是可以的，只要你死去时间大于Trr就ok了。

收藏0

		2 liu1875 liu1875 离线 LV8 副总工程师积分：9255 \| 主题：44 \| 帖子：3379 访问空间发消息积分:9255 LV8 副总工程师 2012-9-12 09:25:50
		凌晨都在发帖，精神可嘉。这种是可以的，只要你死去时间大于Trr就ok了。回复 \| 举报 \|

		3 乞力马扎罗的雪乞力马扎罗的雪离线 LV7 版主积分：1250 \| 主题：8 \| 帖子：162 访问空间发消息积分:1250 版主 2012-9-12 09:43:54
		用快的代替慢的，应该会更好。回复 \| 举报 \|

			4 zcyzvs zcyzvs 离线 LV8 副总工程师积分：2998 \| 主题：25 \| 帖子：517 访问空间发消息积分:2998 LV8 副总工程师 2012-9-12 10:12:19
			LLC 半桥MOS管的体二极管Trr原设计为1300-1500ns,很明显这个设计从可靠性来讲是失败的。 ZVS对MOS的体二极管Trr要求很高的，死区和Trr在可靠性上有着微妙的关系。回复 \| 举报 \|

				5 Bodoni Bodoni 离线 LV10 总工程师积分：12335 \| 主题：253 \| 帖子：5180 访问空间发消息积分:12335 LV10 总工程师 2012-9-12 10:45:09
				哦，请教下，选择的LLC mosfet 有那些考虑因素？回复 \| 举报 \|

				6 alexandrian alexandrian 离线 LV6 高级工程师积分：674 \| 主题：20 \| 帖子：130 访问空间发消息积分:674 LV6 高级工程师 2012-9-12 22:27:02
				为什么？在MOS开通的时候，IM先将COSS电荷抽干，然后继续在body-diode内部续流，等此MOS的驱动为高时，谐振电流流过MOS的沟道，此时 body-diode自然关断，根本没有反向恢复的机会，trr大点又何妨？回复 \| 举报 \|

					7 zcyzvs zcyzvs 离线 LV8 副总工程师积分：2998 \| 主题：25 \| 帖子：517 访问空间发消息积分:2998 LV8 副总工程师 2012-9-13 07:40:28
					您还只是停留在理论上啊，实际工况的电源能这么理想化吗？飞兆有篇应用报告有论述体二极管的TRR和MOS实效问题的。其实基于ZVS对MOS的特殊要求，各大厂家都在生产和研发带快速恢复体二极管的MOS，infineon的CFD系列，APT的F系列，ST的加强型体二极管系列，等等。。。。回复 \| 举报 \|

						8 alexandrian alexandrian 离线 LV6 高级工程师积分：674 \| 主题：20 \| 帖子：130 访问空间发消息积分:674 LV6 高级工程师 2012-9-13 13:56:58
						是的，只是理论上面的分析，那请你说说那个TRR怎么产生的，这么能测到，洗耳恭听。回复 \| 举报 \|

							17 navoice navoice 离线 LV2 本网技师积分：179 \| 主题：1 \| 帖子：32 访问空间发消息积分:179 LV2 本网技师 2012-9-18 13:53:29 倒数3
							就你一个明白人，其他人都不知道trr是怎么产生的回复 \| 举报 \|

						14 hero_or_king hero_or_king 离线 LV6 高级工程师积分：859 \| 主题：22 \| 帖子：284 访问空间发消息积分:859 LV6 高级工程师 2012-9-15 22:40:09 倒数6
						求这份报告，或者名字回复 \| 举报 \|

		9 daxia4540827 daxia4540827 离线 LV10 总工程师积分：12370 \| 主题：190 \| 帖子：5707 访问空间发消息积分:12370 LV10 总工程师 2012-9-13 20:27:59
		反向恢复时间更短之后，你需要相应更改死区，不然ZVS条件会破坏！回复 \| 举报 \|

			10 BOBO2046 BOBO2046 离线 LV6 高级工程师积分：599 \| 主题：17 \| 帖子：131 访问空间发消息积分:599 LV6 高级工程师 2012-9-13 21:36:00 倒数10
			关于这个时间，个人是没有办法来为你做选择。但从先前的实效案列，还是建议你使用CFD系列的MOS，提高可靠性！回复 \| 举报 \|

			11 alexandrian alexandrian 离线 LV6 高级工程师积分：674 \| 主题：20 \| 帖子：130 访问空间发消息积分:674 LV6 高级工程师 2012-9-14 09:19:20 倒数9
			真没看出来,TRR对ZVS有任何影响,死区400NS ,TRR=900NS, 照样ZVS. 为什么回有TRR的时间,请讲清楚??? 回复 \| 举报 \|

				12 阿甘阿甘离线 LV8 副总工程师积分：3062 \| 主题：51 \| 帖子：374 访问空间发消息积分:3062 LV8 副总工程师 2012-9-14 23:49:07 倒数8
				个人看法，不知对不对：死区时间里因为IM的储能会大于Mos的Coss中的能量，mos体二极管会在开通时刻是正向导通的，因而会有TRR的问题。但是，由于Mos的导通压降很小，即体二极管上的反向压降很小，因此TRR也会很小，不会影响ZVS。关键是Diode的TRR是和反向电压密切相关。回复 \| 举报 \|

					13 alexandrian alexandrian 离线 LV6 高级工程师积分：674 \| 主题：20 \| 帖子：130 访问空间发消息积分:674 LV6 高级工程师 2012-9-15 16:04:02 倒数7
					N-沟道和体二极管是自然换流的。回复 \| 举报 \|

					15 alexandrian alexandrian 离线 LV6 高级工程师积分：674 \| 主题：20 \| 帖子：130 访问空间发消息积分:674 LV6 高级工程师 2012-9-18 11:20:22 倒数5
					是的，就算有，也是0.7V的反压。回复 \| 举报 \|

					18 navoice navoice 离线 LV2 本网技师积分：179 \| 主题：1 \| 帖子：32 访问空间发消息积分:179 LV2 本网技师 2012-9-18 13:59:24 倒数2
					“反向压降很小，因此TRR也会很小”，都是些什么人呀？误人子弟。回复 \| 举报 \|

						19 alexandrian alexandrian 离线 LV6 高级工程师积分：674 \| 主题：20 \| 帖子：130 访问空间发消息积分:674 LV6 高级工程师最新回复 2013-7-23 10:54:27 倒数1
						是就你知道，二极管反向恢复与电流有关。就算别人的说法是错了，这是一个大家共同讨论提升的地方，想您这样的大佬。不参与讨论就罢了，还在开别人笑话，你算什么人啊？你是明白人，那你拿出你的理论依据啊，。就算你是高手，你只会评判，笑话别人，...................................., 回复 \| 举报 \|

				16 woees woees 离线 LV3 助理工程师积分：264 \| 主题：0 \| 帖子：13 访问空间发消息积分:264 LV3 助理工程师 2012-9-18 13:05:14 倒数4
				我想選Trr小的原因應該如下, 開機的時候因為對電路上的電容充電, 此時Resonant current會在一個開關週期內換相兩次與轉換器不小心進到ZCS的時候, 這時候都會因為Trr有Short-circuit的現象, 但周期可能頂多兩個, 所以這時候Trr越大, 開關流過的短路電流時間也越長, 對元件會有損壞的疑慮. Trr的時間只要小於一半的切換頻率, 元件又撐得住Resonant current的情況, so what, 只是把原本走Rdson的電流, 改走Body diode, 當然實際上不會這麼誇張, 只是要把Trr牽扯到會影響到ZVS特性, 我也是還沒想到這種特殊的電器條件, 還請指教. 回复 \| 举报 \|

热门技术、经典电源设计资源推荐

世纪电源网总部

地址：天津市南开区黄河道大通大厦8层

电话：400-022-5587

传真：(022)27690960

邮编：300110

E-mail：21dy#21dianyuan.com(#换成@)

世纪电源网分部

广东：(0755)82437996 /(138 2356 2357)

北京：(010)69525295 /(15901552591)

上海：(021)24200688 /(13585599008)

香港：HK(852)92121212

China(86)15220029145

网站简介 | 网站帮助 | 意见反馈 | 联系我们 | 广告服务 | 法律声明 | 友情链接 | 清除Cookie | 小黑屋 | 不良信息举报 | 网站举报

Copyright 2008-2024 21dianyuan.com All Rights Reserved 备案许可证号为：津ICP备10002348号-2 津公网安备 12010402000296号